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[发明专利]接合体、陶瓷铜电路基板及半导体装置-CN202180072058.5在审
发明人：米津麻纪;末永诚一;藤泽幸子;佐野孝 -专利权人：株式会社东芝;东芝高新材料公司
申请日： 2021-10-20 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C04B37/02 文献下载
摘要：实施方式涉及的接合体具备陶瓷基板、铜板和接合层。上述接合层配置在上述陶瓷基板的至少一个面上，且接合上述陶瓷基板和上述铜板。上述接合层含有Ag及Ti。上述铜板包含第一区域、第二区域及第三区域。上述第一区域在厚度方向与上述接合层分离。上述第二区域设在上述接合层与上述第一区域之间，且具有比上述第一区域高的Ag浓度。上述第三区域设在上述接合层与上述第二区域之间，且具有比上述第二区域低的Ag浓度。
接合陶瓷路基半导体装置

[发明专利]接合体、电路基板、半导体装置及接合体的制造方法-CN202180059558.5在审
发明人： 末永诚一;米津麻纪;藤泽幸子 -专利权人：株式会社东芝;东芝高新材料公司
申请日： 2021-07-19 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C04B37/02 文献下载
摘要：实施方式涉及的接合体的特征在于：其具备陶瓷基板、铜板、和配置在所述陶瓷基板的至少一面上的用于接合所述陶瓷基板和所述铜板的接合层，所述接合层含有Cu、Ti和选自Sn及In中的1种或两种的第1元素，所述接合层包含Ti的质量MTi相对于所述第1元素的质量ME1之比(MTi/ME1)为0.5以上的富Ti区和所述比(MTi/ME1)为0.1以下的贫Ti区。
接合路基半导体装置制造方法

[发明专利]接合体、电路基板、半导体装置及接合体的制造方法-CN202180059127.9在审
发明人： 末永诚一;米津麻纪;藤泽幸子 -专利权人：株式会社东芝;东芝高新材料公司
申请日： 2021-07-26 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：实施方式涉及的接合体的特征在于：其具备陶瓷基板、铜板、和配置在所述陶瓷基板的至少一面上的用于接合所述陶瓷基板和所述铜板的接合层，所述接合层含有Ag、Cu、Ti和选自Sn及In中的1种或两种的第1元素，在所述铜板和所述接合层的接合界面中，存在Ti与选自Ag、Cu、Sn及In中的至少1种的Ti合金，所述Ti合金在所述接合界面的每30μm长度中存在30％以上。
接合路基半导体装置制造方法

[发明专利]接合体及采用其的陶瓷电路基板以及半导体装置-CN202180055457.0在审
发明人：山本翔太;吉村文彦;末永诚一;大关智行 -专利权人：株式会社东芝;东芝高新材料公司
申请日： 2021-10-19 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H05K3/12 文献下载
摘要：一种经由含有Ag的接合层将金属板和陶瓷基板接合而成的接合体，其特征在于，在由接合层的厚度方向和其正交方向所形成的截面中的按接合层的厚度方向的长度×正交方向的长度200μm形成的测定区域中，相对于Ag浓度为50at％以下的贫Ag区，Ag浓度为60at％以上的富Ag区按面积比计存在70％以下。此外，接合层的厚度方向的长度优选在10μm以上且60μm以下的范围内。此外，陶瓷基板优选为氮化硅基板。
接合采用陶瓷路基以及半导体装置

[发明专利]接合体、陶瓷电路基板及半导体装置-CN202180053012.9在审
发明人： 末永诚一;米津麻纪;藤泽幸子;森阳一朗 -专利权人：株式会社东芝;东芝高新材料公司
申请日： 2021-10-07 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：实施方式涉及的接合体具备陶瓷基板、铜板和接合层。接合层配置在所述陶瓷基板的至少一面上，接合所述陶瓷基板和所述铜板。所述接合层含有Ti反应层及多个第1合金。所述Ti反应层含有氮化钛或氧化钛作为主成分。所述多个第1合金位于所述Ti反应层与所述铜板之间。所述多个第1合金分别含有选自Cu‑Sn合金及Cu‑In合金中的一种以上。所述多个第1合金具有相互不同的Sn浓度或In浓度。根据实施方式，能够降低翘曲量，并且能够提高接合工序的升温速度及降温速度。实施方式中，作为陶瓷基板氮化硅基板是适合的。
接合陶瓷路基半导体装置

[发明专利]接合体、陶瓷铜电路基板、及半导体装置-CN202180036089.5在审
发明人：米津麻纪;末永诚一;藤泽幸子;佐野孝 -专利权人：株式会社东芝;东芝高新材料公司
申请日： 2021-05-17 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C04B37/02 文献下载
摘要：实施方式的接合体具备：陶瓷基板、铜板、以及配置于上述陶瓷基板的至少一面且将上述陶瓷基板与上述铜板接合的接合层。上述接合层含有钛。上述接合层具有第一区域、和位于上述第一区域与上述铜板之间的第二区域，上述第一区域包含以钛作为主成分的层，上述层形成于上述接合层与上述陶瓷基板的界面。通过EDX测定上述第一区域及上述第二区域各自的测定区域的200μm×厚度的范围中的Ti浓度时，上述接合体的上述第一区域的钛浓度M1at％与上述第二区域的钛浓度M2at％之比M1/M2为0.1～5。
接合陶瓷路基半导体装置

[发明专利]钎料、接合体、陶瓷电路基板及接合体的制造方法-CN202180007559.5在审
发明人：米津麻纪;末永诚一;藤泽幸子;佐野孝 -专利权人：株式会社东芝;东芝高新材料公司
申请日： 2021-02-10 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： B23K35/30 文献下载
摘要：根据实施方式，其特征在于，对于用于将陶瓷基板与金属板接合的钎料，在通过差示扫描量热计(DSC)来测定DSC曲线时，在升温工序的550℃～700℃的范围内具有吸热峰。此外，钎料优选含有Ag、Cu及Ti。此外，钎料优选在升温工序的550℃～650℃的范围内具有2个以上的吸热峰。
钎料接合陶瓷路基制造方法

[发明专利]接合体、陶瓷铜电路基板、接合体的制造方法及陶瓷铜电路基板的制造方法-CN202180007322.7在审
发明人：米津麻纪;末永诚一;藤泽幸子;佐野孝 -专利权人：株式会社东芝;东芝高新材料公司
申请日： 2021-03-08 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H05K3/38 文献下载
摘要：一种接合体，其是具备陶瓷基板和介由接合层与上述陶瓷基板接合的铜板的接合体，其特征在于，上述铜板具有与上述陶瓷基板和上述铜板接合的方向垂直的表面，在上述表面中所含的5mm×5mm的3个区域中，长径超过400μm的铜晶粒的个数比例为0％～5％。优选接合温度为800℃以下。此外，优选长径超过400μm的铜晶粒的个数比例为1％以下。
接合陶瓷路基制造方法

[发明专利]接合体、电路基板及半导体装置-CN202080018277.0在审
发明人：米津麻纪;末永诚一;藤泽幸子;那波隆之 -专利权人：株式会社东芝;东芝高新材料公司
申请日： 2020-08-20 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明的实施方式的接合体包含基板、金属构件及接合层。所述接合层设置在所述基板与所述金属构件之间。所述接合层包含含碳的第一粒子、含金属的第一区域和含钛的第二区域。所述第二区域设置在所述第一粒子与所述第一区域之间。所述第二区域中的钛的浓度高于所述第一区域中的钛的浓度。
接合路基半导体装置

[发明专利]全热交换元件用片材、全热交换元件、全热交换器及水蒸气分离体-CN201880060769.9在审
发明人：米津麻纪;原田耕一;齐藤仁美;八木亮介;本乡卓也;末永诚一 -专利权人：株式会社东芝;东芝开利株式会社
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： F24F3/147 文献下载
摘要：本发明的全热交换元件用片材具备以纤维径为1μm～100μm的有机纤维作为主要成分的多孔质构件和设置于多孔质构件上且包含纤维径为1nm～50nm、具有OH基的无机纤维的膜。
热交换元件用片材热交换器水蒸气分离

[发明专利]磁性材料及磁性材料的制造方法-CN201510024354.4有效
发明人：末纲伦浩;末永诚一;高桥利英;江口朋子;原田耕一;堀田康之 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2012-08-31 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01F1/01 文献下载
摘要：本发明的实施方式的磁性材料具有磁性粒子，所述磁性粒子含有：平均粒径为1nm以上且100nm以下且包含选自由Fe、Co、Ni组成的组中的至少1种磁性金属的金属纳米粒子、以及存在于所述金属纳米粒子间且包含选自Mg、Al、Si、Ca、Zr、Ti、Hf、Zn、Mn、Ba、Sr、Cr、Mo、Ag、Ga、Sc、V、Y、Nb、Pb、Cu、In、Sn、稀土类元素中的至少1种非磁性金属和氧(O)、氮(N)、或碳(C)中的任一种的第1夹杂相，所述磁性粒子是平均短尺寸为10nm以上且1μm以下、平均纵横尺寸比为5以上的形状的粒子集合体，所述金属纳米粒子的体积填充率相对于所述粒子集合体整体为40体积％以上且80体积％以下。
磁性材料制造方法

[发明专利]磁性材料及设备-CN201510540828.0有效
发明人：江口朋子;末纲伦浩;原田耕一;高桥利英;末永诚一 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2015-08-28 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： H01F1/08 文献下载
摘要：实施方式涉及一种磁性材料和设备，所述磁性材料是具备含有磁性金属的多个扁平粒子、以及配置在扁平粒子周围且电阻比扁平粒子高的基质相的磁性材料，在磁性材料的截面，扁平粒子的长宽比为10以上，当将扁平粒子的长径设定为L、将连接扁平粒子的2个端点的直线长度设定为W时，将满足W≤0.95×L的扁平粒子连续层叠的部分的外周包围的面积的比例是截面的面积的10％以上。
磁性材料设备

[发明专利]复合磁性材料的制造方法-CN201510550141.5有效
发明人：末纲伦浩;原田耕一;江口朋子;高桥利英;末永诚一 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2015-09-01 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01F1/24 文献下载
摘要：本发明提供高频下具备高μ’和低μ”的特性优良的复合磁性材料的制造方法。实施方式的复合磁性材料的制造方法的特征在于，其包含以下工序准备由第1磁性金属相和第2相构成的混相材料的第1工序，所述第1磁性金属相由磁性金属构成，所述第2相含氧(O)、氮(N)或碳(C)中的任意一种及非磁性金属；在50℃以上且800℃以下的温度下对混相材料进行热处理的第2工序；通过减小热处理后的混相材料所含的第1磁性金属相的平均粒径及粒度分布不均、获得由磁性金属纳米粒子和所述第2相构成的纳米粒子集合体的第3工序，所述磁性金属纳米粒子由所述第1磁性金属相构成；以及在50℃以上且800℃以下的温度下对纳米粒子集合体进行热处理的第4工序。
复合磁性材料制造方法

[发明专利]复合磁性材料的制造方法-CN201510552854.5有效
发明人：末纲伦浩;原田耕一;江口朋子;高桥利英;末永诚一 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2015-09-01 - 公布日： 2017-11-07 - 主分类号： H01F1/33 文献下载
摘要：本发明提供高频下具备高μ’和低μ”的特性优良的复合磁性材料的制造方法。实施方式的复合磁性材料的制造方法包含以下工序准备含有磁性金属和非磁性金属、且粒度分布具有2个以上峰的磁性金属粒子的第1工序，所述磁性金属为选自由Fe、Co、Ni构成的组中的至少1种，所述非磁性金属为选自Mg、Al、Si、Ca、Zr、Ti、Hf、Zn、Mn、Ba、Sr、Cr、Mo、Ag、Ga、Sc、V、Y、Nb、Pb、Cu、In、Sn、稀土类元素中的至少1种；通过将所述磁性金属粒子粉碎进行再凝集而形成含有磁性金属相和夹杂相的复合粒子的第2工序；以及在50℃以上且800℃以下的温度下对所述复合粒子进行热处理的第3工序。
复合磁性材料制造方法

[发明专利]水蒸气分离体和除湿装置-CN201610806359.7在审
发明人：原田耕一;齐藤仁美;米津麻纪;末永诚一 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2016-09-07 - 公布日： 2017-09-19 - 主分类号： B01D53/26 文献下载
摘要：一种水蒸气分离体和除湿装置，实施方式的水蒸气分离体配置在第1空间与第2空间之间，用于通过使第2空间的水蒸气压力比第1空间的水蒸气压力低而使存在于第1空间内的水蒸气透过至第2空间。实施方式的水蒸气分离体具备多孔质体，具有与第1空间接触且具有凹凸构造的第1面；与第2空间接触的第2面；以及从第1面的至少构成凹凸构造的壁面通到第2面的细孔；以及水，存在于多孔质体的细孔内。
水蒸气分离除湿装置

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