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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件-CN201810730781.8有效
发明人：金钟旭;朴正熙;朴盛健;朴淳五;李政武 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-07-05 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10B63/10 文献下载
摘要：一种半导体器件包括第一存储单元、第二存储单元、第一盖膜和第二盖膜。第一存储单元包括在第一相变存储器上的第一双向阈值开关(OTS)。第二存储单元包括在第二相变存储器上的第二OTS。第一盖膜在第一存储单元和第二存储单元的侧表面上。第二盖膜在第一盖膜上并填充第一存储单元与第二存储单元之间的空间。
半导体器件

[发明专利]磁隧道结器件和包括其的存储设备-CN202211510412.0在审
发明人：金洸奭;金基雄;柳淀春;朴盛健 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：提供磁隧道结器件和包括其的存储设备，所述磁隧道结器件具有相对高的隧穿磁阻(TMR)率。所述磁隧道结器件包括：具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面的钉扎层；与所述钉扎层的第一表面接触地设置的晶种层；设置成面对所述钉扎层的第二表面的自由层；以及设置在所述钉扎层和所述自由层之间的隧道势垒层，其中所述晶种层包括面对所述钉扎层的第一表面的第一晶种层以及在所述第一晶种层和所述钉扎层之间的第二晶种层，所述第一晶种层包括CoFeX且不包括硼(B)，并且X包括选自铌(Nb)、钼(Mo)、钨(W)、铬(Cr)、锆(Zr)、和铪(Hf)的至少一种元素。所述晶种层可不包括硼，且所述第二晶种层包括非晶钽(Ta)。
隧道器件包括存储设备

[发明专利]磁阻随机存取存储器设备-CN202211337887.4在审
发明人：朴钟善;张闰皓;朴盛健 -专利权人：三星电子株式会社;高丽大学校产学协力团
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：一种半导体存储器设备包括：第一字线和第二字线、位线、源极线和存储器单元。存储器单元包括：自旋轨道矩(SOT)图案，其第一端电性耦接到源极线；磁隧道结图案，其邻近SOT图案延伸；读取晶体管，其具有电性耦接到磁隧道结图案的第一端的第一载流端、电性耦接到位线的第二载流端和电性耦接到第一字线的栅极端。存储器单元还包括：写入晶体管，其具有电性耦接到SOT图案的第二端的第一载流端、电性耦接到磁隧道结图案的第一端的第二载流端和电性耦接到第二字线的栅极端。
磁阻随机存取存储器设备

[发明专利]形成具有阈值开关器件的半导体器件的方法-CN201710657323.1有效
发明人：梁民圭;朴盛健;成东俊;安东浩;李政武;崔雪;堀井秀树 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-08-03 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种形成包括存储单元阵列的半导体器件的方法，该方法可以包括对存储阵列的一个或更多个存储单元执行开关烧制操作从而导致与存储单元中的阈值开关器件相关的阈值电压分布被减小。开关器件烧制操作可以被执行使得阈值电压分布被减小同时保持所述一个或更多个阈值开关器件处于非晶态。对阈值开关器件执行开关器件烧制操作可以包括加热阈值开关器件、施加电压到阈值开关器件、施加电流到阈值开关器件、其一些组合等等。
形成具有阈值开关器件半导体器件方法

[发明专利]磁隧道结器件和包括该磁隧道结器件的存储器件-CN202210781501.2在审
发明人：金洸奭;朴盛健;金基雄;长谷直基 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：提供了在不降低或增加数据保持力的情况下具有快的操作速度的磁隧道结器件和/或包括该磁隧道结器件的存储器件。该磁隧道结器件包括：自由层，具有第一表面和与第一表面相反的第二表面；被钉扎层，面对自由层的第一表面；第一氧化物层，在被钉扎层和自由层之间；以及第二氧化物层，在自由层的第二表面上。自由层包括与第一氧化物层相邻的第一自由层和与第二氧化物层相邻的第二自由层。第一自由层包括未掺非磁性金属的磁性材料，第二自由层包括掺有非磁性金属的磁性材料。
隧道器件包括存储

[发明专利]磁隧道结器件和包括其的存储设备-CN202210831349.4在审
发明人：金洸奭;朴盛健;李昇宰;长谷直基 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H10N50/85 文献下载
摘要：提供磁隧道结器件和包括其的存储设备，所述磁隧道结器件具有更稳定的垂直磁各向异性(PMA)和/或提高的运行速度。所述磁隧道结器件包括：具有第一表面以及与所述第一表面相反的第二表面的自由层；面对所述自由层的第一表面的钉扎层；在所述钉扎层和所述自由层之间的第一氧化物层；和在所述自由层的第二表面上的第二氧化物层。所述自由层包括掺杂有非磁性金属X的磁性材料。所述第二氧化物层包括作为金属Z的氧化物的ZOx。金属Z的氧亲和力大于非磁性金属X的氧亲和力。
隧道器件包括存储设备

[发明专利]磁隧道结器件和其制造方法、存储器件和电子系统-CN202210209054.3在审
发明人：金洸奭;朴盛健;长谷直基;李昇宰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：提供了磁隧道结器件和其制造方法、包括该磁隧道结器件的存储器件和电子系统。该磁隧道结器件包括：第一磁性层；设置为面对第一磁性层的第二磁性层；以及设置在第一磁性层和第二磁性层之间并包括金属氧化物的第一氧化物层，其中第一氧化物层的金属氧化物具有按化学计量地缺氧组成，以及其中第二磁性层包括掺有金属元素的磁性材料。
隧道器件制造方法存储电子系统

[发明专利]可变电阻存储器件-CN201710631798.3有效
发明人：崔雪;堀井秀树;安东浩;朴盛健;成东俊;梁民圭;李政武 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-07-28 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本公开涉及可变电阻存储器件。一种可变电阻存储器件可以包括：第一电极层；在第一电极层上的选择器件层，该选择器件层包括基本上由锗(Ge)、硒(Se)和锑(Sb)组成的硫属元素化物开关材料，其中基于原子百分比，Ge的含量小于Se的含量；在选择器件层上的第二电极层；在第二电极层上的可变电阻层，可变电阻层包括硫属元素化物材料；以及在可变电阻层上的第三电极层。
可变电阻存储器件

[发明专利]可变电阻存储器件及其制造方法-CN201710679593.2有效
发明人：堀井秀树;朴盛健;安东浩;李政武 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-08-10 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种可变电阻存储器件及其制造方法，其中该可变电阻存储器件包括位于基板之上的第一导电线。每个第一导电线在第一方向上延伸并且第一导电线设置在第二方向上。每个第二导电线在第二方向上延伸并且第二导电线在第一方向上设置。第二导电线位于第一导电线之上。存储单元位于第一导电线和第二导电线之间。存储单元在第三方向上交叠第一导电线和第二导电线。存储单元包括第一电极、位于第一电极上的可变电阻图案以及位于可变电阻图案上的第二电极。选择图案位于每个存储单元上。第三电极位于选择图案之上。第三电极与每个第二导电线的下表面直接接触。
可变电阻存储器件及其制造方法

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