“朱映彬”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果14个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]GaN HEMT源漏通道区电阻模型的参数提取方法、装置及介质-CN202310758441.7在审
发明人：姚若河;姚永康;耿魁伟;刘玉荣;朱映彬 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN HEMT源漏通道区电阻模型的参数提取方法、装置及介质，属于功率器件技术领域。其中方法包括：对GaN HEMT源漏通道区电阻模型参数进行分块，获得需要提取的拟合参数；其中所述拟合参数包括c1、c2、λ和γ；根据器件已知的结构参数，计算得到低偏置条件下的源漏通道区电阻RD0,S0；对GaN HEMT做静态I‑V测试，并通过静态IDS‑VDS输出特性曲线提取得到拟合参数c1和c2；通过源漏通道区电子漂移速度vacc‑VDS曲线提取得到拟合参数λ和γ。本发明可以快速准确地完成GaN HEMT源漏通道区电阻模型相关拟合参数的提取，提高GaN HEMT源漏通道区电阻建模效率。
gan hemt 通道电阻模型参数提取方法装置介质

[发明专利]一种低温度系数CMOS基准电压源及芯片-CN202310755535.9在审
发明人：姚若河;陈志彤;耿魁伟;刘玉荣;朱映彬 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温度系数CMOS基准电压源及芯片，属于集成电路技术领域。其中基准电压源包括：μnT2电流产生电路，用于产生一个与μnVTH2成正比的电流I1；基准电压输出电路，包括镜像单元和基准单元，所述镜像单元用于按照预设比例复制电流I1，产生电流I2作用于基准单元；所述基准单元包括NMOS管和PMOS管，其中NMOS管的VGS呈现为凹曲线，PMOS管的VSG呈现凸曲线，将VGS和VSG两者进行叠加，得到一个低温度系数基准电压VREF。本发明利用沟道调制效应使NMOS的VGS呈现凹曲线，利用电子和空穴迁移率温度系数不同的特性使PMOS的VSG呈现凸曲线，将两者叠加进行二次温度补偿，得到一个低温度系数CMOS基准电压VREF，显著地降低了电压基准的温度系数。
一种温度系数 cmos 基准电压芯片

[发明专利]一种增强型HEMT器件及其制备方法和应用-CN202310352671.3在审
发明人：姚若河;张聪;耿魁伟;刘玉荣;朱映彬 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种增强型HEMT器件及其制备方法和应用，该增强型HEMT器件利用本征栅极GaN盖帽层与AlGaN背势垒层的极化效应通式对栅金属电极下方的沟道中的2DEG进行调制，由于GaN材料与AlInN材料以及AlGaN材料的极化效应差，会在本征栅极GaN盖帽层与AlInN势垒层界面、GaN沟道层与AlGaN背势垒层界面处产生负的净极化电荷，从而抬高AlInN势垒层与GaN沟道层的能带，抬高了导带底与费米能级之间的距离，进而耗尽沟道中的2DEG，实现增强型器件。
一种增强 hemt 器件及其制备方法应用

[发明专利]一种在场发射下计算纳米空间电荷限制电流的方法-CN202310349995.1在审
发明人： 朱映彬;李成 -专利权人：华南理工大学;南京客莱沃智能科技有限公司
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种在场发射下计算纳米空间电荷限制电流的方法，涉及纳米真空二极管的空间电荷限制电流计算方法，针对现有技术中计算仅限于经典模型的问题提出本方案。基于量子效应通过薛定谔方程和泊松方程计算间隙电势，利用自洽的数值计算得到纳米真空二极管的电流密度。其优点在于，利用薛定谔方程和泊松方程以及量子场发射等理论计算纳米真空二极管的电子电流。通过自洽数值计算，解析不同状态下的电子电流密度，适用于多种电流场合。
一种在场发射计算纳米空间电荷限制电流方法

[发明专利]一种提高交叉场二极管物理量仿真速度的方法-CN202310335370.X在审
发明人： 朱映彬;黄麟钧 -专利权人：华南理工大学;南京客莱沃智能科技有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高交叉场二极管物理量仿真速度的方法，涉及真空电子器件的仿真技术，针对现有技术中仿真时间长的问题提出本方案。在求解每个电子微粒对应电场力之前根据当前时刻下所有电子微粒的位置，按照从阴极至阳极的方向顺序将编号进行排序，与电子微粒的位置相对应，再根据二极管电势特解部分对每个电子微粒求解对应电场力。优点在于，针对交叉场二极管中电势特解部分对应所受的电场力求解步骤进行改进，结合快速排序算法进行，相比于一般的无网格数值算法，仿真速度大幅提高。且适用于电子微粒以任意初始速度从阴极注入至任意磁场值的交叉场二极管的真空间隙中。
一种提高交叉二极管物理量仿真速度方法

[发明专利]一种扇形微带线阵列结构、电路及设计方法-CN202310488441.X在审
发明人：姚若河;蔡昂昂;耿魁伟;刘玉荣;朱映彬 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01P3/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种扇形微带线阵列结构、电路及设计方法，其中扇形微带线阵列结构包括：主扇形微带线，用于提供两个第一谐振点；两组辅扇形微带线，两组辅扇形微带线的结构相同，且对称地设置在主扇形微带线的两侧，辅扇形微带线用于提供多个第二谐振点；主扇形微带线和辅扇形微带线的弧线均采用类正弦函数的形状设计；两个第一谐振点的频率和多个第二谐振点的频率分别分布在预设的中心频率的两侧；主扇形微带线的角弧度和两组辅扇形微带线的角弧度之和小于180°。本发明通过扇形微带线结构控制其谐振频点，进而构造扇形微带线阵列单元形成多谐振频率点的宽带电路结构，以满足宽带射频偏置电路的设计需求。本发明可广泛应用于射频前端系统。
一种扇形微带阵列结构电路设计方法

[发明专利]一种用切片模型求解同轴圆柱电子管空间电荷效应的方法-CN202310349975.4在审
发明人： 朱映彬;孔德鸿 -专利权人：华南理工大学;南京客莱沃智能科技有限公司
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种用切片模型求解同轴圆柱电子管空间电荷效应的方法，涉及电子发射技术，针对现有技术中缺乏可靠仿真计算的问题提出本方案。在同轴圆柱电子管的横截面中划分多个电荷切片，每个电荷切片同心布置且半径大小处在阴极半径和阳极半径之间，利用特定的运动方程计算空间电荷效应。优点在于，从数学物理方程出发，把电荷切片的模型应用于同轴圆柱电子电子管模型，理论推导出电荷切片的运动方程，从而能够对真空电子器件中的空间电荷效应问题提供准确的仿真计算。可针对同轴圆柱电子电子管，开发出一整套的研究有关空间电荷效应特性的稳态和非稳态物理特性的仿真算法。
一种切片模型求解同轴圆柱电子管空间电荷效应方法

[发明专利]双级吸收增强型光声光谱气体检测方法及装置-CN202211626246.0有效
发明人： 朱映彬;王淳 -专利权人：南京客莱沃智能科技有限公司;华南理工大学
申请日： 2022-12-17 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： G01N21/17 文献下载
摘要：本发明公开了双级吸收增强型光声光谱气体检测方法及装置，具体涉及气体检测领域，用于解决现有检测得到的光声信号值极易受外界因素的干扰，导致现场应用效果不甚理想的问题，包括检测前获取检测指标信息，判断检测指标对光声信号的综合影响程度；确保检测指标符合基本检测要求后，对气体进行分析检测；检测时实时获取气体检测过程中的环境信息，确定各环境影响因素实时浮动值；是通过在进行气体检测前对各种影响因素进行综合分析，评估其对光声信号的影响程度，并在检测时实时监测环境影响因素，当有扰动产生时，及时根据扰动情况进行调整，以保证检测过程中光声信号的稳定，确保气体检测的准确性。
吸收增强声光气体检测方法装置

[发明专利]一种同步确定二极管边界电场与电流密度的方法-CN202110513603.1有效
发明人： 朱映彬;廖美焱;姚若河;耿魁伟 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2021-05-11 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种同步确定二极管边界电场与电流密度的方法，包括以下步骤：一、给定两个电子电流密度初始值以及一个离子电流密度初始值；二、将电子电流密度初始值以及一个离子电流密度初始值代入泊松方程，获取对应的阴极边界电场值；三、预测电子电流密度值；四、基于预测的电子电流密度值，得到新的阴极边界电场值，判断新的阴极边界电场值是否满足所要求的阴极边界条件；五、给定新的离子电流密度值，执行步骤一到步骤四，得到两个阳极边界电场值；六、预测离子电流密度值；七、预测阳极边界电场值，判断预测的阳极边界电场值是否满足所要求的阳极边界条件；八、输出最终的电子和离子电流密度。
一种同步确定二极管边界电场电流密度方法

[实用新型]一种基于MEMS技术的光声光谱绝缘油溶解气体探测系统-CN202221108450.9有效
发明人： 朱映彬;王淳 -专利权人：南京客莱沃智能科技有限公司
申请日： 2022-05-10 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： G01N21/3504 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于MEMS技术的光声光谱绝缘油溶解气体探测系统，所述进气管道端部远离循环气泵的一端与分析气室的顶部相连，所述分析气室设置于气体检测箱内，且分析气室一侧设置有脉冲红外光源，分析气室另一侧设置有光声气室，本实用新型通过光声气室和分析气室来组成双级吸收增强结构，使得系统不仅具有很高灵敏度，同时可靠性和稳定性良好，且使系统可以实现普通光声光谱望而却步的流动气体测量，且通过分析气室之后的红外能量大部分在光声气室中被吸收，使得设备对被分析气体具有很高的灵敏度，而油气分离后产生的气体不接触检测元件，使得设备具有很高的可靠性和很好的稳定性。
一种基于 mems 技术声光绝缘油溶解气体探测系统

[发明专利]一种基于MEMS技术的光声光谱绝缘油溶解气体探测系统-CN202210504605.9在审
发明人： 朱映彬;王淳 -专利权人：南京客莱沃智能科技有限公司
申请日： 2022-05-10 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： G01N21/3504 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于MEMS技术的光声光谱绝缘油溶解气体探测系统，包括样品油取样模块、光源光声池选择模块、双级吸收增强模块、气体脱离模块、气体分析模块和数据传输模块，本发明系统结构简单、免维护、无载气、无需频繁校准、无辐射源，高精度的测量结果使其能准确识别潜在故障，测试数据和诊断信息可及时传递，确保设备运行的安全可靠，实现将设备的定期维护方式转变为实时监测和预防性检测或维修，有利于减少重大电力事故的发生，采用双级吸收增强光声光谱技术，具有高灵敏度、低漂移、可以连续在线监测的优势，解决了传统气相色谱监测仪需要消耗性载气、标气，色谱柱易老化，不能长期稳定运行的问题。
一种基于 mems 技术声光绝缘油溶解气体探测系统

[发明专利]一种空间电荷限制电流计算方法、装置及存储介质-CN202210254709.9在审
发明人： 朱映彬;方泽江;庄宗南;姚若河;刘玉荣;耿魁伟 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G06F17/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种空间电荷限制电流计算方法、装置及存储介质，其中方法包括：S1、确定阴极金属板和阳极介质板两板之间的结构模型；S2、将两个电流密度值分别作为泊松轨迹过程的输入，计算单位时间注入的电荷量，以及在计算电子轨迹过程中计算电荷量并沉积到网格上；S3、获得电势分布，根据电场定义通过外推过程进行多项式拟合求解各点的电场；S4、使用割线法得到更新的电流密度，根据电流密度获取下一次泊松轨迹过程的输入电流密度；S5、输出最终的电流密度分布。本发明给出了非平行平板结构的空间电荷限制电流计算方案，在计算电子轨迹过程中迭代求解电子运动轨迹，探究了空间电荷影响下粒子的运动规律，可广泛应用于电子器件领域。
一种空间电荷限制电流计算方法装置存储介质

[发明专利]空间电荷效应对二次电子倍增影响的计算方法及装置-CN202210256713.9在审
发明人： 朱映彬;庄宗南;方泽江;姚若河;刘玉荣;耿魁伟 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G06F17/11 文献下载
摘要：本发明公开了一种空间电荷效应对二次电子倍增影响的计算方法及装置，其中方法包括：给定双载波射频电场的数学形式；由双载波射频电场数学形式导出二次电子的第一速度表达式；设定二次电子的发射速度和角度所服从的分布；导出能量获取的通用表达式，获取第一能量获取表达式；根据第一能量获取表达式获取第二能量获取表达式；根据给出电势分布的泊松方程求解出电势分布表达式；结合电势分布表达式和第二速度表达式获取二次电子飞行时间t的函数表达式；根据函数表达式和第二能量获取表达式获取平均碰撞能量表达式。本发明计算了空间电荷效应对单电介质层二次电子倍增的影响程度，弥补了相关研究的空白。本发明可广泛应用于真空电子器件领域。
空间电荷效应二次电子倍增影响计算方法装置

[发明专利]一种基于布洛赫表面波的电子加速系统及方法-CN202210188354.8在审
发明人： 朱映彬;赵攀;姚若河;耿魁伟;刘玉荣 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H05H15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于布洛赫表面波的电子加速系统及方法，其中系统包括：玻璃衬底；光子晶体，淀积于玻璃衬底上，为由两种介电常数不同的的介质材料周期交替构成的多层膜结构；飞秒激光脉冲模块，用于产生飞秒激光脉冲，所述飞秒激光脉冲经过所述玻璃衬底，以预设的入射角射入所述光子晶体的第一表面，并从所述光子晶体的第二表面射出，以在所述第二表面处形成布洛赫表面波作用区域；电子注入装置，用于将电子注入所述布洛赫表面波作用区域，实现对电子进行加速。本发明采用布洛赫表面波对电子进行加速，由于飞秒激光激发的布洛赫表面波具有强的局域增强效应，加速电子可以在该强局域场中获得较高的能量。本发明可广泛应用于电子器件领域。
一种基于布洛赫表面波电子加速系统方法

1
共 14 条