专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种兔用采精器-CN201320194403.5有效
  • 朱建文 - 广州市锐进农业发展有限公司
  • 2013-04-18 - 2013-11-06 - A61D19/02
  • 本实用新型公开了一种兔用采精器,包括假阴道及集精瓶;假阴道包括塑胶外壳及乳胶套,塑胶外壳包括大端和小端;集精瓶连接在小端上;下端的外壁上设有卡槽,卡槽上卡置有密封圈;乳胶套穿过塑胶外壳且两端伸出塑胶外壳,乳胶套的一端向外翻套在大端端部,乳胶套的另一端向外翻套在小端端部,且密封圈位于小端部和乳胶套之间。利用本实用新型的结构,能提高乳胶套与塑胶外壳的密封性能,提高采精效果。
  • 一种兔用采精器
  • [发明专利]半导体结构及其制作方法-CN201210118523.7有效
  • 洪志临;朱建文;陈信良;陈永初 - 旺宏电子股份有限公司
  • 2012-04-20 - 2013-10-30 - H01L29/73
  • 本发明公开了一种半导体结构及其制作方法,该半导体结构包括一衬底、一第一导电型的阱区、一第二导电型的阱区、一本体区、一第一掺杂区、一第二掺杂区、一第三掺杂区以及一场板。第一导电型的阱区与第二导电型的阱区分别形成于衬底中。本体区形成于第二导电型的阱区中。第一与第二掺杂区分别形成于第一导电型的阱区中与本体区中。第二掺杂区与第一掺杂区的极性相同,且第二掺杂区的杂质浓度大于第一掺杂区的杂质浓度。第三掺杂区形成于第二导电型的阱区,且位于第一与第二掺杂区之间。第三掺杂区与第一掺杂区的极性相反。场板形成于第二与第三掺杂区之间的表面区域。
  • 半导体结构及其制作方法
  • [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201210040502.8有效
  • 朱建文;陈永初;吴锡垣 - 旺宏电子股份有限公司
  • 2012-02-22 - 2013-09-11 - H01L29/78
  • 本发明公开了一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括衬底、第一源/漏极区、第二源/漏极区、第一叠层结构与第二叠层结构。第一源/漏极区形成于衬底中。第二源/漏极区形成于衬底中。第一叠层结构位于第一源/漏极区与第二源/漏极区之间的衬底上。第一叠层结构包括第一介电层与第一导电层。第一导电层位于第一介电层上。第二叠层结构位于第一叠层结构上。第二叠层结构包括第二介电层与第二导电层。第二导电层位于第二介电层上。
  • 半导体结构及其形成方法
  • [发明专利]基于足式爬壁的智能玻璃清洁机器人-CN201210584759.X有效
  • 黄元亮;张东平;朱建文;罗权涛;陈金辉;陈佳浩;罗祥华;黄振雄;刘宇杰 - 暨南大学
  • 2012-12-28 - 2013-05-08 - A47L1/02
  • 本发明提供一种基于足式爬壁的智能玻璃清洁机器人,包括机器人主体、行走单元、四个吸附单元、驱动单元、机体控制单元、清洗单元、图像识别单元和无线控制单元;行走单元包括四只机械足;四个吸附单元分别安装在四只机械足上组成四只吸附足,在机体控制单元的作用下四只吸附足和驱动单元协调运动,带动机器人主体运动;图像识别单元与机体控制单元连接,通过实时采集图像信号来检测障碍物和幕墙边缘,将所采集的图像信号进行处理后传输给机体控制单元;无线控制单元与机体控制单元连接,用于远程控制所述机器人主体运动。本发明在玻璃单侧吸附,可跨越窗框等障碍物,具有图像识别功能,行走方式灵活,运动平稳。
  • 基于足式爬壁智能玻璃清洁机器人
  • [发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201110176871.5有效
  • 陈永初;洪崇祐;朱建文 - 旺宏电子股份有限公司
  • 2011-06-22 - 2012-12-26 - H01L29/06
  • 本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括阱区、介电结构、第一掺杂层、第二掺杂层与第一掺杂区。介电结构位于阱区上。介电结构具有相对的第一介电侧边与第二介电侧边。介电结构包括第一介电部分与第二介电部分,位于第一介电侧边与第二介电侧边之间。第一掺杂层位于第一介电部分与第二介电部分之间的阱区上。第二掺杂层位于第一掺杂层上。第一掺杂区位于第一介电侧边上的阱区中。阱区、第一掺杂层与第一掺杂区具有第一导电型。第二掺杂层具有相反于第一导电型的第二导电型。半导体结构可包括耐高压肖特基二极管。
  • 半导体结构及其制造方法
  • [实用新型]一种化工原料桶专用推车-CN201220162300.6有效
  • 杨光玉;刘长军;朱建文 - 陆良广通叶绿素有限公司;山东广通宝医药有限公司
  • 2012-04-17 - 2012-11-28 - B62B5/00
  • 本实用新型公开了一种化工原料桶专用推车,采用的技术方案是:化工原料桶专用推车,包括行走轮和车主架,在所述车主架的上端固定安装有原料桶夹持器,所述原料桶夹持器包括两个铰接在一起的活动夹柄,所述活动夹柄的端部设有用于夹持化工原料桶的凸起。本实用新型的有益效果在于:本推车设计的目的在于便利的实现化工原料桶的运输,使用时,单人操作,在推车倾斜状态下,拉动牵引带,使两个活动夹柄张开,张开的活动夹柄利用夹柄底部的凸起夹持住原料桶的上边缘,进而使推车复位,即可由原料桶夹持器夹住原料桶,完成原料桶的运输。本推车原有推车基础上加以改装即可,具有结构简单,成本低廉,使用便利的优点。
  • 一种化工原料专用推车

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