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[发明专利]具有多种稳态液动力补偿机制的高精度电液比例溢流阀-CN202111618362.3有效
发明人：杨庆俊;李丛飞;柳虎;刘玉栋;董日治;毛奇 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： F16K17/10 文献下载
摘要：具有多种稳态液动力补偿机制的高精度电液比例溢流阀，属于溢流阀技术领域。该比例溢流阀作频带宽、对稳态液动力补偿较大、结构紧凑、可靠性强。在阀套上开设两圈出油孔一，主阀芯在油液和主弹簧的作用下依次开启或关闭两圈出油孔一，且主阀芯最大开度维持在位于后排的出油孔一圆心处，先导阀芯在副弹簧的作用下抵触在弹簧腔的内腔后端上，主阀芯和弹簧腔均设有前后贯通的内腔，用于将油液传递到先导阀芯，弹簧腔上开设有出油孔二，先导阀芯在油液和副弹簧的开启和关闭出油孔二。本发明减小溢流时的射流角且减小射流过流面积，进而有效减小稳态流动时的液动力；主阀芯有导流结构，可大大降低油液流动时射流的轴向速度，降低稳态液动力。
具有多种稳态动力补偿机制高精度比例溢流

[发明专利]一种补偿稳态液动力的多级主压逻辑控制阀-CN202210307477.9有效
发明人：杨庆俊;张震阳;刘宇;柳虎;袁钲博;李丛飞;杨尚儒 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： F15B13/02 文献下载
摘要：一种补偿稳态液动力的多级主压逻辑控制阀，属于工程机械流体控制元件领域。主阀芯设置在阀体主阀芯孔内，主阀芯通过主阀芯弹簧与导杆连接，密封栓安装在阀体尾部；阀体主阀芯孔尾部与密封栓凹槽、主阀芯凹槽之间形成尾腔；主阀芯液动力补偿台肩补偿主阀芯稳态液动力；端盖块安装在阀体头部；阀体的进油腔压力作用在主阀芯一级压力控制截面上；二级压力控制腔通过逻辑或控制与阀体进油腔接通，对主阀芯二级压力控制截面施加力的作用，实现二级主压控制；三级压力控制腔通过逻辑与控制与进油腔接通，对主阀芯三级压力控制截面施加力的作用，实现三级主压控制。本发明压力控制截面阶梯分布实现多级主压调节，利用反馈压力实现多级主压自主逻辑控制。
一种补偿稳态动力多级逻辑控制

[发明专利]一种适用于有背压工况补偿液动力的溢流阀-CN202011561664.7有效
发明人：杨庆俊;李丛飞;毛奇;罗宁波;刘钰栋;姜宏暄;罗小梅;吕庆军 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： F15B13/02 文献下载
摘要：一种适用于有背压工况补偿液动力的溢流阀，属于航空航天伺服系统技术领域。所述阀体上设有入口A、出口B、溢流口C和卸油口D，阀体和阀芯之间形成腔室e、油腔f和弹簧腔g，所述溢流口C与油腔f连通，阀芯和阀体在油腔f的入口端设有阀口，在阀芯靠近阀口处设有凸缘结构。本发明阀芯采用的阶梯式设计、中空设计、并联双弹簧设计等使得阀的结构紧凑，具有大推重比。通过在阀芯上开设阻尼孔，在阀芯回撤过程中及时进行补油，有效消除了阀芯“卡顿”现象。通过合理匹配阀芯阻尼孔和回油口阻尼孔的节流面积，有效消除了溢流口背压对阀芯平衡的不良影响。
一种适用于有背压工况补偿动力溢流

[发明专利]一种对RRAM器件的脉冲参数进行测试的电路-CN201310491719.5有效
发明人：龙世兵;王国明;张美芸;李阳;王明;许晓欣;刘若愚;李丛飞;刘红涛;孙鹏霄;吕杭炳;刘琦;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2013-10-18 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种对RRAM器件的脉冲参数进行测试的电路，包括半导体参数分析仪、脉冲源、探针平台和双通道示波器，半导体参数分析仪作为控制平台，同时连接于探针台和脉冲源，并通过配置脉冲源参数控制脉冲源的波形；示波器是当脉冲源向待测RRAM器件发出脉冲时，捕获脉冲图形；示波器具有第一通道和第二通道，第一通道具有第一内阻R1，第二通道具有第二内阻R2，待测RRAM器件与示波器第二通道的第二内阻R2串联，脉冲源与待测RRAM器件连接，示波器的第一通道并联连接于待测RRAM器件与第二内阻R2的串联支路。利用本发明，解决了RRAM器件在脉冲测试过程中不能限流的问题，使RRAM器件在脉冲测试时得到稳定的脉冲测试电压，而不会因编程或擦除后影响整个电路的稳定。
一种 rram 器件脉冲参数进行测试电路

[发明专利]一种制备纳米器件的方法-CN201310491769.3有效
发明人：龙世兵;张美芸;王国明;李阳;王明;许晓欣;刘若愚;李丛飞;刘红涛;孙鹏霄;刘琦;吕杭炳;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2013-10-18 - 公布日： 2014-01-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备纳米器件的方法，包括：在绝缘衬底上沉积一层金属薄膜，形成粘附层；在金属薄膜上沉积一层金属薄膜，形成金属下电极；在金属下电极上沉积一层氧化物材料；在氧化物材料上沉积一层金属薄膜，形成金属上电极；在金属上电极与金属下电极上加电压进行电压扫描，在氧化物材料中形成导电细丝，器件处于低阻态；在金属上电极与金属下电极上重新加相同方向或者反方向电压进行电压扫描，使氧化物材料中的导电细丝逐渐变细直至断裂，器件由低阻态向高阻态转化，器件在低阻态与高阻态之间存在一个中间态，选择合适的停止电压，使器件的中间态处于量子电导附近，形成纳米器件。利用本发明，简化了制备工艺、提高了与传统CMOS工艺的兼容性。
一种制备纳米器件方法