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[发明专利]介电陶瓷组合物及具有该组合物的多层陶瓷电容器-CN201510405411.3有效
发明人：姜晟馨;许康宪;权祥勋;赵俊烨;金相赫 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2010-11-01 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： C04B35/49 文献下载
摘要：本发明提供了一种介电陶瓷组合物及利用该组合物的多层陶瓷电容器。该介电陶瓷组合物包括由组合物式Ba_m(Ti_1‑xZr_x)O₃表示的基粉及第一附加组分至第五附加组分，其中，0.995≤m≤1.010且0
陶瓷组合具有多层电容器

[发明专利]多层陶瓷电子元件及其制造方法-CN201810166661.X在审
发明人：具贤熙;朴明俊;李圭夏;崔多荣;朴财莹;权祥勋;全炳俊 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2012-09-28 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： H01G4/005 文献下载
摘要：本发明提供了一种多层陶瓷电子元件及其制造方法，该多层陶瓷电子元件包括：陶瓷体，该陶瓷体包括介电层；多个内电极，该多个内电极在陶瓷体内相互相对地设置，并且使介电层插入内电极之间；以及外电极，该外电极与多个内电极电连接，其中，陶瓷体包括活性层和覆盖层，该活性层与电容形成部相对应，该覆盖层形成在活性层的上表面和下表面中的至少一者上并且与非电容形成部相对应，覆盖层C的平均厚度为小于或等于15μm，外电极包括导电金属和玻璃，并且当外电极被玻璃占据的面积为A，外电极被导电金属占据的面积为B时，满足0.05≤A/B≤0.6。
外电极内电极多层陶瓷电子元件覆盖层活性层陶瓷体电容形成部导电金属介电层玻璃占据电连接上表面下表面与非制造陶瓷体内

[发明专利]层压式陶瓷电子元件及其制造方法-CN201210532183.2有效
发明人：尹硕晛;李炳华;金昶勋;权祥勋 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2012-12-11 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： H01G4/30 文献下载
摘要：本发明提供一种层压式陶瓷电子元件及其制造方法。所述层压式陶瓷电子元件包括陶瓷本体，该陶瓷本体包括电介质层；以及第一内电极和第二内电极，第一内电极和第二内电极彼此相对设置，在陶瓷本体中电介质层插入第一内电极和第二内电极之间；其中，陶瓷本体包括活性层，该活性层是电容形成部分；以及覆盖层，该覆盖层是非电容形成部分，该覆盖层形成在活性层的顶面和底面中的至少一者上；并且，当陶瓷本体的厚度为t而覆盖层的厚度为T时，满足T≤t×0.05；当活性层中的电介质颗粒的平均粒径为Da而覆盖层中的电介质颗粒的平均粒径为Dc时，满足0.7≤Dc/Da≤1.5。
层压陶瓷电子元件及其制造方法

[发明专利]多层陶瓷电子元件及其制造方法-CN201210370817.9在审
发明人：具贤熙;朴明俊;李圭夏;崔多荣;朴财莹;权祥勋;全炳俊 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2012-09-28 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： H01G4/005 文献下载
摘要：本发明提供了一种多层陶瓷电子元件，该多层陶瓷电子元件包括：陶瓷体，该陶瓷体包括介电层；多个内电极，该多个内电极在陶瓷体内相互相对地设置，并且使介电层插入内电极之间；以及外电极，该外电极与多个内电极电连接，其中，陶瓷体包括活性层和覆盖层，该活性层与电容形成部相对应，该覆盖层形成在活性层的上表面和下表面中的至少一者上并且与非电容形成部相对应，覆盖层C的平均厚度为小于或等于15μm，外电极包括导电金属和玻璃，并且当外电极被玻璃占据的面积为A，外电极被导电金属占据的面积为B时，满足0.05≤A/B≤0.6。
多层陶瓷电子元件及其制造方法

[发明专利]多层陶瓷电子元件-CN201210370719.5在审
发明人：具贤熙;朴明俊;李圭夏;崔多荣;朴财莹;权祥勋;全炳俊 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2012-09-28 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： H01G4/30 文献下载
摘要：提供一种多层陶瓷电子元件，该多层陶瓷电子元件包括：陶瓷体，该陶瓷体包括介电层；多个内电极，该多个内电极彼此相对地设置在陶瓷体内并使介电层插入内电极之间；以及外电极，该外电极与多个内电极电连接，其中，陶瓷体包括活性层和覆盖层，活性层对应于电容形成部，覆盖层形成在活性层的上表面和下表面中的至少一者上并对应于非电容形成部，在陶瓷体的宽度方向的中间部分沿长度和厚度方向截取的陶瓷体的横截面中，覆盖层的平均厚度为小于或等于15μm，外电极包括导电金属和玻璃部，并且当玻璃部的沿外电极的长度方向的平均长度为Ls时，满足Ls≤10μm。
多层陶瓷电子元件

[发明专利]多层陶瓷电子元件及其制造方法-CN201210438932.5有效
发明人：金孝政;尹硕晛;金昶勋;李炳华;权祥勋 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2012-11-06 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：提供了一种多层陶瓷电子元件及其制造方法。本发明中，覆盖区域内的陶瓷颗粒的平均直径DC小于工作区域内的陶瓷颗粒的平均直径Da，并且当所述覆盖区域的厚度表示为TC时，满足9μm≤TC≤25μm和TC/DC≥55。可以得到一种具有优良的耐湿性能的多层陶瓷电容器。
多层陶瓷电子元件及其制造方法

[发明专利]多层陶瓷电子元件及其制造方法-CN201210212043.7无效
发明人：黄锡俊;金帝中;崔才烈;权祥勋 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2012-06-21 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01G4/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种多层陶瓷电子元件，该多层陶瓷电子元件包括：具有多个层压在其中的介电层的陶瓷元件；以及在所述陶瓷元件内形成的第一和第二内部电极，其中，所述第一和第二内部电极含有80-99.9重量%的铜（Cu）和0.1-20重量%的镍（Ni），并且为此频率为1000MHz或更低。该多层陶瓷电子元件通过加入非常小量的镍（Ni）到铜（Cu）中，使得内部电极的电阻率（ρ）改变，从而实现等效串联电阻（ESR）居于使用钯的内部电极的情况时的ESR和使用铜的内部电极的情况是的ESR之间的中间范围，同时相比于具有相同电容量的多层陶瓷电子元件，扩大了质量因子（Q）选择的范围。
多层陶瓷电子元件及其制造方法

[发明专利]电介质组合物以及包括该组合物的陶瓷电子元件-CN201210399269.2有效
发明人：姜晟馨;崔斗源;宋旻星;权祥勋;金昶勋;李炳华 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2012-10-19 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明提供了一种电介质组合物，该电介质组合物包括：含有BamTiO3（0.995≤m≤1.010）的基础粉末；以100摩尔的基础粉末为基准，含有0.05-4.00摩尔的至少含有一种稀土元素的氧化物或碳酸盐的第一副组分；以100摩尔的基础粉末为基准，含有0.05-0.70摩尔的至少含有一种过渡金属的氧化物或碳酸盐的第二副组分；以100摩尔的基础粉末为基准，含有0.20-2.00摩尔的Si氧化物的第三副组分；以100摩尔的基础粉末为基准，含有0.20-1.00摩尔的Al氧化物的第四副组分；以及以第三副组分为基准，含有20-140%的至少含有Ba和Ca中的一种的氧化物的第五副组分。含有本发明电介质组合物的介电层与现有技术公知的介电层具有相同的电容，却没有降低该介电层的厚度，从而确保了该介电层的可靠性。
电介质组合以及包括陶瓷电子元件

[发明专利]多层陶瓷电子元件的制造方法-CN201210211278.4无效
发明人：金炫兑;金承壕;崔钟佑;小野雅章;权祥勋 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2012-06-21 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01G4/30 文献下载
摘要：本发明提供一种多层陶瓷电子元件的制造方法，该方法包括：制备片形陶瓷烧结体；在所述陶瓷烧结体的外表面形成第一外部电极；在所述第一外部电极上形成含有至少一种导电金属的第二外部电极；以及通过使用含有至少一种金属的焊锡膏到所述第二外部电极来形成金属涂层。本发明还提供另一种多层陶瓷电子元件的制造方法。根据本发明实施方式的多层陶瓷电子元件的制造方法包括在外部电极上形成铜（Cu）或镍（Ni）镀层，从而防止电镀液的渗透或由铜（Cu）形成的外部电极的淋溶，因此，可以制造出具有良好可靠性的多层陶瓷电子元件。
多层陶瓷电子元件制造方法

[发明专利]多层陶瓷电子元件及其制备方法-CN201210269043.0无效
发明人：朴明俊;权祥勋;朴财莹;李圭夏;全炳俊;崔多荣;具贤熙;金昶勋 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2012-07-30 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01G4/005 文献下载
摘要：本发明提供了一种多层陶瓷电子元件及其制备方法。所述多层陶瓷电子元件包括：包括电介质层的陶瓷主体；在陶瓷主体中彼此相对设置的第一内部电极和第二内部电极；以及第一外部电极和第二外部电极，其中，所述第一外部电极和第二外部电极包括导电金属和玻璃，且当第一外部电极和第二外部电极中的至少一个在厚度方向上被分成三个相等的部分时，三个相等的部分的中间部分中玻璃的面积占中间部分总面积的35%-80%。本发明能够获得通过提高芯片气密性而具有增强的可靠性的多层陶瓷电子元件。
多层陶瓷电子元件及其制备方法

[发明专利]多层陶瓷电子元件及其制备方法-CN201210028553.9在审
发明人：孙圣范;权祥勋;洪旻熙;金辉荣;许康宪 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2012-02-09 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： H01G4/30 文献下载
摘要：在此提供了一种多层陶瓷电子元件及其制备方法。所述多层陶瓷电子元件包括：活性层，其中由含有平均颗粒尺寸为100-300nm的陶瓷粉的电介质组合物形成的电介质层和内部电极层交替堆叠；形成于活性层顶面和底面至少一面上且由含有与所述活性层的陶瓷粉相同的陶瓷粉的电介质组合物制得的覆盖层，所述陶瓷粉的平均颗粒尺寸为50-250nm；以及与内部电极层电连接的外部电极。根据本发明实施方式的多层陶瓷电子元件同时烧制至均匀烧结以减少烧结收缩不匹配，从而增强可靠性。
多层陶瓷电子元件及其制备方法

[发明专利]具有高介电常数的介电组合物、包括其的多层陶瓷电容器、和多层陶瓷电容器的制备方法-CN201110350166.2无效
发明人：姜晟馨;宋旻星;崔斗源;权祥勋;金昶勋;许康宪 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2011-11-08 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C04B35/49 文献下载
摘要：本发明公开了具有高介电常数的介电组合物、包括其的多层陶瓷电容器、和多层陶瓷电容器的制备方法。该介电组合物包括：作为主要组分的由通式(Ba1-xCax)m(Ti1-yZry)O3(0.995≤m≤1.010，0.001≤x≤0.10，0.001≤y≤0.20)表示的化合物；作为第一次要组分的铝氧化物；作为第二次要组分的选自由Mg、Sr、Ba、Ca、和Zr组成的组中的至少一种金属及其盐；作为第三次要组分的选自由Sc、Y、La、Ac、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、和Lu组成的组中的至少一种金属及其盐；作为第四次要组分的选自由Cr、Mo、W、Mn、Fe、Co、和Ni组成的组中的至少一种金属及其盐；以及选自含有Si的玻璃形成化合物的第五次要组分。该介电组合物满足在EIA规范中定义的Y5V或X5R特性。
具有介电常数组合包括多层陶瓷电容器制备方法

[发明专利]端电极的导电膏组合物、多层陶瓷电容器及其制造方法-CN201110153440.7无效
发明人：许康宪;金昶勋;孙圣范;金智淑;具贤熙;尹根政;李圭夏;权祥勋;朴明俊 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2011-05-31 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01B1/16 文献下载
摘要：本公开提供了一种端电极的导电膏组合物、多层陶瓷电容器及其制造方法。用于端电极的导电膏组合物包括导电金属粉末和由下式表示的玻璃料：aSiO2-bB2O3-cAl2O3-dTMxOy-eR12O-fR2O，TM是从由锌(Zn)、钛(Ti)、铜(Cu)、钒(V)、锰(Mn)、铁(Fe)和镍(Ni)组成的组中选择的过渡金属，R1从由锂、钠和钾组成的组中选择，R2从由镁、钙、锶和钡组成的组中选择，x和y均大于0，a的范围从15mol％至70mol％，b的范围从15mol％至45mol％，c的范围从1mol％至10mol％，d的范围从1mol％至50mol％，e的范围从2mol％至30mol％，f的范围从5mol％至40mol％。用于端电极的导电膏组合物包含具有提高了的对镀覆溶液的耐腐蚀性的玻璃料组分，因此有效地防止了镀覆溶液的渗入并提高了芯片可靠性。
电极导电组合多层陶瓷电容器及其制造方法

[发明专利]硫包被的金属粉末、内电极用糊膏和使用所述糊膏的层压陶瓷电子部件及其制造方法-CN201110062253.8无效
发明人：金孝燮;宋橓模;金建佑;许康宪;权祥勋 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2011-03-11 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01B1/02 文献下载
摘要：本发明涉及硫包被的金属粉末、内电极用糊膏和使用所述糊膏的层压陶瓷电子部件及其制造方法。本发明公开了一种制造层压陶瓷电子部件的方法以及使用所述方法制造的层压陶瓷电子部件。制备硫包被的镍粉末的方法包括：将硫化合物与金属粉末混合；由混合物制备硫-金属前体；以及通过在高温下使所述硫-金属前体反应而将所述硫包被在所述金属上。在所述硫包被的镍粉末中，确保了收缩抑制，所述镍粉末可以容易地作为粒子来制备，并且可以容易地控制包被的硫的含量，从而确保均匀性。
包被金属粉末电极用糊膏使用述糊膏层压陶瓷电子部件及其制造方法

[发明专利]介电陶瓷组合物及具有该组合物的多层陶瓷电容器-CN201010535363.7无效
发明人：姜晟馨;许康宪;权祥勋;赵俊烨;金相赫 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2010-11-01 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： C04B35/491 文献下载
摘要：本发明提供了一种介电陶瓷组合物及利用该组合物的多层陶瓷电容器。该介电陶瓷组合物包括由组合物式Bam(Ti1-xZrx)O3表示的基粉及第一附加组分至第五附加组分，其中，0.995≤m≤1.010且0＜x≤0.10。具有该介电陶瓷附加组分的多层陶瓷电容器具有高介电常数及优异的高温可靠性。
陶瓷组合具有多层电容器

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