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[发明专利]一种可靠的腔体吹扫方法-CN202210350533.7有效
发明人：董思敏;欧文凯;向亮睿 -专利权人： 普乐新能源科技（泰兴）有限公司
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： B08B9/093 文献下载
摘要：本发明公开了一种可靠的腔体吹扫方法，属于太阳能电池技术领域。包括以下步骤：预先设置吹扫启动环境和吹扫结束条件；基于所述吹扫启动环境配置对应的吹扫启动程序；接收吹扫指令，启动吹扫启动程序对待吹扫的腔体进行吹扫；当所述腔体内的压力值达到所述吹扫结束条件后，结束吹扫启动程序。本发明中利用腔体内趋于平衡的压力值体现腔体内特气是否被清除干净，此时腔体内的压力值皆由吹扫气体带来的，故可判定腔体内的特气已被排除干净，本发明中以平衡的压力值作为指标更加简单明了，既保证了腔体吹扫方法的可靠性，降低了残余特气对工作人员的危害，又减少吹扫气体的浪费。
一种可靠腔体吹扫方法

[实用新型]一种缺片检测装置-CN202223032019.3有效
发明人：徐兴冠;魏玉帅;欧文凯;向亮睿 -专利权人： 普乐新能源科技（泰兴）有限公司
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G01V8/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种缺片检测装置，属于太阳能电池生产技术领域。包括架体，还包括：设于所述架体上的花篮传输机构；所述花篮传输机构具有输入端和输出端；将所述花篮传输机构从输入端至输出端依次划分为输送区域、检测区域、缓存区域和等待区域；分别设于所述输送区域、检测区域、缓存区域和等待区域的输出端且可升降的阻挡机构；设于所述检测区域内的缺片检测机构；设于花篮传输机构的底部的RFID读取机构。本实用新型避免双片交叉配对时的机械故障，节省人工检测操作的时间，从而减少劳动力，提高检测流程的自动化和智能化，进而提高生产效率。
一种检测装置

[发明专利]一种简易低成本的N型晶硅TBC太阳能电池及其制备方法-CN202310173888.8在审
发明人：欧文凯;李含朋;向亮睿 -专利权人： 普乐新能源科技（泰兴）有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明涉及一种简易低成本的N型晶硅TBC太阳能电池及其制备方法，在制备过程中采用激光掺杂制备磷掺杂，不仅不需要掩膜及去除掩膜工艺，而且可以完美兼容topcon技术，从而大大降低了生产成本；同时采用本发明的方法制备的N型晶硅TBC太阳能电池片，其具有钝化接触结构，可以有效改善复合，提升开路电压；此外，电池片的正面表面无电极遮挡，从而提升了短路电流，使得N型晶硅TBC太阳能电池片的转换效率较高。
一种简易低成本型晶硅 tbc 太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种ALD制作非晶硅的方法-CN202010663155.9有效
发明人：欧文凯 -专利权人： 普乐新能源科技（泰兴）有限公司
申请日： 2020-07-10 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明提供一种ALD制作非晶硅的方法，包括以下步骤：打开ALD设备炉门，将制作非晶硅的样品放入载具，抽真空；设备测试泄漏率≤5mTorr，同时升温至200～600℃并恒温5‑20min；通入反应源与氮气，如此循环若干次生长非晶硅。本发明工艺采用低温非晶硅的原位掺杂，通过本发明的方法可有效解决非晶硅镀膜的不均匀情况同时非晶硅生长速率较快适合大规模量产。
一种 ald 制作非晶硅方法

[发明专利]一种P型IBC电池结构以及制备方法-CN202211063386.1在审
发明人：欧文凯;董思敏;向亮睿 -专利权人： 普乐新能源科技（泰兴）有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明提供了一种P型IBC电池结构以及制备方法，本发明生产步骤包括：①双面清洗抛光、②背面沉积掩膜氮化硅、③激光消融预留出背表面场、④双面清洗制绒、⑤预留背表面场高浓度磷掺杂，形成N区、⑥清洗去PSG及掩膜层、⑦热氧退火、⑧背面氧化铝、⑨双面钝化层、⑩按照图形设计，背面激光点开膜，露出P区；⑪N区使用银浆，P区使用铝浆进行金属印刷及烧结。与现有PERC工艺技术相比，最大特点是正面无栅线，是在电池背面制备出呈叉指状间隔排列的PN区，并在此基础上形成栅线，使得电池片外观好，极具商业价值，另一方面，转移背面印刷消除了受光面金属接触复合，提高了电池转化效率。
一种 ibc 电池结构以及制备方法

[发明专利]一种高效的背接触P型太阳能电池结构及其制备方法-CN202211525767.7在审
发明人：欧文凯;董思敏;向亮睿 -专利权人： 普乐新能源科技（泰兴）有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L31/0288 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效的背接触P型太阳能电池结构及其制备方法，属于太阳能电池技术领域。电池结构包括：采用掺镓P型硅作为衬底；衬底的背面具有N区、P区、镂空结构、正电极和负电极；衬底的正面从背面至正面依次涂覆有氧化铝和钝化层；N区从正面至背面依次涂覆有隧穿氧化层、氧化钛层、氧化铝和钝化层；P区从正面至背面依次涂覆有氧化铝和钝化。制备方法的步骤大致为：清洗抛光；生长隧穿氧化层及氧化钛；激光开膜；清洗及正面碱制绒；硅片双面生长氧化铝及钝化层；再次激光开膜；丝网印刷正负电极；光注入。本发明在工艺流程上高效的同时，高温机台少，降低机台和工艺的繁琐性，因此有操作简单、生产成本低、效率高的优点。
一种高效接触太阳能电池结构及其制备方法

[发明专利]一种单晶硅电池PECVD镀膜工艺-CN202211481354.3在审
发明人：欧文凯;董思敏;向亮睿 -专利权人： 普乐新能源科技（泰兴）有限公司
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： C23C16/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶硅电池PECVD镀膜工艺，属于单晶硅太阳能电池技术领域。包括以下步骤：步骤一，硅基底预处理；步骤二，缓冲层的形成；步骤三，高折层的形成；步骤四，中间层的生成；步骤五，最外层的生成。本发明在常规氮化硅减反射钝化膜的多层膜或无限渐变膜与基体之间，插入一层极薄低折氮化硅缓冲层，低管压低射频功率下生长的较薄的氮化硅缓冲层，满足表面轰击损伤小，H钝化效果好，又兼顾不影响光学特性的优点，起到加强H钝化基体的作用，减少了复合中心的数量，提高了少子寿命。
一种单晶硅电池 pecvd 镀膜工艺