|
|
钻瓜专利网为您找到相关结果 22个，建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]基板处理方法及基板处理装置-CN201811004790.5有效
-
日野出大辉;藤井定
-
株式会社斯库林集团
-
2018-08-30
-
2023-08-15
-
H01L21/02
- 本发明的基板处理方法包括：基板保持工序，将基板保持为水平；疏水剂供给工序，向所述基板的上表面供给疏水剂，所述疏水剂用于对所述基板的上表面进行疏水化；低表面张力液体供给工序，向所述基板的上表面供给低表面张力液体，以便将所述基板上的所述疏水剂置换为表面张力低于水的所述低表面张力液体；以及湿度调节工序，调节与所述基板上的液膜接触的环境气体的湿度，使所述疏水剂供给工序中的与所述基板上的液膜接触的环境气体的湿度成为第一湿度，并且使所述低表面张力液体供给工序中的与所述基板上的液膜接触的环境气体的湿度成为第二湿度，所述第二湿度低于所述第一湿度。
- 处理方法装置
- [发明专利]基板处理方法-CN202080074806.9在审
-
日野出大辉;太田乔;板原隆夫;中西恭平;岛野达矢
-
株式会社斯库林集团
-
2020-10-15
-
2022-06-10
-
H01L21/306
- 基板(WF)具有设置了成为功率器件的构造的多个芯片区域(RS)，并设置有被处理膜(501)。通过一边使基板(WF)旋转一边使传感器(81)在径向上进行扫描，测定径向上的被处理膜(501)的厚度分布。计算出厚度分布的平均厚度(davg)。提取厚度分布具有平均厚度(davg)的至少一个径向位置来作为至少一个候补位置。将至少一个候补位置中的至少一个决定为至少一个测定位置。一边使基板(WF)旋转一边自喷嘴(52)朝基板(WF)的被处理膜(501)上供给处理液。一边使基板(WF)旋转，一边通过传感器(81)在至少一个测定位置对被处理膜(501)的厚度的随时间的变化进行监视。
- 处理方法
- [发明专利]基板处理装置以及基板处理方法-CN202080064773.X在审
-
日野出大辉;太田乔;高桥光和;本庄一大;秋月佑介
-
株式会社斯库林集团
-
2020-05-25
-
2022-04-26
-
H01L21/304
- 本发明涉及一种基板处理装置以及基板处理方法。基板处理装置1具有处理单元14以及控制部18。处理单元14具有基板保持部31、旋转驱动部35、处理液供给部41、液体回收部50以及防护罩驱动部60。基板保持部31以水平姿势保持基板W。旋转驱动部35旋转基板保持部31。液体回收部50包括第一防护罩51、第二防护罩52以及液体导入口58。第一防护罩51以及第二防护罩52以围绕基板保持部31的侧方的方式配置。液体导入口58由防护罩划分。液体导入口58对被基板保持部31保持的基板W开放。防护罩驱动部60使第二防护罩52在铅垂方向上移动。控制部18根据被基板保持部31保持的基板W的形状控制防护罩驱动部60，由此改变液体导入口58的上端58T的高度位置。
- 处理装置以及方法
- [发明专利]基板处理方法以及基板处理装置-CN201810847899.9有效
-
日野出大辉;藤井定;柴山宣之
-
株式会社斯库林集团
-
2018-07-27
-
2022-02-08
-
H01L21/67
- 本发明提供基板处理方法及基板处理装置。基板处理方法包括：在由具有第一挡板及第二挡板的多个挡板包围的位置配置基板并保持基板的基板保持工序；使基板绕通过基板的中央部的铅垂的旋转轴线旋转的基板旋转工序；向基板的上表面供给使其疏水化的液体的疏水化剂供给工序；向基板的上表面供给低表面张力液体的低表面张力液体供给工序；在低表面张力液体供给工序开始前使多个挡板中的至少一个上下移动来将多个挡板的状态切换为第一挡板承接从基板飞散的液体的第一状态的第一挡板切换工序；以及在低表面张力液体供给工序的执行过程中使多个挡板上下移动来将多个挡板的状态从第一状态切换至第二挡板承接从基板飞散的液体的第二状态的第二挡板切换工序。
- 处理方法以及装置
- [发明专利]基板处理方法-CN201811638318.7有效
-
日野出大辉;藤井定
-
株式会社斯库林集团
-
2018-12-29
-
2021-11-02
-
B08B3/02
- 本发明涉及一种基板处理方法，能够降低基板污染的风险并在进行基板处理的过程中清洗相向部。该方法包括：基板液处理工序，在使相向部的下表面与基板的上表面相向且使它们以水平姿势旋转的状态下，对基板的上表面进行液处理；相向部清洗工序，在基板液处理工序的过程中执行该相向部清洗工序，清洗相向部。相向部清洗工序包括：冲洗液供给工序，向基板的上表面供给冲洗液；液膜形成工序，使基板以水平姿势旋转，来在基板的上表面形成在冲洗液供给工序中供给的冲洗液的液膜；清洗液供给工序，在通过液膜形成工序在基板的上表面形成有液膜的状态下，向相向部的下表面供给清洗液。液膜形成工序中的基板的转速小于基板液处理工序中的基板的转速。
- 处理方法
- [发明专利]基板处理方法-CN201710770930.9有效
-
日野出大辉;藤井定;武明励
-
株式会社斯库林集团
-
2017-08-31
-
2021-09-28
-
H01L21/02
- 一种基板处理方法，其包括：将基板水平保持的基板保持工序；在前述被保持为水平的基板的上表面相向配置相向部件的相向配置工序；由前述被保持为水平的基板、前述相向部件、以及在俯视下包围前述被保持为水平的基板及前述相向部件的挡板形成与外部的环境气体往来被限制的空间的空间形成工序；向前述空间供给非活性气体的非活性气体供给工序；通过一边维持前述空间一边使前述相向部件相对于前述被保持为水平的基板升降从而对前述基板的上表面与前述相向部件之间的间隔进行调整的间隔调整工序；在前述间隔调整工序之后向前述被保持为水平的基板的上表面供给处理液的处理液供给工序。
- 处理方法
- [发明专利]基板处理方法-CN202110673589.1在审
-
日野出大辉;藤井定;武明励
-
株式会社斯库林集团
-
2017-08-30
-
2021-09-21
-
H01L21/02
- 本发明提供一种能缩短形成低表面张力液体的液膜所需的时间并良好地排除液膜的基板处理方法。该方法包括：基板保持工序，将基板保持为水平；处理液供给工序，向基板供给包含水的处理液；基板旋转工序，使基板旋转；液膜形成工序，使基板以第一旋转速度旋转且向上表面供给表面张力低于水的低表面张力液体，使处理液置换为低表面张力液体，在上表面形成低表面张力液体的液膜；旋转减速工序，在处理液被置换为低表面张力液体后，继续进行液膜形成工序且使旋转减速到低于第一旋转速度的第二旋转速度；开口形成工序，在液膜形成工序结束后，在以第二旋转速度旋转的基板上的液膜的中央区域形成开口；液膜排除工序，使开口扩展，从上表面排除液膜。
- 处理方法
- [发明专利]基板处理方法-CN201710756122.7有效
-
日野出大辉;藤井定;武明励
-
株式会社斯库林集团
-
2017-08-29
-
2021-07-13
-
H01L21/67
- 一种基板处理方法，包括：将基板保持为水平的基板保持工序；将比水的表面张力更低的低表面张力液体供给至被保持为水平的基板的上表面，形成低表面张力液体的液膜的液膜形成工序；在液膜的中央区域形成开口的开口形成工序；通过将开口扩大而将液膜从被保持为水平的基板的上表面排除的液膜排除工序；向设定在开口的外侧的第一着液点，供给比水的表面张力更低的低表面张力液体的低表面张力液体供给工序；向设定在开口的外侧且比第一着液点更远离开口的第二着液点，供给使被保持为水平的基板的上表面疎水化的疏水化剂的疏水化剂供给工序；以及使第一着液点和第二着液点追随开口的扩大而移动的着液点移动的工序。
- 处理方法
- [发明专利]基板处理方法-CN201710764007.4有效
-
日野出大辉;藤井定;武明励
-
株式会社斯库林集团
-
2017-08-30
-
2021-06-18
-
H01L21/67
- 本发明提供一种能缩短形成低表面张力液体的液膜所需的时间并良好地排除液膜的基板处理方法。该方法包括：基板保持工序，将基板保持为水平；处理液供给工序，向基板供给包含水的处理液；基板旋转工序，使基板旋转；液膜形成工序，使基板以第一旋转速度旋转且向上表面供给表面张力低于水的低表面张力液体，使处理液置换为低表面张力液体，在上表面形成低表面张力液体的液膜；旋转减速工序，在处理液被置换为低表面张力液体后，继续进行液膜形成工序且使旋转减速到低于第一旋转速度的第二旋转速度；开口形成工序，在液膜形成工序结束后，在以第二旋转速度旋转的基板上的液膜的中央区域形成开口；液膜排除工序，使开口扩展，从上表面排除液膜。
- 处理方法
|
