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[发明专利]基于钙钛矿纳米晶的γ射线闪烁转换屏的制备方法-CN202110447448.8有效
发明人：张志军;杨珩;李乾利;李慧慧 -专利权人：上海大学
申请日： 2021-04-25 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： G01T1/202 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于钙钛矿纳米晶的全可见光谱、快速γ射线闪烁转换屏及其制备方法，首次解决了钙钛矿纳米晶体不能探测γ射线和传统闪烁体发光波长不可调节的问题。钙钛矿纳米晶为CsPbX3(Cl,Br,I)，选用基底为BaF2单晶闪烁体，公开了一种CsPbX3NCs@BaF2闪烁转换屏的新结构。CsPbX3NCs@BaF2闪烁转换屏对γ射线具有非常有效的响应，在137Csγ射线源激发下的光产额为6300光子/MeV，γ射线衰减时间约为11ns，是实现快时间分辨率和全可见光谱γ射线探测的理想闪烁材料。本发明还将作为基底的闪烁体扩展到CeF3、LuAlO3:Ce(LuAP:Ce)、YAlO3:Ce(YAP:Ce)或ZnO:Ga等，它们结合钙钛矿材料，同样可以实现全色发射和高效γ射线探测。
基于钙钛矿纳米射线闪烁转换制备方法

[发明专利]一种ZnO:Ga-PMMA聚合物闪烁转换屏的制备方法-CN202210551431.1在审
发明人： 李乾利;张志军 -专利权人：泰州市闪烁科技有限公司
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： C30B29/60 文献下载
摘要：本发明属于闪烁探测与成像领域，涉及一种超快时间响应的ZnO:Ga‑PMMA聚合物闪烁转换屏的制备方法。本发明利用水热反应法制备ZnO:Ga纳米晶或微米晶，然后通过与PMMA的结合，制备ZnO:Ga‑PMMA聚合物闪烁体，然后利用线切割机闪烁体切割成薄片闪烁转换屏，即可克服ZnO:Ga自身的自吸收问题，并再加以抛光，获得ZnO:Ga‑PMMA聚合物闪烁转换屏。ZnO:Ga‑PMMA聚合物闪烁转换屏不仅制备过程简单、成本低廉、制备周期短，而且具有良好的闪烁发光性能以及能制备出各种尺寸和不同厚度的闪烁转换屏的优势。本发明具有很高的推广应用价值，创造经济价值的潜力巨大。
一种 zno ga pmma 聚合物闪烁转换制备方法

[发明专利]ZnO-Ga聚合物闪烁转换屏的制备方法-CN201910821155.4有效
发明人： 李乾利;杨道龙;张志军;赵景泰;杨云凌;袁瑞;杨雪纯;周玉 -专利权人：上海大学
申请日： 2019-09-02 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： G21K4/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种ZnO‑Ga聚合物闪烁转换屏的制备方法，能制备超快ZnO‑Ga闪烁转换屏。本发明利用水热反应法制备ZnO‑Ga纳米晶，然后主要采用树脂、聚苯乙烯或有机玻璃作为有机体材料，使ZnO‑Ga纳米晶通过与有机体材料的结合，制备ZnO‑Ga聚合物闪烁体。利用本发明方法获得ZnO‑Ga闪烁体没有缺陷发光，慢成分，发光衰减时间在几十纳秒，只有禁带边超快发光，其发光衰减时间达到亚纳秒。同时，其厚度和直径尺寸能根据实际需要方便调控，适应性强，应用广泛。本发明方法不仅制备过程简单、成本低廉、制备周期短，而且具有良好的闪烁发光性能以及能制备出各种尺寸和不同厚度的闪烁转换屏的优势。
zno ga 聚合物闪烁转换制备方法

[发明专利]像素化结构ZnO:Ga单晶纳米棒阵列α粒子闪烁转换屏及其制备方法和应用-CN201910682302.4有效
发明人：刘小林;李乾利;郝书童;顾牡 -专利权人：同济大学
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种像素化结构ZnO:Ga单晶纳米棒阵列α粒子闪烁转换屏及其制备方法和应用，该α粒子闪烁转换屏包括镀有ZnO种子层薄膜的基片、垂直于基片在ZnO种子层薄膜上生长出的ZnO:Ga单晶纳米棒阵列和蒸镀于ZnO:Ga单晶纳米棒阵列上的铝膜，ZnO:Ga单晶纳米棒阵列的ZnO的晶格中掺杂有氢原子；可应用于高空间和时间分辨率、高信噪比的α粒子探测与成像，尤其是氘氚反应快中子伴随α粒子探测与成像的探测器中。与现有技术相比，本发明的α粒子闪烁转换屏具有发光衰减时间快，空间分辨率高，信噪比高，组份稳定、厚度均匀，附着基底牢固，结构简单、易制备且成本低等优点。
像素结构 zno ga 纳米阵列粒子闪烁转换及其制备方法应用

[发明专利]ZnO:Ga单晶纳米棒阵列X射线闪烁转换屏及其制备方法和应用-CN201711165986.8有效
发明人：刘小林;李乾利;顾牡;张娟楠;黄世明;刘思;胡亚华;李锋锐 -专利权人：同济大学
申请日： 2017-11-21 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种ZnO:Ga单晶纳米棒阵列X射线闪烁转换屏及其制备方法和应用，本发明利用射频反应磁控溅射在基片上制备ZnO种子层薄膜，然后利用低温水热法在基片上形成ZnO:Ga单晶纳米棒阵列，再通过氢气退火处理制得ZnO:Ga单晶纳米棒阵列X射线闪烁转换屏。与现有技术相比，本发明的ZnO:Ga单晶纳米棒阵列组分稳定、厚度均匀、无开裂，附着于基底十分牢固，闪烁发光性能优异，制得的ZnO:Ga单晶纳米棒阵列X射线闪烁转换屏可应用于高空间分辨率和高时间分辨率数字X射线成像。
zno ga 纳米阵列射线闪烁转换及其制备方法应用

[发明专利]宽光谱多糖碳量子点的制备方法及其应用-CN201910821135.7在审
发明人：杨雪纯;张志军;杨云凌;赵景泰;李乾利 -专利权人：上海大学
申请日： 2019-09-02 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： C09K11/65 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽光谱多糖碳量子点的制备方法及其应用，碳量子点是由天然多糖及其衍生物经烧结法制备而成，保留了前驱体主要的官能团，光谱范围从可见光区延伸到红外区，生物相容性极好，对外界环境敏感。将碳点水溶液加入到含有多价重金属离子水中，碳量子点与金属离子发生交联，形成水凝胶，发生荧光猝灭。收集碳量子点水凝胶，加入酸性或碱性水溶液，可形成金属盐沉淀，碳量子点水凝胶分解，碳量子点重新均匀分散到水中，形成碳量子点水溶液，荧光恢复。明显的荧光变化，用于对水中多价重金属离子的检测；可逆碳量子点水凝胶又可用于提取水中多种重金属离子。本发明产品制备设备简单，重复率高，成本低，无毒无害，可重复使用，易于推广。
量子点水中重金属离子凝胶量子碱性水溶液金属盐沉淀生物相容性产品制备环境敏感金属离子可见光区烧结法制天然多糖无毒无害荧光变化荧光恢复红外区可重复宽光谱前驱体水凝胶重复率可逆荧光光谱交联可用制备猝灭分解检测延伸保留应用

[发明专利]一种基于半导体量子点自组装的光学谐振腔及其制备方法-CN201910485951.5在审
发明人：张志军;常浩;赵景泰;李乾利 -专利权人：上海大学
申请日： 2019-06-05 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H01S5/10 文献下载
摘要：本发明提供一种基于半导体量子点自组装的光学谐振腔及其制备方法，该光学谐振腔是由CdSe量子点自组装而成的球状结构。本发明的光学谐振腔可同时作为谐振腔和增益介质使用，是实现单模激光的理想材料。
光学谐振腔自组装半导体量子点制备单模激光理想材料球状结构增益介质谐振腔

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