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[发明专利]用于水热法石英晶体生长高压釜的内壁保护层生成法-CN202310356721.5在审
发明人： 易际让;王晓刚;黄玲香;刘盛涨 -专利权人：山东博达光电有限公司
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C30B7/10 文献下载
摘要：本发明涉及水热法石英晶体生长技术领域，本发明公开了一种用于水热法石英晶体生长高压釜的内壁保护层生成法，高压釜内腔中设置籽晶架和原料筐，方法包括以下步骤：生成保护层的面积及所需SiO2的计算；生成保护层的溶液的计算；保护层试剂溶液的配制；在高压釜外部设置测温点；设定升温温度(还包括升温曲线)；将计算所得的SiO2以及保护层试剂溶液放入高压釜内，而后密封；按照设定的恒温温度启动高压釜升温后恒温运行；结束后，用去离子水对高压釜内釜壁进行清洗，得到带有保护层的高压釜内釜壁。本发明即可有效的去除附着的包裹体杂质，又可生成硅酸铁钠保护层。
用于水热法石英晶体生长高压内壁保护层生成

[发明专利]光学石英晶体的电扩散处理法及所用的夹持器组件-CN201710745240.8有效
发明人：刘盛浦;易际让;黄玲香;刘盛涨 -专利权人：山东博达光电有限公司
申请日： 2017-08-25 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C30B33/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种光学石英晶体的电扩散方法，包括以下步骤：对于待电扩散处理的光学石英晶体的上、下表面均进行光洁度和平行度的处理，再进行清洁处理，然后放入夹持器组件中进行电扩散：先以1500±100V/cm计算施加直流电场强度后打开直流高压电场，然后以每小时40±5℃的速率升温至恒温温度后保温12±1小时，再以每小时40±5℃的速率降温至室温时关断直流高压电场；所述恒温温度为520～570℃。本发明还同时公开了上述夹持器组件。
光学石英晶体扩散处理所用夹持组件

[实用新型]用于水热温差法晶体生长的双层旋转内挡板-CN202023003212.5有效
发明人： 易际让;王晓刚;刘盛浦 -专利权人：山东博达光电有限公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： C30B7/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于水热温差法晶体生长的双层旋转内挡板，被置于水热高压釜的内腔中，包括大小相等、且轴心线相重合的上挡板和下挡板；上挡板(1)与下挡板(3)之间的间距为可调间距；在上挡板(1)上分别设有上挡板下降通孔(6‑1)、上挡板上升通孔(6‑2)；在下挡板(3)上分别设有下挡板下降通孔(6‑3)和下挡板上升通孔(6‑4)；相对应的上挡板下降通孔(6‑1)和下挡板下降通孔(6‑3)的正投影与上挡板(1)轴心线的夹角为大于0°～小于90°。本实用新型通过对双层挡板的间距调整和上下板通孔的旋转角度的限定，改变矿化剂液体对流状态，使得高压釜生长区的晶体生长速率趋于一致，提高晶体的结晶均匀性。
用于温差晶体生长双层旋转挡板

[发明专利]人造石英晶体的优质籽晶片培育法-CN201911112170.8有效
发明人：刘盛浦;易际让;王晓刚 -专利权人：山东博达光电有限公司
申请日： 2019-11-14 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： C30B7/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种人造石英晶体的优质籽晶片培育法，包括以下步骤：一、将待切割的人造石英晶体切割成只保留部分正负电轴区域的框架晶体；二、将框架晶体切割成框架籽晶片；三、将框架籽晶片置于高压釜内进行晶体生长；四、将框架晶体长出部分进行切割，得到优质籽晶片。本发明利用在石英晶体的+X方向(正电轴方向)长出的晶体不会遗传继承籽晶片上的缺陷的特点，进行优质籽晶片的培育，将长成部分的晶体进行籽晶片切割，从而得到低腐蚀隧道密度的优质籽晶片。
人造石英晶体优质籽晶培育

[发明专利]一种用于水热温差法晶体生长的双层旋转内挡板-CN202011470286.1在审
发明人： 易际让;王晓刚;刘盛浦 -专利权人：山东博达光电有限公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： C30B7/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于水热温差法晶体生长的双层旋转内挡板，被置于水热高压釜的内腔中，包括大小相等、且轴心线相重合的上挡板和下挡板；上挡板(1)与下挡板(3)之间的间距为可调间距；在上挡板(1)上分别设有上挡板下降通孔(6‑1)、上挡板上升通孔(6‑2)；在下挡板(3)上分别设有下挡板下降通孔(6‑3)和下挡板上升通孔(6‑4)；相对应的上挡板下降通孔(6‑1)和下挡板下降通孔(6‑3)的正投影与上挡板(1)轴心线的夹角为大于0°～小于90°。本发明通过对双层挡板的间距调整和上下板通孔的旋转角度的限定，改变矿化剂液体对流状态，使得高压釜生长区的晶体生长速率趋于一致，提高晶体的结晶均匀性。
一种用于温差晶体生长双层旋转挡板

[发明专利]人造石英晶体籽晶片的腐蚀装置及腐蚀方法-CN201811207903.1有效
发明人：刘德辉;易际让 -专利权人：山东博达光电有限公司
申请日： 2018-10-17 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： C30B7/10 文献下载
摘要：本发明提供一种石英晶体籽晶片腐蚀控制装置：包括籽晶片腐蚀主体机架、腐蚀箱和水浴箱，籽晶片腐蚀主体机架上设置有定时器和带有电机的转轴，定时器与转轴连接，转轴上固定设置有牵引杆；牵引杆上设置有可自由转动的转轮，转轮上固定设置有牵引线，腐蚀箱顶部设置有牵引通孔和通气管孔，腐蚀箱放置在水浴箱中，牵引线依次穿过限位孔和牵引通孔后与提绳固定连接；本发明还提供一种石英晶体籽晶片腐蚀方法，人造石英晶体籽晶片在腐蚀液中往复运动；本发明强调了腐蚀液体的温度控制，有效的控制了腐蚀液的过饱和度，从腐蚀液浓度保障了匀速腐蚀。
人造石英晶体籽晶腐蚀装置方法

[实用新型]基于利用压电检测法的正负X面检测装置-CN201920213735.0有效
发明人： 易际让;刘德辉 -专利权人：泰安博联物联网科技有限公司
申请日： 2019-02-19 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种基于利用压电检测法的正负X面检测装置：包括下板和上板，下板两侧设置有下板导轨，下板导轨首尾两端分别设置有抵板，上板两侧设置有与下板导轨配合使用的上板导轨支架。本实用新型采用了两平面接触式挤压装置，避免了对物联网用器件的薄基片造成的棱角损伤，同时引入了弹性挤压构造和电极接触平面，将测试过程中薄基片棱角的损伤降到了最低。
下板上板本实用新型两侧设置薄基片棱角导轨损伤平面接触式测试过程弹性挤压导轨配合导轨支架电极接触挤压装置检测装置首尾两端压电检测物联网抵板引入

[发明专利]基于利用压电检测法的正负X面检测装置及检测方法-CN201910123144.9在审
发明人： 易际让;刘德辉 -专利权人：泰安博联物联网科技有限公司
申请日： 2019-02-19 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本发明提供一种基于利用压电检测法的正负X面检测装置：包括下板和上板，下板两侧设置有下板导轨，下板导轨首尾两端分别设置有抵板，上板两侧设置有与下板导轨配合使用的上板导轨支架，本发明还提供一种基于利用压电检测法的正负X面检测方法：包括以下步骤：1)、将待测基片放置在下板上；2)、推动上板从下板的尾端移动到首端，使上板电极推动待测基片，直至待测基片另一端与下板电极接触为止；3)、观看电荷放大器电表的显示情况。本发明采用了两平面接触式挤压装置，避免了对物联网用器件的薄基片造成的棱角损伤，同时引入了弹性挤压构造和电极接触平面，将测试过程中薄基片棱角的损伤降到了最低。
下板上板压电检测检测装置两侧设置薄基片棱角导轨损伤电荷放大器平面接触式测试过程弹性挤压导轨配合导轨支架电极接触挤压装置上板电极首尾两端下板电极物联网检测抵板首端尾端电表移动引入观看

[实用新型]石英晶体籽晶片腐蚀控制装置-CN201820690805.7有效
发明人：刘盛浦;王晓刚;易际让 -专利权人：山东博达光电有限公司
申请日： 2018-05-10 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本实用新型提供一种石英晶体籽晶片腐蚀控制装置，包括腐蚀箱和与电机连接的转轴，腐蚀箱位于转轴正下方，腐蚀箱包括箱体和与箱体配合使用的箱盖，箱盖上设置有通孔，箱体中放置有腐蚀筐，转轴上设置有可伸缩的牵引杆，牵引杆上设置有牵引线，牵引线穿过通孔与腐蚀筐固定连接。本实用新型改变了石英晶体籽晶片表面腐蚀的传统操作，腐蚀溶液与籽晶片的对流，加快了籽晶片腐蚀质量和速度，石英晶体籽晶片表面腐蚀更加均匀，提高了生产效率。
籽晶片石英晶体腐蚀箱转轴腐蚀控制装置本实用新型表面腐蚀牵引杆牵引线腐蚀通孔箱盖传统操作电机连接腐蚀溶液可伸缩的生产效率对流穿过

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