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[发明专利]具有垂直结构的非易失性存储装置及包括其的存储系统-CN201811415432.3有效
发明人：任琫淳;金真怜;沈相元;朴一汉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-11-26 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G11C11/34 文献下载
摘要：一种非易失性存储装置，包括：第一半导体层，其包括字线、位线、彼此相邻的第一上基板和第二上基板、以及存储单元阵列，其中存储单元阵列包括在第一上基板上的第一垂直结构和在第二上基板上的第二垂直结构；以及在第一半导体层下方的第二半导体层，其中第二半导体层包括下基板，该下基板包括行解码器电路和页缓冲器电路，其中第一垂直结构包括第一通路区域，第一通孔通路提供在第一通路区域中，其中第一通孔通路穿过第一垂直结构并连接第一位线和第一页缓冲器电路，并且第二垂直结构包括第一部分块，其中第一部分块重叠第一通路区域。
具有垂直结构非易失性存储装置包括存储系统

[发明专利]存储装置和存储系统-CN201710096000.X有效
发明人：林惠镇;李承宰;朴一汉;李康斌 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-02-22 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：提供了存储装置和存储系统。所述存储装置包括：存储单元阵列，包括多个存储单元；计数电路，配置为通过对从所述多个存储单元读取的数据执行计数操作获得计数结果；以及控制逻辑，配置为在不涉及存储控制器的情况下基于计数结果执行数据恢复操作。
存储装置存储系统

[发明专利]非易失性存储器设备-CN201710740518.2有效
发明人：金志锡;朴一汉;朴世桓 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-08-25 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：一种非易失性存储器设备，包括：包括存储器单元串的存储器单元阵列，所述存储器单元串包括接地选择晶体管和多个串联连接的非易失性存储器单元；连接到接地选择晶体管的接地选择线和连接到多个存储器单元的多个字线；被配置为生成施加到多个字线的编程验证电压和读取电压的电压生成器；以及被配置为基于编程验证温度偏移来控制对编程验证电压的补偿并且基于读取温度偏移来控制对读取电压的补偿的控制电路。
非易失性存储器设备

[发明专利]存储装置及其操作方法-CN202211310177.2在审
发明人：宋沅钟;金斗铉;金栒永;朴一汉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：公开了存储装置及其操作方法。所述存储装置包括：存储控制器，在所述存储装置中执行热处理之前接收保护命令，并且通过将保护电压编程在收敛区域中来生成保护图案，在收敛区域，在所述存储装置被执行热处理之后，所述存储装置中的存储器单元的阈值电压分布收敛。
存储装置及其操作方法

[发明专利]非易失性存储器设备及其擦除方法-CN202211424269.3在审
发明人：朴正珉;金珉奭;朴准镛;金水龙;朴一汉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-11-14 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：一种非易失性存储器设备，包括：在垂直方向上的多个单元串，多个单元串中的每一个包括分别连接到多条字线的多个存储器单元，以及擦除控制晶体管，其具有连接到多个存储器单元的两端中的至少一个的第一端和连接到多个单元串中的每一个的两端中的至少一个的第二端，以及行解码器，被配置为在其中施加到擦除控制晶体管的第二端的擦除电压增加到目标电平的第一时段中向多条字线施加第一偏置电压，并且在第一时段之后的第二时段中向多条字线中的至少一些字线施加高于第一偏置电压的第二偏置电压。
非易失性存储器设备及其擦除方法

[发明专利]用于提高编程操作的速度的存储器设备及其操作方法-CN202211375167.7在审
发明人：朴准镛;金珉奭;金志秀;朴一汉;金斗铉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G11C16/12 文献下载
摘要：提供了一种用于提高编程操作的速度的存储器设备及其操作方法。该存储器设备包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元；电压生成器，被配置为生成用于对多个存储器单元执行的一个或多个编程操作和验证操作的电压；控制逻辑，被配置为在多个存储器单元上执行控制操作，使得执行第一编程和第二编程循环；第二编程操作基于补偿电压电平来执行，补偿电压电平是基于第一验证操作的结果确定的；以及连接到存储器单元阵列的多条位线，其中第一验证操作包括对偶数编号的位线的第一偶数感测和第二偶数感测，以及对奇数编号的位线的第一奇数感测和第二奇数感测。
用于提高编程操作速度存储器设备及其操作方法

[发明专利]测试挂起操作的方法-CN202211293007.8在审
发明人：金水龙;朴准镛;尹相范;朴一汉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-10-21 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G11C29/14 文献下载
摘要：公开了一种测试挂起操作的方法。所述方法包括：确定是否在存储在序列操作电路中的多个挂起操作时间点中的每个之前的时间点将挂起采样信号传送给挂起命令电路；将挂起采样信号从序列操作电路传送给挂起命令电路；基于挂起采样信号生成内部挂起操作命令；将内部挂起操作命令从挂起命令电路传送给序列操作电路；响应于内部挂起操作命令，针对所有所述多个挂起操作时间点执行挂起操作；以及确定在所有挂起操作时间点挂起操作是否被执行。
测试挂起操作方法

[发明专利]存储器件、操作其的方法及操作包括其的存储设备的方法-CN202210916025.0在审
发明人：崔光浩;金珉奭;朴一汉;朴准镛;张俊锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：公开了存储器件、操作其的方法及操作包括其的存储设备的方法，所述存储器件包括历史表并且与存储控制器进行通信。一种操作所述存储器件的方法包括：从所述存储控制器接收指示所述存储器件中的第一存储块的第一核心操作的第一请求；响应于所述第一请求，参考所述历史表来确定所述第一存储块的历史数据具有第一值还是第二值；当确定所述第一存储块的历史数据具有所述第一值时，对所述第一存储块执行对应于第一类型的所述第一核心操作；以及在对所述第一存储块执行了对应于所述第一类型的所述第一核心操作之后，将所述历史表中的所述第一存储块的历史数据从所述第一值更新为所述第二值。
存储器件操作方法包括设备

[发明专利]对非易失性存储器编程的方法和操作具有其的系统的方法-CN201710883574.1有效
发明人：林惠镇;朴一汉;朴贤国;尹盛远 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-09-26 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：用于对非易失性存储器进行编程的方法包括：对在非易失性存储器中包含的存储单元中的低位进行编程，在对存储单元中的高位进行编程之前读取存储单元中编程的低位，根据读取低位的结果确定存储单元的阈值电压，使用所述阈值电压确定存储单元的类型，并根据所确定的存储单元的类型将多个脉冲之一供应给连接到存储单元的位线。
非易失性存储器编程方法操作具有系统

[发明专利]非易失性存储装置、降低其可靠性劣化的方法和测试其的方法-CN202210885650.3在审
发明人：金珉奭;朴准镛;金斗铉;朴一汉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：提供了降低非易失性存储装置的可靠性劣化的方法、非易失性存储装置以及测试非易失性存储装置的方法。在降低非易失性存储装置的可靠性劣化的方法中，提供具有初始阈值电压分布的初始数据被存储在与所述多条字线连接的所述多个存储单元中的所述非易失性存储装置。在执行导致可靠性劣化的第一工艺之前，执行第一写入操作使得具有第一阈值电压分布的第一数据存储到与第一字线连接的存储单元中。所述第一字线具有小于参考值的可靠性劣化程度。在执行所述第一工艺之前，执行第二写入操作使得具有第二阈值电压分布的第二数据存储到与第二字线连接的存储单元中。所述第二字线具有大于或等于所述参考值的可靠性劣化程度。
非易失性存储装置降低可靠性方法测试

[发明专利]执行温度补偿的页缓冲器和包括该页缓冲器的存储器装置-CN202210961110.9在审
发明人：曹溶成;姜奎满;金珉辉;朴一汉;千镇泳 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：提供了一种存储器装置和页缓冲器。该存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括多个存储器单元；页缓冲器电路，其通过多条位线连接至存储器单元阵列，并且包括连接至多条位线中的每一条的页缓冲器，页缓冲器包括用于基于第一感测节点的电压电平而存储数据的至少一个第一锁存器；以及控制电路，其被配置为调整提供至页缓冲器电路的电压信号的电平。页缓冲器包括布置在至少一个第一锁存器与第一感测节点之间的跳闸控制晶体管，并且其中，控制电路还被配置为基于对存储器单元阵列执行的读取操作控制将被提供至跳闸控制晶体管的栅极的跳闸控制电压。跳闸控制电压的电平根据存储器装置的温度而变化。
执行温度补偿缓冲器包括存储器装置

[发明专利]操作非易失性存储器件的方法和非易失性存储器件-CN201810170463.0有效
发明人：崔那荣;朴一汉;宋承桓 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：一种操作包括存储单元阵列的非易失性存储器件的方法，其中所述存储单元阵列包括多个页，并且所述多个页中的每个页包括多个非易失性存储单元，使用第一默认读取电压和第一偏移读取电压来执行第一采样读取操作，以对从所述多个页中选择的第一页的第一区域中的存储单元的第一数量进行计数；以及基于所述第一数量和第一参考值的比较结果，使用第一默认读取电压和第二偏移读取电压选择性地执行第二采样读取操作，以对所述第一页的第二区域中的存储单元的第二数量进行计数。所述第二偏移读取电压不同于所述第一偏移读取电压。
操作非易失性存储器方法

[发明专利]页缓冲器电路以及包括页缓冲器电路的存储器件-CN202210069001.6在审
发明人：姜仁昊;朴一汉;千镇泳 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：一种页缓冲器电路包括连接到多个位线的多个页缓冲器。多个页缓冲器中的每一个包括：位线选择晶体管，被配置为将多个位线中的相应位线连接到感测节点；预充电电路，被配置为对感测节点进行预充电；以及动态锁存电路，被配置为将数据存储在存储节点中。多个页缓冲器中的每一个被配置为通过存储节点和感测节点之间的电荷共享来刷新存储节点中存储的数据。
缓冲器电路以及包括存储器件

[发明专利]存储设备的编程方法和使用其的存储系统-CN201710109311.5有效
发明人： 朴一汉;李承宰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-02-27 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：一种存储设备的编程方法包括：确定有效数据是否被存储在与将被执行编程操作的选择字线相邻的字线的存储单元中；当有效数据未被存储在与选择字线相邻的字线的存储单元中时，基于将被写入选择字线的数据来对与选择字线相邻的字线执行预编程操作；以及在执行预编程操作之后，基于编程命令来对选择字线执行编程操作。
存储设备编程方法使用存储系统

[发明专利]非易失性存储器装置、存储器控制器和存储装置的读方法-CN202210181050.9在审
发明人：徐荣德;金真怜;朴世桓;朴一汉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G11C8/08 文献下载
摘要：一种非易失性存储器装置包括：存储器块，其包括存储器区域；片上谷搜索(OVS)电路，其对存储器块执行OVS读出操作；以及缓冲存储器，其存储至少一个变化表，该至少一个变化表包括从OVS读出操作获得的存储器单元的阈值电压的变化信息。响应于由存储器控制器施加的读取命令，对存储器区域执行包括OVS读出操作和主读出操作的读取操作，以OVS读出电平执行OVS读出操作，并且以反映变化信息的主读出电平执行主读出操作。在非易失性存储器装置中，可以提高对字线阈值电压的劣化的校正精度，并且可以减少存储器控制器的负担。
非易失性存储器装置存储器控制器存储方法

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