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[发明专利]半导体器件结构、显示面板及半导体器件结构的制备方法-CN202311197723.0在审
发明人： 晏国文;徐琳;丁力栋;王德坚;孙晓琦;李俊峰 -专利权人：合肥维信诺科技有限公司;昆山国显光电有限公司
申请日： 2023-09-18 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请实施例提供的一种半导体器件结构、显示面板及半导体器件结构的制备方法，涉及显示设备技术领域，所述半导体器件结构包括衬底、绝缘柱、两个第一开关器件。所述绝缘柱位于所述衬底的一侧；在第一方向上，两个所述第一开关器件位于所述绝缘柱相对的两侧，所述第一开关器件包括层叠设置的第一半导体层、第一绝缘层和栅极层，所述第一方向平行于所述衬底；其中，两个所述第一开关器件的第一半导体层、第一绝缘层和栅极层从靠近所述衬底的位置沿所述绝缘柱的侧壁延伸至所述绝缘柱远离所述衬底的一侧。本申请可以形成两个第一开关器件，因此在不增加半导体器件结构在衬底上的正投影面积的情况下，可以提高半导体器件结构的输出电流。
半导体器件结构显示面板制备方法

[发明专利]薄膜晶体管的有源层结构、有源层的制备方法、薄膜晶体管-CN202111172855.9在审
发明人：占晓军;晏国文;贺宇童;马龙全 -专利权人：深圳市柔宇科技股份有限公司
申请日： 2021-10-08 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及薄膜晶体管技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管的有源层结构、有源层的制备方法及薄膜晶体管，本发明实施例提供一种薄膜晶体管的有源层结构，包括依次层叠的有源层组和第一功能层，有源层组包括至少一个有源层，有源层包含铟元素、镓元素以及锌元素的氧化物；第一功能层包含铟元素、镓元素以及锌元素的氧化物，第一功能层中的镓元素在铟元素、镓元素以及锌元素中的摩尔比例大于有源层中的镓元素在铟元素、镓元素以及锌元素中的摩尔比例，能够增加第一功能层对刻蚀液的耐受度，从而提高背沟道刻蚀型器件中有源层结构对刻蚀液的耐受度，第一功能层还能够屏蔽柔性基底吸潮带来的背面电荷吸附的影响，从而替代挡光层，节约成本。
薄膜晶体管有源结构制备方法

[发明专利]薄膜晶体管、显示装置及薄膜晶体管的制作方法-CN202110307153.0在审
发明人： 晏国文 -专利权人：深圳市柔宇科技股份有限公司
申请日： 2021-03-23 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管、显示装置及其制作方法，薄膜晶体管包括依次层叠设置的衬底层、栅极绝缘层、源漏极绝缘层和像素定义层；衬底层与栅极绝缘层之间设置有由第一材料制成的第一有源通道；栅极绝缘层与源漏极绝缘层之间间隔设置有由第二材料制成的第一顶栅、第二源极和第二漏极，第二源极、第二漏极和源漏极绝缘层之间设置有第二有源通道；源漏极绝缘层与像素定义层之间设置有由第三材料制成的第一源极、第一漏极以及第二顶栅。通过设置上述薄膜晶体管结构，通过三次光罩工艺即可形成第一有源通道、第一顶栅、第二源极、第二漏极、第一源极、第一漏极以及第二顶栅，减少了光罩次数，简化了薄膜晶体管的制造工艺，从而降低了制造成本。
薄膜晶体管显示装置制作方法

[发明专利]TFT阵列基板、显示屏及TFT阵列基板的制作方法-CN202110268608.2在审
发明人：贺宇童;晏国文;陈晓妮 -专利权人：深圳市柔宇科技股份有限公司
申请日： 2021-03-12 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请公开一种TFT阵列基板，应用于显示屏。TFT阵列基板包括衬底和多个间隔设置的晶体管，晶体管包括栅极，有源层，源漏极以及设置于栅极与有源层之间的栅极绝缘层，多个晶体管包括第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管的栅极绝缘层的厚度小于第二晶体管的栅极绝缘层的厚度。在本申请中，显示屏包括发光区域，多个晶体管被发光区域覆盖。本申请通过改变晶体管的栅极绝缘层的厚度、来调节晶体管对应的发光区域的亮度，保证显示屏发光区域的亮度均一性。
tft 阵列显示屏制作方法

[发明专利]一种薄膜晶体管、显示面板以及显示装置-CN202110231946.9在审
发明人：陈晓妮;晏国文;陈明;黄德猛 -专利权人：深圳市柔宇科技股份有限公司
申请日： 2021-03-02 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本申请实施例涉及一种薄膜晶体管、显示面板以及显示装置，薄膜晶体管包括基板；半导体层，叠置于基板；第一导电层，叠置于半导体层；第二导电层，叠置于半导体层，第二导电层与第一导电层之间具有间隙，以使第一导电层和第二导电层绝缘；绝缘层，叠置于半导体层；栅极，叠置于绝缘层；漏极，与第一导电层电连接；源极，与第二导电层电连接。通过在半导体层形成第一导电层和第二导电层，漏极和第一导电层电连接，源极和第二导电层电连接，则不需要将半导体层进行导体化处理，因此，不存在漏区和源区向中间的半导体区扩散的现象，在不对栅极施加电压的情况下，第一导电层和第二导电层不会导通，本申请提供的薄膜晶体管的电学特性好，且使用寿命长。
一种薄膜晶体管显示面板以及显示装置

[发明专利]一种薄膜晶体管装置及其制造方法-CN202110217701.0在审
发明人：陈明;林俊仪;晏国文;陈晓妮 -专利权人：深圳市柔宇科技股份有限公司
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管装置，包括基板、形成于所述基板上的薄膜晶体管开关及覆盖所述基板、薄膜晶体管开关的有机保护层，在所述有机保护层的上方或者所述有机保护层的中部设置有像素电极，所述像素电极的全部或者局部从所述有机保护层暴露，所述像素电极上设置有有机发光半导体；还包括隔离层，所述隔离层形成于所述有机保护层之上并对所述有机保护层的上表面和侧表面中相对于所述像素电极暴露的表面形成包覆，所述隔离层与所述像素电极相接且此两者形成阻隔带将所述有机保护层与所述有机发光半导体隔绝，从而隔离有机保护层的挥发物到达有机发光半导体，延长有机发光半导体的使用寿命。
一种薄膜晶体管装置及其制造方法

[发明专利]一种薄膜晶体管及其制造方法-CN202110209349.6在审
发明人： 晏国文 -专利权人：深圳市柔宇科技股份有限公司
申请日： 2021-02-24 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明实施例涉及显示面板技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制造方法，该薄膜晶体管中的有源层包括依次排列的第一氧化物导体区域、氧化物半导体区域和第二氧化导体区域，氧化物半导体区域具有第一长度，栅绝缘层形成于有源层上，栅绝缘层具有第二长度，栅极形成于栅绝缘层上，栅极与氧化物半导体区域相对设置，并且，栅极具有第三长度。其中，栅绝缘层的第二长度大于栅极的第三长度，栅极的第三长度大于或等于氧化物半导体区域的第一长度，即栅绝缘层的长度大于栅极的长度，经试验表明，能够抑制氧化物导体区域中的载流子向氧化物半导体区域扩散，从而，减少扩散载流子对导电沟道的影响，尽可能减小负偏，有益于实现短沟道区的小型化设计。
一种薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]一种薄膜晶体管及其制造方法-CN202110209354.7在审
发明人：杨磊;叶江波;晏国文;尚琼;赵晓辉;于大永;胡永海;莫伦枝 -专利权人：深圳市柔宇科技股份有限公司
申请日： 2021-02-24 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明实施例涉及显示面板技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制造方法，该薄膜晶体管包括基底、有源层、栅绝缘层、栅极层和源极、漏极，有源层设置于基底上，栅绝缘层设置于有源层上，栅极层设置于栅绝缘层上，并且，该有源层分别与源极和漏极连接。其中，该栅极层为多层结构，包括顶层导电层和底层导电层，底层导电层包括至少一层第一导电层，顶层导电层覆盖该底层导电层的倾斜侧壁。从而，该顶层导电层能对该底层导电层的倾斜侧壁形成保护，能有效阻止剥离液进入该倾斜侧壁将倾斜侧壁上的小孔洞腐蚀成大的空洞。
一种薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]柔性显示模组及其制作方法和柔性电子设备-CN202110104101.3在审
发明人：陈明;晏国文;林俊仪 -专利权人：深圳市柔宇科技股份有限公司
申请日： 2021-01-26 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：一种柔性显示模组及其制作方法和柔性电子设备，柔性显示模组包括柔性基底和设于所述柔性基底上的显示组件，所述柔性基底包括相邻的透光区域和非透光区域，所述显示组件在所述柔性基底上的投影位于所述非透光区域内。通过在柔性基底上设置透光区域和非透光区域，并使显示组件在柔性基底上的投影位于非透光区域内，非透光区域能够对显示组件进行遮挡，从而有效阻挡光线照射到显示组件上，进而延长了柔性显示模组的使用寿命。
柔性显示模组及其制作方法电子设备

[发明专利]驱动薄膜晶体管及其制备方法、电路、显示屏、电子设备-CN202011473839.9在审
发明人： 晏国文 -专利权人：深圳市柔宇科技股份有限公司
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本申请提供一种驱动薄膜晶体管及其制备方法、驱动电路、显示屏、电子设备。所述驱动薄膜晶体管包括源极、漏极、沟道层及栅极层，所述栅极层包括至少两个栅极，所述至少两个栅极间隔设置，且设置于所述源极及所述漏极之间，所述至少两个栅极在所述沟道层上的正投影落入所述沟道层所在的区域内，所述源极、所述漏极分别与所述至少两个栅极绝缘设置，且分别电连接所述沟道层。本申请提供的驱动薄膜晶体管应用于显示屏时，可以克服或削弱显示屏残影现象。
驱动薄膜晶体管及其制备方法电路显示屏电子设备

[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示装置-CN202011291733.7在审
发明人： 晏国文 -专利权人：深圳市柔宇科技股份有限公司
申请日： 2020-11-17 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种阵列基板及其制备方法、显示装置，阵列基板包括：基板；驱动电路，设于基板上，驱动电路包括至少一个第一薄膜晶体管，第一薄膜晶体管包括第一有源层及第一栅极层，第一有源层与第一栅极层相对且绝缘设置，第一有源层与第一栅极层之间的间距为第一间距；像素电路，设于基板上，像素电路电连接驱动电路，像素电路包括至少一个第二薄膜晶体管，第二薄膜晶体管包括第二有源层及第二栅极层，第二有源层与第二栅极层相对且绝缘设置，第二有源层与第二栅极层之间的间距为第二间距，第二间距大于第一间距。本申请提供一种促进窄边框及提高显示效果的阵列基板及其制备方法、显示装置。
阵列及其制备方法显示装置

[发明专利]薄膜晶体管、显示面板及电子设备-CN202010473512.5在审
发明人： 晏国文;袁泽;万颖琦 -专利权人：深圳市柔宇科技有限公司
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜晶体管、显示面板及电子设备。本发明的薄膜晶体管包括第一栅极、第二栅极、及有源层，所述第一栅极与所述第二栅极分别绝缘设置在所述有源层相对的两侧，所述有源层包括依次层叠设置的第一阈值电压调控层、第一沟道层、高能带层、第二沟道层及第二阈值电压调控层；所述第一阈值电压调控层和所述第二阈值电压调控层用于调控所述有源层的阈值电压，防止所述有源层漏电；所述第一沟道层和所述第二沟道层用于提供载流子；所述高能带层用于隔离所述第一沟道层和所述第二沟道层，防止所述第一沟道层和所述第二沟道层漏电。本发明的薄膜晶体管，其有源层具有双沟道，开启时，可以提供更大的电流，具有更好的屏幕显示亮度。
薄膜晶体管显示面板电子设备

[发明专利]TFT基板及其制备方法、显示器以及电子设备-CN202110810258.8有效
发明人：彭蓉;晏国文 -专利权人：深圳市柔宇科技股份有限公司
申请日： 2021-07-19 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种TFT基板及其制备方法、显示器以及电子设备，TFT基板包括基板以及均设置于所述基板上的第一TFT电路和第二TFT电路，所述第一TFT电路包括设置于所述基板上的第一氧化物半导体有源层，所述第二TFT电路包括与所述第一氧化物半导体有源层位于同层的第二氧化物半导体有源层，所述第一氧化物半导体有源层的材料和所述第二氧化物半导体有源层的材料不相同。本发明能够在同一个基板上形成不同的TFT电路，实现阵列TFT的多样化。
tft 及其制备方法显示器以及电子设备

[实用新型]CMOS反相器、阵列基板和显示装置-CN202120380234.9有效
发明人：马龙全;晏国文 -专利权人：深圳市柔宇科技股份有限公司
申请日： 2021-02-19 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种CMOS反相器、阵列基板及显示装置，CMOS反相器包括N型氧化物薄膜晶体管和P型氧化物薄膜晶体管，N型氧化物薄膜晶体管包括第一栅极、第一源极和第一漏极，P型氧化物薄膜晶体管包括第二栅极、第二源极和第二漏极，第一栅极通过第一过孔接入输入信号，第二栅极通过第二过孔接入输入信号，第一漏极通过第三过孔接地，第一源极和第二漏极均通过第四过孔输出输出信号，第二源极通过第五过孔接入电源电压。通过在CMOS反相器中同时设置N型氧化物薄膜晶体管和P型氧化物薄膜晶体管的结构，且N型氧化物薄膜晶体管和P型氧化物薄膜晶体管可以彼此互补地开启和关闭，有利于减小薄膜晶体管尺寸，提高背板空间利用率。
cmos 反相器阵列显示装置

[发明专利]薄膜晶体管基板的制备方法、薄膜晶体管基板和显示装置-CN202110860532.2有效
发明人：彭蓉;晏国文 -专利权人：深圳市柔宇科技股份有限公司
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管基板的制备方法、薄膜晶体管基板和显示装置，薄膜晶体管基板的制备方法，包括以下过程：在基质上依次层叠有源层、栅绝缘层和栅极层；依次层叠第一层间介质层、第二层间介质层和第三层间介质层，所述第一层间介质层的材料和所述第二层间介质层的材料均为氧化硅，所述第一层间介质层的材料中氧元素的含量大于所述第二层间介质层的材料中氧元素的含量，所述第三层间介质层的材料为氮化硅或氮氧化硅；形成源极接触孔和漏极接触孔；形成源/漏极材料层；形成源极和漏极；去除所述第三层间介质层，得到所述薄膜晶体管基板。本发明能够杜绝SD残留。
薄膜晶体管制备方法显示装置

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