本发明提出一种双扩散金属氧化物半导体(double diffused metal oxide semiconductor，DMOS)元件及其制造方法。该双扩散金属氧化物半导体包含绝缘结构以定义元件区，并包含环状栅极，其外部为漏极，内部由外而内为轻掺杂漏极区、源极、与本体极。为增加环状栅极角落的次临界电压，环状结构的角落完全设置于绝缘结构上，或在轻掺杂漏极区与环状结构的角落间，分开一段预设距离。
本发明提出一种双扩散金属氧化物半导体(double diffused metal oxide semiconductor，DMOS)元件及其制造方法。该双扩散金属氧化物半导体包含绝缘结构以定义元件区，并包含环状栅极，其外部为漏极，内部由外而内为轻掺杂漏极区、源极、与本体极。为增加环状栅极角落的次临界电压，环状结构的角落完全设置于绝缘结构上，或在轻掺杂漏极区与环状结构的角落间，分开一段预设距离。
