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[发明专利]磁性隧道结-CN201780028934.8有效
发明人：陈伟;维托尔德·库拉;曼札拉·西迪克;苏瑞许·拉玛罗杰;强纳森·D·哈玛斯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2017-03-03 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种磁性隧道结，其包括：导电第一磁性电极，其包括磁性记录材料；导电第二磁性电极，其与所述第一电极隔开且包括磁性参考材料；及非磁性隧道绝缘体材料，其在所述第一电极与所述第二电极之间。所述第二电极的所述磁性参考材料包括合成反铁磁性构造，所述合成反铁磁性构造包括两个隔开的磁性区域，所述磁性区域中的一者比另一者更靠近所述隧道绝缘体材料。一个磁性区域包括极化器区域，所述极化器区域包括CoxFeyBz，其中“x”为0到90，“y”为10到90且“z”为10到50。所述CoxFeyBz直接抵靠所述隧道绝缘体。包括含Os材料的非磁性区域在所述两个隔开的磁性区域之间。所述另一磁性区域包括磁性含Co材料。本发明揭示其它实施例。
磁性隧道

[发明专利]缝隙氧化物和通孔形成技术-CN202080010179.2在审
发明人：李红旗;考希克·瓦尔马·沙吉;曼札拉·西迪克 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-01-13 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L27/11512 文献下载
摘要：描述例如用于制造三维存储器装置的用于缝隙氧化物和通孔形成技术的方法及设备，所述三维存储器装置可包含各自包含存储器单元堆叠和相关联存取线的存储器单元的多个叠组。所述技术可形成互连区，而不移除所述存储器单元堆叠的一部分。所述互连区可包含延伸穿过存储器单元的所述叠组的一或多个导电通孔以使所述存取线与可位于存储器单元的所述叠组下方的逻辑电路系统耦合。此外，所述技术可通过形成可割断所述存取线的沟槽而将存储器单元阵列划分为存储器单元的多个子阵列。在某些情况下，存储器单元的每一子阵列可与存储器单元的其它子阵列电隔离。所述技术可减小制造过程步骤的总数目。
缝隙氧化物形成技术

[发明专利]磁性隧道结-CN201680025908.5有效
发明人： 曼札拉·西迪克 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2016-01-21 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种磁性隧道结包括导电第一磁电极，所述导电第一磁电极包括磁记录材料。导电第二磁电极与所述第一电极隔开且包括磁参考材料。非磁性隧道绝缘体材料是在所述第一电极与所述第二电极之间。所述第一电极的所述磁记录材料包括第一结晶磁性区域，在一个实施例中，所述第一结晶磁性区域包括Co和Fe。在一个实施例中，所述第一电极包括第二非晶区域，所述第二非晶区域包括非晶XN，其中X是W、Mo、Cr、V、Nb、Ta、Al和Ti中的一或多个。在一个实施例中，所述第一电极包括第二区域，所述第二区域包括Co、Fe和N。
磁性隧道

[发明专利]磁性隧道结-CN201680012144.6有效
发明人： 曼札拉·西迪克;维托·库拉;古尔特杰·S·桑胡 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2016-02-16 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明揭示一种形成磁性隧道结的磁电极的方法，其包括：使包括MgO的非磁材料形成于所形成的所述磁电极的导电材料上方。使非晶质金属形成于包括MgO的材料上方。使包括Co及Fe的非晶质磁电极材料形成于所述非晶质金属上方。所述非晶质磁电极材料缺乏B。直接抵靠所述非晶质磁电极材料而形成包括MgO的非磁隧道绝缘体材料。所述隧道绝缘体材料缺乏B。在形成所述隧道绝缘体材料后，在至少约250℃的温度下使所述包括Co及Fe的非晶质磁电极材料退火以从所述隧道绝缘体材料的包括MgO的表面形成包括Co及Fe的结晶磁电极材料。所述包括Co及Fe的结晶磁电极材料缺乏B。揭示其它方法及非方法实施例。
磁性隧道

[发明专利]半导体装置、磁性隧道结及其制造方法-CN201580073144.2有效
发明人： 曼札拉·西迪克;维托·库拉;苏瑞许·拉玛罗杰 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2015-12-18 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体装置，其包括磁性单元结构阵列，每一磁性单元结构包括在衬底上的电极上方的磁性隧道结。所述磁性隧道结中的每一者包含在所述衬底上方的磁性材料、在所述磁性材料上方的第一隧道势垒材料、在经退火第一隧道势垒材料上方的第二隧道势垒材料，及在所述第二隧道势垒材料上方的另一磁性材料。每一磁性隧道结经配置以在小于约8欧姆平方微米的电阻面积乘积下展现大于或等于约180％的隧道磁阻。所述半导体装置还包含在所述另一磁性材料上方的另一电极。本发明揭示包含所述磁性隧道结的半导体装置、形成所述磁性隧道结的方法，及形成包含所述磁性隧道结的半导体装置的方法。
半导体装置磁性隧道及其制造方法

[发明专利]铁电组合件及形成铁电组合件的方法-CN201880081034.4在审
发明人：艾伯特·廖;曼札拉·西迪克 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： H01L27/11502 文献下载
摘要：一些实施例包含铁电组合件。一些实施例包含一种电容器，所述电容器在第一电极与第二电极之间具有铁电绝缘材料。所述电容器还在所述第二电极与所述铁电绝缘材料之间具有金属氧化物。所述金属氧化物具有小于或等于约的厚度。一些实施例包含一种形成组合件的方法。在含半导体基底上方形成第一电容器电极。在所述第一电极上方形成铁电绝缘材料。在所述铁电绝缘材料上方形成含金属材料。氧化所述含金属材料以由所述含金属材料形成金属氧化物。在所述金属氧化物上方形成第二电极。
组合形成方法

[发明专利]形成磁隧道结的磁电极的方法及形成磁隧道结的方法-CN201680012152.0有效
发明人： 曼札拉·西迪克;维托·库拉;古尔特杰·S·桑胡 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2016-02-16 - 公布日： 2020-03-03 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明揭示一种形成磁隧道结的磁电极的方法，其包括：使包括MgO的非磁材料形成于所形成的磁电极的导电材料上方。使非晶体金属形成于所述包括MgO的材料上方。使包括Co及Fe的非晶体磁电极材料形成于所述非晶体金属上方。所述非晶体磁电极材料缺乏B。直接抵靠所述非晶体磁电极材料而形成包括MgO的非磁隧道绝缘体材料。所述隧道绝缘体材料缺乏B。在形成所述隧道绝缘体材料后，在至少约250℃的温度下使所述包括Co及Fe的非晶体磁电极材料退火以从所述隧道绝缘体材料的包括MgO的表面形成包括Co及Fe的结晶磁电极材料。所述包括Co及Fe的结晶磁电极材料缺乏B。本发明还揭示其它方法及非方法实施例。
形成隧道磁电方法

[发明专利]半导体结构、存储器单元及装置、包含上述的系统及其相关联方法-CN201880030466.2在审
发明人： A·廖;W·I·肯尼;李宜芳;曼札拉·西迪克 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-04-26 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明揭示一种半导体结构，其包含：电极；铁电材料，其邻近所述电极，所述铁电材料包括铪及锆中的至少一者的氧化物，所述铁电材料掺杂有铋；及另一电极，其在所述铁电材料的与所述第一电极对置的一侧上邻近所述铁电材料。本发明还揭示相关联半导体结构、存储器单元、半导体装置、电子系统及相关联方法。
铁电材料电极半导体结构邻近关联半导体装置存储器单元第一电极电子系统氧化物对置掺杂

[发明专利]存储器单元、制造方法及半导体装置-CN201480051728.5有效
发明人： 曼札拉·西迪克;安迪·莱尔;维托·库拉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2014-09-09 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：本发明揭示一种磁性单元，其包含接近于磁性区域(例如，自由区域)的吸子材料。与磁性材料的可扩散物质与至少另一物质之间的化学亲和力相比，所述吸子材料经调配以具有对于所述磁性材料的所述可扩散物质的较高化学亲和力，所述磁性区域是由所述磁性材料形成。因此，所述可扩散物质从所述磁性材料移除到所述吸子材料。所述移除供应贫化磁性材料的结晶。所述结晶、贫化磁性材料实现高隧道磁阻、高能量势垒及高能量势垒比。所述磁性区域可形成为连续磁性材料，因此实现高交换劲度，且将所述磁性区域定位于两个感应磁各向异性的氧化物区域之间实现高磁各向异性强度。本发明还揭示制造方法及半导体装置。
存储器单元制造方法半导体装置

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