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[发明专利]半导体器件-CN202111544172.1在审
发明人：金奇奂;张星旭;郑秀珍;曹荣大 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：有源区，所述有源区在衬底上沿第一方向延伸；多个沟道层，所述多个沟道层在所述有源区上彼此垂直间隔开，并且包括半导体材料；栅极结构，所述栅极结构在所述衬底上沿第二方向延伸；和源极/漏极区，所述源极/漏极区在所述栅极结构的至少一侧设置所述有源区上。所述栅极结构与所述有源区和所述多个沟道层相交，并且围绕所述多个沟道层。所述源极/漏极区接触所述多个沟道层，并且包括第一杂质。在所述多个沟道层的至少一个沟道层中，与所述有源区相邻的下部区域包括第一浓度的所述第一杂质和第二杂质，并且上部区域包括低于所述第一浓度的第二浓度的所述第一杂质和所述第二杂质。
半导体器件

[发明专利]半导体装置-CN202111391234.X在审
发明人：金奇奂;张星旭;郑秀珍;曹荣大 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：公开了半导体装置。所述半导体装置包括：有源区，在第一方向上延伸；多个沟道层，在有源区上；栅极结构，在第二方向上延伸；以及源区/漏区，设置在有源区上，并且连接到多个沟道层中的每个，其中，源区/漏区包括：第一外延层，具有下端部分和沿着多个沟道层的侧表面连续延伸的侧壁部分，并且第一外延层掺杂有第一杂质；以及第二外延层，在第一外延层上，具有与第一外延层的成分不同的成分，并且掺杂有第二杂质，其中，第一杂质在第一外延层的成分中的扩散率低于第二杂质在第一外延层的成分中将具有的扩散率。
半导体装置

[发明专利]集成电路器件-CN202111256976.1在审
发明人：郑秀珍;金奇奂;张星旭;曹荣大 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种集成电路(IC)器件包括在衬底上在第一横向方向上纵长地延伸的鳍型有源区。纳米片在垂直方向上与鳍型有源区的鳍顶表面分开。内绝缘间隔物位于衬底与纳米片之间。栅极线包括主栅极部分和子栅极部分。主栅极部分在纳米片上在第二横向方向上纵长地延伸。子栅极部分一体地连接至主栅极部分，并且位于衬底与纳米片之间。源极/漏极区与内绝缘间隔物和纳米片接触。源极/漏极区包括单晶半导体主体和从内绝缘间隔物穿过单晶半导体主体线性地延伸的至少一个下堆垛层错面。
集成电路器件

[发明专利]半导体装置-CN202111464731.8在审
发明人：郑秀珍;金奇奂;张星旭;曹荣大 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：提供了一种半导体装置。半导体装置包括：有源图案，其包括下图案和多个片状图案，多个片状图案在第一方向上与下图案间隔开；源极/漏极图案，其位于下图案上，并且接触多个片状图案；以及栅极结构，其位于源极/漏极图案在与第一方向不同的第二方向上的相对侧上，栅极结构包括多个片状图案上的栅电极，其中，源极/漏极图案具有包括半导体材料的外延区和在外延区内并且由半导体材料包围的空腔区。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202111478685.7在审
发明人： 曹荣大;金奇奂;张星旭;郑秀珍 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：一种半导体装置，其包括具有与对应的硅锗衬垫对齐并且填充有掺杂的半导体源极和漏极区的源极和漏极凹部的衬底。设置了堆叠的多个半导体沟道层，它们在衬底内通过在硅锗衬垫之间横向地延伸的对应的埋置的绝缘栅电极区彼此竖直地分离。绝缘栅电极设置在多个半导体沟道层中的最上面的一个上。硅锗衬垫可掺杂有碳。
半导体装置

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202010272045.X在审
发明人： 曹荣大;张星旭;郑秀珍;金正泽;李始炯 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-04-08 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件可以包括半导体图案、栅结构、第一间隔物、第一半导体层和第二半导体层。半导体图案可以形成在衬底上，并且可以在与衬底的上表面垂直的竖直方向上彼此间隔开，并可以在竖直方向上重叠。栅结构可以形成在衬底和半导体图案上。栅结构的至少一部分可以在竖直方向上形成在半导体图案之间。第一间隔物可以覆盖栅结构的相对侧壁，所述侧壁在第一方向上彼此相对。第一半导体层可以覆盖半导体图案在第一方向上的侧壁以及第一间隔物和衬底的表面。第一半导体层可以具有第一杂质浓度。第二半导体层可以形成在第一半导体层上，并且可以具有高于第一杂质浓度的第二杂质浓度。该半导体器件可以具有良好的特性和高可靠性。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN202010401894.0在审
发明人：张星旭;金奇奂;郑秀珍;曹荣大 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-05-13 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：在衬底上在第一方向上延伸的有源区，该有源区具有上表面和侧壁；多个沟道层，其在有源区上方以彼此竖直间隔开；栅电极，其在第二方向上延伸以与有源区交叉并部分地围绕所述多个沟道层；以及源极/漏极区，其在有源区上在栅电极的至少一侧并与所述多个沟道层接触，并且从有源区的侧壁延伸，并且在与所述多个沟道层当中与有源区相邻的最下沟道层相邻的第一区域中在第二方向上具有大宽度。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN202010200281.0在审
发明人：郑秀珍;金奇奂;张星旭;曹荣大 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-03-20 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：位于衬底上的有源图案，所述有源图案包括凹槽，所述凹槽具有“V”形；位于所述凹槽上的生长阻止图案；位于所述有源图案的在所述凹槽的相对侧的部分上的栅极结构；在垂直于所述衬底的上表面的竖直方向上彼此间隔开的沟道，每个所述沟道延伸穿过所述栅极结构之一；以及位于所述生长阻止图案上的源/漏层，所述源/漏层接触所述沟道。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN202010014972.1在审
发明人：张星旭;曹荣大;金奇奂;郑秀珍 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-01-07 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体器件包括：有源区，其在衬底上在第一方向上延伸；沟道层，其位于有源区上并竖直地间隔开；栅极结构，其与有源区和沟道层交叉，栅极结构在第二方向上延伸并围绕沟道层；以及源/漏区，其位于栅极结构的一侧的有源区上，源/漏区接触沟道层，源/漏区包括第一外延层和第二外延层，第一外延层具有第一成分并包括第一层和第二层，所述第一层位于沟道层的侧表面上，所述第二层位于源/漏区的下端的有源区上，第二外延层具有与第一成分不同的第二成分，第二外延层在第一方向上位于第一外延层之间，并在第三方向上竖直地位于第一外延层之间。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN202010016458.1在审
发明人：张星旭;金奇奂;郑秀珍;金奉秀;曹荣大 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-01-07 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：衬底上沿第一方向延伸的有源区；衬底上与有源区相交并沿第二方向延伸的栅结构；以及在栅结构的至少一侧的有源区上的源/漏区，其中源/漏区包括：在第一方向上彼此间隔开的多个第一外延层，该多个第一外延层包括第一导电类型的第一杂质；以及填充该多个第一外延层之间的空间的第二外延层，第二外延层包括第一导电类型的第二杂质。
半导体器件

[发明专利]包括鳍型场效应晶体管的半导体器件及其制造方法-CN201910068503.5在审
发明人：郑秀珍;柳廷昊;柳宗烈;曹荣大 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-01-24 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体器件和制造半导体器件的方法，该器件包括：从衬底突出的有源图案；多个栅极结构，每个栅极结构包括栅电极并交叉有源图案；以及在所述多个栅极结构之间的源极/漏极区域，其中源极/漏极区域包括与有源图案中的凹陷区域的底表面接触的高浓度掺杂层、与高浓度掺杂层的上表面和凹陷区域的侧壁接触的第一外延层、以及在第一外延层上的第二外延层，并且高浓度掺杂层具有与凹陷区域的底表面接触的第一区域以及与凹陷区域的侧壁接触的第二区域，第一区域比第二区域宽。
凹陷区域半导体器件高浓度掺杂栅极结构外延层源图案源极/漏极区域侧壁接触第二区域第一区域鳍型场效应晶体管上表面栅电极衬底制造

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201811324293.3在审
发明人：张星旭;金锡勋;李承勋;许洋;柳廷昊;柳宗烈;曹荣大 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-11-08 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件及其形成方法。该方法可以将掺杂剂注入到衬底中以形成初始杂质区并加热衬底以将初始杂质区转换成杂质区。加热衬底可以在约800℃至约950℃的环境温度下执行约20分钟至约50分钟。该方法还可以包括在杂质区中形成第一沟槽和第二沟槽以限定有源鳍，以及分别在第一沟槽和第二沟槽中形成第一隔离层和第二隔离层。第一隔离层和第二隔离层可以暴露有源鳍的相反侧。该方法还可以包括形成在有源鳍的相反侧和上表面上延伸的栅极绝缘层，以及形成横越有源鳍的栅电极。
隔离层杂质区衬底半导体器件相反侧加热栅极绝缘层掺杂剂上表面栅电极横越转换暴露延伸制造

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