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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]黑色柱状间隔物或黑色矩阵用着色感光性组合物-CN201710395750.7有效
发明人：李星翰;郑铉晋;丁镇培 -专利权人： 易案爱富科技有限公司
申请日： 2017-05-31 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明涉及黑色矩阵或黑色柱状间隔物用着色感光性组合物，其具有优秀的耐化学性、高的紫外线及红外线透过性来有效用于黑色矩阵及黑色柱状间隔物的制备。
黑色柱状间隔矩阵着色感光性组合

[发明专利]光致抗蚀剂去除用剥离液组合物-CN201810178861.7有效
发明人：俞珍浩;李东昱;朴峻贤;金政郁;金珉姬;李相大 -专利权人： 易案爱富科技有限公司
申请日： 2018-03-05 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种抗蚀剂剥离液组合物，更详细而言，涉及不包含对人体有害的毒性物质、被剥离的抗蚀剂的溶解力优异而能够使过滤器堵塞等工序上的问题最小化且使金属配线的腐蚀最小化的光致抗蚀剂去除用剥离液组合物。
光致抗蚀剂去除剥离组合

[发明专利]聚硅氧烷类化合物、包含所述聚硅氧烷类化合物的氮化硅层蚀刻组合物-CN201910448499.5有效
发明人：金东铉;朴贤宇;李斗元;曹长佑;李明镐 -专利权人： 易案爱富科技有限公司
申请日： 2019-05-27 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： C08G77/28 文献下载
摘要：本发明提供了聚硅氧烷类化合物，包含所述聚硅氧烷类化合物的对氮化硅层有选择性的蚀刻组合物，以及制造包含所述蚀刻组合物的半导体器件的方法，其中根据本发明的包含所述聚硅氧烷类化合物的氮化硅层蚀刻组合物可以相对于氧化硅层选择性地蚀刻所述氮化硅层，并且具有非常优良的蚀刻选择比，并且即使当使用所述组合物的时间增加或反复使用所述组合物时，对氮化硅层的蚀刻速率变化小且蚀刻选择比的变化小。
聚硅氧烷类化合物包含述聚硅氧烷类氮化蚀刻组合

[发明专利]二次电池正极活性物质涂覆用溶剂、包含其的正极活性物质浆料及由其制造的二次电池-CN201810175705.5有效
发明人：丁镇培;申孝燮 -专利权人： 易案爱富科技有限公司
申请日： 2018-03-02 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01M4/62 文献下载
摘要：本发明涉及一种二次电池正极活性物质涂覆用溶剂、包含其的正极活性物质浆料及由其制造的二次电池。详细而言，根据本发明，可以使正极活性物质非常稳定地分散，提供以高含量负载的正极活性物质浆料，利用其不仅可以形成负载偏差显著减小的正极活性物质层，而且可以提供具有显著提高的容量特性及寿命特性的二次电池。
二次电池正极活性物质涂覆用溶剂包含浆料制造

[发明专利]氮化硅膜蚀刻组合物及利用其的方法-CN201910835738.2有效
发明人：金东铉;朴贤宇;曹长佑;金泰镐;李明护;宋明根 -专利权人： 易案爱富科技有限公司
申请日： 2019-09-03 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明涉及氮化硅膜蚀刻组合物，更具体地，涉及通过将聚硅化合物包含在蚀刻组合物中，从而相对于氧化硅膜能够以高选择比蚀刻氮化硅膜的氮化硅膜用蚀刻组合物、利用其的氮化硅膜的蚀刻方法及半导体元件的制造方法。
氮化蚀刻组合利用方法

[发明专利]双氧水稳定剂及包含其的蚀刻组合物-CN201710425495.6有效
发明人：李明翰;李宝研;安镐源;朴钟模;金世训 -专利权人： 易案爱富科技有限公司
申请日： 2017-06-08 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明提供双氧水稳定剂及包含其的蚀刻组合物，本发明的蚀刻组合物通过包含本发明的双氧水稳定剂，来当进行蚀刻工序时，防止过氧化氢的分解，并控制金属界面的过蚀刻，从而具有优秀的蚀刻特性。
双氧水稳定剂包含蚀刻组合

[发明专利]氮化硅膜蚀刻组合物-CN201910520688.9有效
发明人：金东铉;朴贤宇;李斗元;曺长佑;李明镐;宋明根 -专利权人： 易案爱富科技有限公司
申请日： 2019-06-17 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化硅膜蚀刻组合物，更具体而言，通过在蚀刻组合物中包含两种彼此不同的硅系化合物，相比于氧化硅膜能够选择性地蚀刻氮化硅膜，其蚀刻选择比显著，在用于蚀刻工序和半导体制造工序时，可以在抑制发生析出物且减少存在于周围的包含氧化硅膜的其他膜的异常生长方面提供卓越的效果。
氮化蚀刻组合

[发明专利]光刻胶去除用剥离液组合物-CN201710053375.8有效
发明人：金珉姬;郑玄铁;李相大 -专利权人： 易案爱富科技有限公司
申请日： 2017-01-22 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明的光刻胶去除用剥离液组合物具有如下的优点，即，即使未将对环境和人体有害的N‑甲基甲酰胺(N‑methylforamide，NMF)、N‑甲基吡咯烷酮(N‑methylpyrrolidone，NMP)作为主溶剂使用，也可在完成干式或湿式蚀刻后迅速剥离所改性的光刻胶，并且由于未在基板上残留异物及污痕，因此可明显提高工序上的效率。并且，还可使底膜的腐蚀最小化，从而具有可明显提高工序上的效率地优点。
光刻去除剥离组合

[发明专利]蚀刻组合物-CN201711049601.1有效
发明人：朴相承;金益儁;金世训 -专利权人： 易案爱富科技有限公司
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明提供蚀刻组合物以及利用其的蚀刻方法，本发明的蚀刻组合物包含过氧化氢、助氧化剂、防腐蚀剂和双氧水稳定剂，上述助氧化剂为选自银、铁、铜、镍、锰和铈中的一种以上的离子或者包含这些离子的有机或无机化合物，上述双氧水稳定剂为脂肪族环酮化合物、内酯化合物或它们的混合物。
蚀刻组合

[发明专利]蚀刻液组合物-CN201780002827.8有效
发明人：李明翰;安镐源;金世训 -专利权人： 易案爱富科技有限公司
申请日： 2017-10-13 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： C23F1/44 文献下载
摘要：本发明涉及一种蚀刻液组合物，包含：过氧化氢；分子内包含选自氧、硫和氮中的任意一种或两种以上的环状或芳香族化合物；氨基羧酸系或氨基磷酸系化合物；选自有机酸、无机酸或它们的盐中的任意一种或两种以上的化合物；底切抑制剂；以及包含C4以上的烷基胺。本发明的蚀刻液组合物在蚀刻工序中控制铜和钼膜的界面的过蚀刻，从而蚀刻工序稳定且能够改善蚀刻特性。
蚀刻组合

[发明专利]金属膜蚀刻组合物-CN201910212532.4在审
发明人：朴相承;金益儁;金希泰;李宝研;金世训 -专利权人： 易案爱富科技有限公司
申请日： 2019-03-20 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明涉及金属膜蚀刻组合物。根据本发明的金属膜蚀刻组合物包含过氧化氢、有机酸、二元醇系高分子和水，pH范围为3.0至4.4，相对于硅膜、透明导电膜等下部膜，具有对铜、钼等金属膜的高选择比或无限选择比，在相对高的pH范围内双氧水稳定性也优异，即使蚀刻重复进行而再使用多次，也能够持续维持初期优异的特性。此外，不仅在蚀刻时能够实现线性优异的带状轮廓，而且具有CD损失(CD loss)减少和抑制残渣产生的特性优异的效果。此外，由于组合物具有高稳定性，从而具有在使用前或使用后也能够持续地维持初期优异的特性的得到提高的保存稳定性，具有蚀刻时不产生析出物且能够抑制发热的效果。
金属膜蚀刻组合

[发明专利]金属膜蚀刻组合物及利用其的蚀刻方法-CN201910212233.0在审
发明人：朴相承;金益儁;金希泰;李宝研;金世训 -专利权人： 易案爱富科技有限公司
申请日： 2019-03-20 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： C23F1/16 文献下载
摘要：本发明涉及金属膜蚀刻组合物及利用其的蚀刻方法。根据本发明的金属膜蚀刻组合物包含过氧化氢、有机酸、二元醇系高分子和水，pH范围为3.0至4.4，相对于硅膜、透明导电膜等下部膜，具有对铜、钼等金属膜的高选择比或无限选择比，在相对高的pH范围内双氧水稳定性也优异，即使蚀刻重复进行而再使用多次，也能够持续维持初期优异的特性。此外，不仅在蚀刻时能够实现线性优异的带状轮廓，而且具有CD损失(CD loss)减少和抑制残渣产生的特性优异的效果。此外，由于组合物具有高稳定性，从而具有在使用前或使用后也能够持续地维持初期优异的特性的得到提高的保存稳定性，具有蚀刻时不产生析出物且能够抑制发热的效果。
金属膜蚀刻组合利用方法

[发明专利]铜蚀刻液组合物-CN201611197242.X有效
发明人：金涩琪;金世训 -专利权人： 易案爱富科技有限公司
申请日： 2016-12-22 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明涉及铜蚀刻液组合物，尤其涉及进行铜蚀刻时具有处理量增加及蚀刻均匀性的铜蚀刻液组合物，上述铜蚀刻液组合物包含：第一有机酸，含有一种以上胺基及一种以上羧酸基；第二有机酸；胺化合物；过氧化氢；以及磷酸盐化合物。
蚀刻组合

[发明专利]彩色滤光片用剥离液组合物及利用其的方法-CN201910820861.7在审
发明人：朴峻贤;曹长佑;李河娜;俞珍浩;李相大 -专利权人： 易案爱富科技有限公司
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明涉及彩色滤光片用剥离液组合物及利用其的剥离方法，根据本发明，具有在去除彩色光阻时使基板的腐蚀最小化的同时减少彩色光阻所需时间的效果，而且可在较低温度的工艺下去除基板上的彩色光阻，因此工艺容易、可提高彩色滤光片回收利用的生产性。
彩色滤光剥离组合利用方法

[发明专利]稀释剂组合物、基板处理方法及半导体元件制造方法-CN201910734591.8在审
发明人：李斗元;李相大;李明镐;宋明根 -专利权人： 易案爱富科技有限公司
申请日： 2019-08-09 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种稀释剂组合物、利用该组合物的基板处理方法及利用该方法的半导体元件制造方法，更详细而言，涉及一种适用于光刻胶减量涂覆、边缘光刻胶去除工艺等，能够减少光刻胶使用量，且能够去除晶片边缘或背面的多余的光刻胶的稀释剂组合物、利用该组合物的基板的处理方法及利用该方法的半导体元件的制造方法。
稀释剂组合处理方法半导体元件制造

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