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[发明专利]多层多芯片扇出型三维集成封装方法及结构-CN202111017250.2有效
发明人：夏晨辉;周超杰;王刚;吉勇;明雪飞 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种多层多芯片扇出型三维集成封装方法及结构。其包括如下步骤：步骤1、提供临时键合载板，并设置载板互连金属布线层；步骤2、在所述载板互连金属布线层上制备得到所需的底层塑封单元体；步骤3、在上述底层塑封单元体上制备若干层叠分布的层叠塑封单元体；步骤4、拆除上述临时键合载板与底层塑封单元体间的连接，并在拆除后，利用晶圆级植球工艺，在与底层塑封单元体连接的载板互连金属布线层上设置所需的封装体焊球，以形成所需的集成封装体。本发明与现有封装工艺兼容，能有效减少封装后的翘曲度，减少损耗，提高封装性能，安全可靠。
多层芯片扇出型三维集成封装方法结构

[发明专利]一种嵌入芯片的有机基板晶圆上集成结构-CN202310221871.5在审
发明人：王刚;明雪飞;袁渊;汤文学;王成迁 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L23/50 文献下载
摘要：本发明公开一种嵌入芯片的有机基板晶圆上集成结构，属于集成电路封装领域，通过将多个存储芯片嵌入有机基板晶圆内部，将计算芯片和配套的存储芯片面对面安装，通过电镀铜柱阵列将两种芯片的焊盘连接，与配套的计算芯片实现垂直互连，缩短了计算芯片与其多个配套存储芯片的互连路径，降低了芯片间的信号延迟，提高计算‑存储芯片间的传输信号质量和最大传输速率，进而将大量计算芯片、存储芯片和辅助芯片在一个晶圆上集成，实现芯片数量大、信号延迟低，总体算力高的计算系统。
一种嵌入芯片有机基板晶圆上集成结构

[发明专利]一种生物兼容微螺线管的晶圆级制备方法-CN202210860936.6有效
发明人：赵心然;王刚;明雪飞;吉勇;袁渊 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2022-07-22 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开一种生物兼容微螺线管的晶圆级制备方法，属于集成电路封装和医疗器材领域，在载板上制备线圈第一走线层；制备第一介质层覆盖第一走线层；在第一介质层表面制备磁性管芯；制备第二介质层覆盖所述磁性管芯；刻蚀介质层通孔贯穿第一介质层和第二介质层；制备通孔走线层和第二走线层；减薄底部的载板并划片，形成独立或组合的微螺线管结构；对每个所述微螺线管结构进行生物兼容聚合物涂覆并固化。本发明解决了传统植入式电刺激装置的胶质增生问题，可应用于植入式磁场刺激装置治疗各类神经疾病，避免组织液渗透进入微螺线管造成腐蚀以及重金属离子使组织中毒；通过使用晶圆级制备工艺完成整个工艺流程，实现了工艺一致性和批量生产。
一种生物兼容螺线管晶圆级制备方法

[发明专利]一种植入式磁场刺激探针装置的封装方法-CN202210860891.2有效
发明人：赵心然;王刚;明雪飞;吉勇;袁渊 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2022-07-22 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明公开一种植入式磁场刺激探针装置的封装方法，属于集成电路封装和医疗器材领域，若干个微螺线管构成微螺线管阵列，并集成在一个微米级芯片中，所述微米级芯片与其头部的尖端针头和其尾部的探针针体通过晶圆级封装工艺共同组成一个微米级探针结构。本发明通过晶圆级再布线工艺制备微螺线管线圈结构，通过PVD制备磁性管芯，通过键合引线将微螺线管与供电线互连，达到微米级磁场刺激探针结构的目标，避免传统电刺激探针的胶质增生问题，以及磁场探针尺寸过大导致的过热和刺激精度低的问题。本发明通过采用C型聚对二甲苯包覆探针的工艺，达到了植入式探针生物兼容的目标，通过采用晶圆级封装工艺，达到了加工一致性和批量生产的目标。
一种植入磁场刺激探针装置封装方法

[发明专利]一种植入式脑电波探针采集装置-CN202210654869.2在审
发明人：王刚;明雪飞;吉勇;周超杰;赵心然;夏晨辉 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： A61B5/369 文献下载
摘要：本发明公开一种植入式脑电波探针采集装置，属于医疗器材和集成电路封装领域，包括信号处理芯片、电源、无线通信芯片，内埋在包覆材料中形成包覆结构；所述包覆结构的背面布置有天线，正面设置有采集电极探针；所述采集电极探针通过所述包覆结构正面的互连金属布线层、与信号处理芯片、电源和无线通信芯片相连；所述天线通过所述包覆结构背面的互连金属布线层和贯穿所述包覆结构的垂直金属通道与所述无线通信芯片和所述电源相连。本发明将采集电极探针和信号处理等芯片集成在单一结构中，解决现有脑电波采集装置无法植入的问题；通过立体堆叠结构，解决植入式采集装置电极有效采集面积比例小的问题。
一种植入脑电波探针采集装置

[发明专利]一种基于双网络的无死锁多裸芯集成微系统高性能架构-CN202210299577.1在审
发明人：魏敬和;黄乐天;明雪飞;曹文旭;鞠虎;田青 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H04L49/109 文献下载
摘要：本发明提出了一种基于双网络的无死锁多裸芯集成微系统高性能架构。该架构由多个裸芯内部的双网络通过环形拓扑互连而成，且面向环形拓扑的多裸芯互连系统，通过允许参与环形传输的多个数据包行走在不同的子网络消除部分链路竞争，解决环形拓扑中的数据环形路由死锁问题。相比传统的虚通道方法更利于简化系统设计，降低硬件和时序开销；另外，该架构实现了裸芯内部网络与裸芯扩展端口的功能解耦与分离，保证了扩展端口与片间互连设计的灵活性和以及网络设计的可扩展性，有利于片间传输加速方法的运用，从而缓解节点拥塞，提高数据传输性能。
一种基于网络死锁多裸芯集成系统性能架构

[发明专利]一种三维集成TSV针肋微流道主动散热封装方法及结构-CN202111583684.9在审
发明人：周超杰;夏晨辉;王刚;明雪飞;李奇哲 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L23/473 文献下载
摘要：本发明公开一种三维集成TSV针肋微流道主动散热封装方法及结构，属于集成电路封装领域。在裸硅晶圆上刻蚀盲孔，并对其进行电镀填充，制成带TSV铜柱的硅基板晶圆；在硅基板晶圆的底部刻蚀出芯片槽并埋入异构芯片；在硅基板晶圆的底部表面形成RDL和UBM的多层互联金属再布线；减薄硅基板晶圆片的顶部直至漏出TSV铜柱；在减薄的硅基板晶圆上刻蚀出针肋微流道及进出口通道，完成TSV针肋微流道下盖板；重复上述工序制作出TSV针肋微流道上盖板；将TSV针肋微流道上盖板和TSV针肋微流道下盖板进行面对面SoIC键合，实现微流道密封，完成微流道单元；利用晶圆级植球工艺，在重构的多层硅基晶圆的UBM处植上焊球，再对三维集成TSV针肋微流道圆片进行划片形成最终的封装体。
一种三维集成 tsv 针肋微流道主动散热封装方法结构

[发明专利]一种三维集成嵌入式微流道主动散热封装方法及结构-CN202111583695.7在审
发明人：周超杰;夏晨辉;王刚;明雪飞;王成迁 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L23/473 文献下载
摘要：本发明公开一种三维集成嵌入式微流道主动散热封装方法及结构，属于集成电路封装领域。对基板进行刻蚀填孔形成TSV铜柱并减薄制成硅基衬底；在硅基衬底上刻蚀出微流道槽和进出口通道盲孔；将微流道盖板与硅基衬底进行硅硅键合；把TSV转接芯片倒装焊接至硅基衬底上，将异构芯片与微流道盖板键合；用底填胶将TSV转接芯片的倒装焊处凸点间的缝隙填实；将倒装的TSV转接芯片和异构芯片进行灌封固化重构形成树脂晶圆片；减薄漏出TSV转接芯片的铜柱和异构芯片的凸点；在树脂晶圆片上形成多层互联再布线；对硅基衬底进行减薄；将异构芯片固定在芯片槽内，依次实现的RDL和UBM多层互联金属再布线；在UBM处植上焊球，再对三维集成硅基圆片进行划片形成最终的封装体。
一种三维集成嵌入式微主动散热封装方法结构

[实用新型]一种基于转接芯片的高速互联封装结构-CN202122833260.5有效
发明人：王波;明雪飞;高娜燕 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本实用新型涉及集成电路高密度、高速互联封装技术领域，具体涉及一种基于转接芯片的高速互联封装结构，封装结构包括转接芯片、功能芯片、双面布线层、凸点/焊球；双面布线层通过上表面的焊盘与转接芯片和功能芯片的凸点A连接，转接芯片和功能芯片之间通过转接线路连接，双面布线层的下表面通过焊盘均匀布设有凸点B/焊球。本实用新型利用转接芯片结合双面布线层实现功能芯片间的高速互联，降低了封装方案对于基板内部线路的技术要求。本实用新型无需制作传统的基板，可通过结构灵活、互联密度高的双面布线层实现低成本集成电路封装。可以实现通用化，也可以根据产品的特点，调整转接芯片和再布线层的结构以满足定制化要求。
一种基于转接芯片高速封装结构

[发明专利]一种高屏蔽性和隔离度的射频芯片封装结构及封装方法-CN202111093457.8在审
发明人：夏晨辉;明雪飞;吉勇;王成迁;王刚 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路封装技术领域，具体涉及一种高屏蔽性和隔离度的射频芯片封装结构及封装方法，该封装结构包括上下两个正面相对设置的第一硅晶圆和第二硅晶圆，第一硅晶圆的正面设有若干个焊柱并形成有金属腔体，第二硅晶圆的正面键合有若干个射频芯片，焊柱焊接在第二硅晶圆的正面且每个射频芯片分别位于每个金属腔体内，焊柱的周围设有填充料，由此采用多个布线层与金属焊柱构成金属腔，有效实现了电磁波的屏蔽作用，并在多芯片的射频微波系统封装中，有效实现不同功能芯片之间的信号隔离；在该封装方法中，采用封装加工工艺，硅基板与硅帽的制造工艺相同，加工周期短，精度高。
一种屏蔽隔离射频芯片封装结构方法

[发明专利]嵌入式微流道的三维主动散热封装结构及其制作工艺-CN201811374347.7有效
发明人：朱家昌;明雪飞;高娜燕 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2018-11-19 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明涉及一种嵌入式微流道的三维主动散热封装结构及其制作工艺，属于集成电路封装的技术领域。所述三维主动散热封装结构包括三维封装结构；在所述三维封装结构顶层设有微流道芯片结构单元，所述微流道芯片结构单元包括嵌入微流道结构的IC芯片与微流道盖板，在所述三维封装结构底层设有二维异构集成结构单元，所述二维异构集成结构单元包括通过阵列凸点和底部填充层连接的TSV转接板与IC芯片，所述微流道芯片结构单元与二维异构集成结构单元通过阵列凸点和底部填充层连接，最终与嵌入微流道基板/外壳封装形成三维主动散热封装结构。本发明能极大降低三维封装系统层间热阻，有效提升电路散热能力，实现高密度、高性能的三维系统级封装，安全可靠。
嵌入式微三维主动散热封装结构及其制作工艺

[实用新型]一种垂直互连晶圆级封装结构-CN202020939072.3有效
发明人：王成迁;明雪飞;吉勇;李守委;徐罕 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本实用新型公开一种垂直互连晶圆级封装结构，属于集成电路晶圆级封装技术领域。该垂直互连晶圆级封装结构包括裸硅基体及其双面多层再布线的钝化层和金属线路。通过晶圆级双面再布线后，通过划片技术分离成单颗垂直互连通道单元，此垂直互连通道单元可以替代TSV、TMV和TGV等通孔被应用在三维硅基扇出型封装和2.5D转接板，制备方法简单、成本低，适合大规模量产应用。
一种垂直互连晶圆级封装结构

[发明专利]一种垂直互连晶圆级封装方法及结构-CN202010471579.5在审
发明人：王成迁;明雪飞;吉勇;李守委;徐罕 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开一种垂直互连晶圆级封装方法及结构，属于集成电路晶圆级封装技术领域。该垂直互连晶圆级封装结构包括裸硅基体及其双面多层再布线的钝化层和金属线路。通过晶圆级双面再布线后，通过划片技术分离成单颗垂直互连通道单元，此垂直互连通道单元可以替代TSV、TMV和TGV等通孔被应用在三维硅基扇出型封装和2.5D转接板，制备方法简单、成本低，适合大规模量产应用。
一种垂直互连晶圆级封装方法结构

[实用新型]一种射频前端与天线一体化三维集成封装结构-CN201922278601.X有效
发明人：夏晨辉;张爱兵;王刚;明雪飞;李杨;王成迁 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本实用新型公开一种射频前端与天线一体化三维集成封装结构，属于集成电路封装技术领域。该结构包括晶圆载体，所述晶圆载体的背面减薄后形成有布线层、钝化层和球下金属层；一部分球下金属层通过金属凸点与第二组件的正面倒装焊接，另一部分球下金属层生长有焊球凸点；基板，其散热金属面通过导热材料与所述第二组件的背面连接。本实用新型采用三维封装结构，有效实现了射频前端与天线封装的一体化和小型化。
一种射频前端天线一体化三维集成封装结构

[发明专利]一种高导热硅胶片的制备方法及高导热硅胶片-CN202010128821.9在审
发明人：朱召贤;朱家昌;夏晨辉;李杨;明雪飞;吉勇 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2020-02-28 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： C08L83/04 文献下载
摘要：本发明公开一种高导热硅胶片的制备方法及高导热硅胶片，属于导热材料技术领域。首先配制硅油溶液；再在硅油溶液中添加交联剂、阻燃剂、减重剂、增强剂和碳纳米管，室温搅拌30‑60min；然后将搅拌后的溶液置于不锈钢模具中密封，在室温下进行交联化反应，得到含溶剂的高导热硅胶片；最后对含溶剂的高导热硅胶片进行干燥得到高导热硅胶片。本发明具有原料易得、兼具散热与高机械强度一体化功能的优点；通过该方法制备出的高导热硅片在电子元器件的散热领域具有广阔的应用前景。
一种导热硅胶制备方法

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