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本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]显示装置-CN200910151461.8有效
发明人：崔允硕;李世薰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2009-07-21 - 公布日： 2010-03-03 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有提高的显示品质的显示装置及其驱动方法。所述显示装置包括：显示面板，包括多个抖动块，所述多个抖动块显示与抖动图像信号对应的图像；图像信号控制器，通过利用抖动模式生成所述抖动图像信号，所述抖动模式从包括在每个抖动块中的多个像素中确定将要抖动的多个抖动像素，其中，每个抖动块包括多个像素，所述多个像素的对应的极性每一帧转换一次，并相应地驱动多个像素，每个抖动块包括相等数量的正极性抖动像素和负极性抖动像素。
显示装置

[发明专利]包括驱动晶体管的半导体装置-CN200910140192.5有效
发明人： 李世薰;李忠浩;崔晶东;金泰瑢;金宇中;张桐熏;尹永培;金基玄;刘民胎 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2009-07-10 - 公布日： 2010-01-13 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本发明提供一种包括驱动晶体管的半导体装置。一种半导体装置包括在衬底中限定的驱动有源区和在该驱动有源区处设置的至少三个驱动晶体管。所述驱动晶体管共享一个公共源极/漏极，并且每个驱动晶体管包括相互独立的单独源极/漏极。所述公共源极/漏极和单独源极/漏极被设置在驱动有源区中。
包括驱动晶体管半导体装置

[发明专利]包括浮栅的非易失性半导体器件、制造非易失性半导体器件的方法及相关系统-CN200810008714.1有效
发明人： 李世薰;崔晶东;张桐熏;李钟振 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-01-24 - 公布日： 2008-11-05 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：一种存储器件包括衬底中的相邻隔离层之间的衬底上的第一浮栅电极，该第一浮栅电极的至少一部分在相邻隔离层的一部分上面突出；第二浮栅电极，在相邻隔离层的至少一个上，电连接到第一浮栅电极；该第一和第二浮栅电极上方的介电层；以及该介电层及第一和第二浮栅电极上方的控制栅。
包括非易失性半导体器件制造方法相关系统

[发明专利]半导体存储器件、其制造方法以及采用该半导体存储器件的装置-CN200810004460.6无效
发明人：曹秉奎;李世薰;朴奎燦;李忠浩 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-01-30 - 公布日： 2008-10-01 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：在一个实施例中，半导体存储器件包括具有突起部分的半导体衬底、在至少一个突起的半导体衬底部分上面形成的隧穿绝缘层以及设置在该隧穿绝缘层上面的浮栅结构。浮栅结构的上部宽于浮栅结构的下部，并且浮栅结构的下部宽度小于隧穿绝缘层的宽度。第一绝缘层部分形成在半导体衬底中并从半导体衬底突起，以使浮栅结构设置在突起的第一绝缘层部分之间。介电层形成在第一绝缘层部分和浮栅结构上方，且控制栅形成在介电层上方。
半导体存储器件制造方法以及采用装置

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共 4 条

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