“无锡英诺赛思科技有限公司”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果21个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种氮化镓器件位移损伤等级测试系统及方法-CN202310805466.8在审
发明人：周德金;钟磊 -专利权人： 无锡英诺赛思科技有限公司;清华大学无锡应用技术研究院
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓器件位移损伤等级测试系统及方法，属于氮化镓器件测试技术领域。本发明解决了现有氮化镓器件经中子辐照后产生位移损伤影响性能的问题，通过对未质子辐照的氮化镓器件进行电学性能测试，再将氮化镓器件连接在PCB测试板上，使用激光准直器以使靶室中心对准待测试氮化镓器件进行质子辐照；再对质子辐照后的氮化镓器件进行电学性能测试，并将两轮测试结果与预设参考值进行对比，有效对比出氮化镓器件在质子辐照后和未质子辐照前的电学性能结果与参考值的差距，进而获得氮化镓器件位移损伤等级结果；从而在氮化镓器件遭受同等辐照，有效预判出产生位移损伤程度，进而可提前布施检修方法，避免影响使用效率与使用寿命。
一种氮化器件位移损伤等级测试系统方法

[发明专利]一种半导体测试机校准装置及其测试校准方法-CN202310980901.0在审
发明人：周德金;潘彦宏;雷春晔 -专利权人： 无锡英诺赛思科技有限公司;清华大学无锡应用技术研究院
申请日： 2023-08-07 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G01R35/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体测试机校准装置及其测试校准方法，涉及半导体测试机技术领域。其包括测试台，测试台的侧面安装有控制机箱，测试台表面的边缘处设置有测试仪，测试台的内部设置有校准机构，测试台表面的中间位置设有底座，校准机构与底座的下表面连接，且校准机构与控制机箱之间信号连接，底座的表面嵌入有置物板，底座的两侧设有距离传感器。本发明解决了现有技术中无校准功能的问题，本发明通过测试仪对半导体件测试，半导体件放置在底座上的置物板中，而距离传感器可对底座的位置进行实时检测，判断底座的位置是否发生位移，若底座偏离出预先设置的距离范围，则通过控制模块驱动控制机箱控制校准机构对底座的位置进行校准。
一种半导体测试校准装置及其方法

[发明专利]带自启动功能的带隙基准电压产生电路-CN202211557095.8在审
发明人：周德金;徐宏;廖忠青;葛荣 -专利权人： 无锡英诺赛思科技有限公司;清华大学无锡应用技术研究院
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种带自启动功能的带隙基准电压产生电路结构。所提供的带自启动功能的带隙基准电压产生电路，一方面采用二极管代替传统的三极管，减小了芯片版图面积；另外一方面采用了高可靠低延时启动电路，不使用电阻和电容等无源器件，进一步减小芯片面积，提高了带隙基准电压产生电路的可靠性。本发明所提供的技术方案，具有低成本和小面积优势，可以广泛应用于各类高精度模拟和数模混合集成电路系统。
启动功能基准电压产生电路

[发明专利]高精度欠压保护电路-CN202211557667.2在审
发明人：周德金;杨烨;钟磊;濮旦晨 -专利权人： 无锡英诺赛思科技有限公司;清华大学无锡应用技术研究院
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H02H3/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种高精度欠压保护电路结构。所提供的高精度欠压保护电路，本发明的针对上电复位过程欠压保护输出状态进行了保护，采用上电复位电路控制整体欠压保护电路的状态；另外欠压保护输出电压采用专用电源VDD2，与欠压保护电路的电源VDD1隔离开，避免数字电路噪声对欠压保护电路的干扰；提高了欠压保护电路的可靠性和精度，可以广泛应用于各类高压集成电路及应用系统。
高精度保护电路

[发明专利]一种IGBT散热装置-CN202211293859.7在审
发明人：周德金;徐宏;陈珍海;葛荣;黄金荣 -专利权人： 无锡英诺赛思科技有限公司
申请日： 2022-10-21 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明公开了一种IGBT散热装置，涉及IGBT散热领域，解决了现有IGBT散热装置使用时内部液冷需要单独安装循环电机等元器件进行电路控制，增加自身产热量的同时增加了生产使用成本和损坏风险的问题，包括芯片、封装壳体、循环装置和降温装置，封装壳体内固定连接有液冷管，此IGBT散热装置，便于利用芯片运行时自身的发热量带动液冷管内的制冷液进行不断单向循环流动，并通过降温装置散发到外界，大大提升了散热效率的同时无需额外增加驱动电机和电路，减少内部器件的产热量，结构整体通过热力驱动，消耗内能产生机械能进行驱动，使得热量得以合理利用，节约了使用成本。
一种 igbt 散热装置

[发明专利]一种可量产氮化镓的全立式HPVE设备-CN202011419640.8有效
发明人：马君健;王晓莹;徐宏;吴振华;周德金;钟磊 -专利权人： 无锡英诺赛思科技有限公司;清华大学无锡应用技术研究院;江南大学
申请日： 2020-12-06 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种可量产氮化镓的全立式HPVE设备，具体涉及氮化镓生产技术领域，包括支腿和外壳体，所述外壳体底端的四个拐角处固定连接有支腿，所述外壳体的内部设置有内壳体，所述外壳体一端四个拐角处的内部设置有卡槽，所述外壳体的一端设置有盖板，所述盖板一端的四个拐角处固定连接有圆块，所述盖板的另一端固定连接有把手，所述外壳体的内壁固定连接有电热丝。本发明通过设置有固定柱、套筒、凸块、轴套、放置板和放置槽，将镓源放进放置槽中，因放置槽设置有若干个，放置板为圆形，可放置多个镓源，利用放置槽中设置有加热片，可对镓源进行加热，在反应结束后，可利用凸块将套接在固定柱上的套筒取下，使其便于拿取更换新的镓源。
一种量产氮化立式 hpve 设备

[发明专利]一种功率MOS器件的源漏击穿电压测试装置以及系统-CN202210555179.1在审
发明人：周德金;徐宏;钟磊;濮旦晨;葛荣 -专利权人： 无锡英诺赛思科技有限公司;清华大学无锡应用技术研究院
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供一种功率MOS器件的源漏击穿电压测试装置，包括横向底板，安装架，顶紧气缸，连接座，温度检测架结构，压力检测承重架结构，测试架结构，处理器，触摸显示屏和寄存器，所述的横向底板的上部右侧螺栓安装有安装架；所述的安装架的左侧螺栓安装有顶紧气缸；所述的顶紧气缸的下部螺栓安装有连接座；所述的连接座的下部安装有温度检测架结构；所述的横向底板的上部左侧安装有压力检测承重架结构；所述的安装架的右侧安装有测试架结构；所述的安装架的上部安装有处理器。本发明电流电压可以灵活调整，以及增加测试功能。
一种功率 mos 器件击穿电压测试装置以及系统

[发明专利]一种集成电路失效位置检查用装置以及方法-CN202210575006.6在审
发明人：徐宏;钟磊;周德金;廖忠青 -专利权人： 无锡英诺赛思科技有限公司;清华大学无锡应用技术研究院
申请日： 2022-05-24 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G01N21/88 文献下载
摘要：本发明提供一种集成电路失效位置检查用装置，包括检查台，支撑架，热发射显微镜，可调节存放架结构，可调供电架结构，可调节监测架结构和显示屏，所述的检查台的下部螺栓安装有支撑架；所述的检查台的上部左侧安装有热发射显微镜；所述的热发射显微镜的下部设置有可调节存放架结构；所述的检查台的中上部安装有可调供电架结构。本发明T型旋转杆的垂直段胶接有橡胶绝缘套，有利于在使用时方便使用者握住T型旋转杆在定位槽内转动，同时方便对夹装在弹簧接线夹内的二极管进行翻转，实现全方位的检测。
一种集成电路失效位置检查装置以及方法

[发明专利]一种用于失效分析的样品的处理装置-CN202210593038.9在审
发明人：钟磊;徐宏;廖忠青;周德金 -专利权人： 无锡英诺赛思科技有限公司;清华大学无锡应用技术研究院
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： G01N23/2202 文献下载
摘要：本发明提供一种用于失效分析的样品的处理装置，包括梯形工作台，防滑橡胶垫，带孔IC座，塑料支架，弯折观察架结构，吸尘补光架结构，电动马达，侧面支撑架，燕尾型限位滑槽，燕尾型移动滑块，锁紧螺栓，升降减速架结构，燕尾型升降板，齿槽移动板和打磨马达，所述的防滑橡胶垫胶接在梯形工作台的下部；所述的带孔IC座胶接在梯形工作台的上部；所述的塑料支架螺钉连接在梯形工作台的上部左侧。本发明矩形连接管、放大镜片和橡胶护眼罩的设置，有利于对的芯片表面的观察位置进行放大，保证工作人员可以清晰地看到打磨效果，提高该装置的打磨精度。
一种用于失效分析样品处理装置

[发明专利]一种半导体贴片机晶片反向防呆装置-CN202011466436.1有效
发明人：马君健;周德金;徐宏;刘宗伟;钟磊;韩婷婷;于理科 -专利权人： 无锡英诺赛思科技有限公司
申请日： 2020-12-13 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体贴片机晶片反向防呆装置，具体涉及半导体贴片设备技术领域，包括放置台和辅助清尘结构，所述放置台内部的顶端之间设置有辅助清尘结构，所述放置台的一端设置有辅助下料结构，所述放置台的另一端设置有辅助推拉结构，所述放置台的顶端设置有晶片，所述放置台的内部设置有辅助防呆结构，所述放置台的底端设置有辅助调节固定结构。本发明通过设置有放置槽、固定座、减速电机、螺纹杆、活动块、横杆和固定板，打开减速电机驱动螺纹杆进行转动，因横杆贯穿放置台两侧的内部，当螺纹杆转动时，螺纹杆上的活动块会向中间同时靠近，这时横杆一侧的固定板可根据晶片的宽度进行限位固定，使得适用性更高。
一种半导体贴片机晶片反向装置

[发明专利]用于高压集成电路的高性能芯片状态监测保护电路-CN202110349742.5有效
发明人：周德金;徐宏;陈珍海;韩婷婷;钟磊;李亮 -专利权人： 无锡英诺赛思科技有限公司;清华大学无锡应用技术研究院
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H03K17/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于高压集成电路的高性能芯片状态监测保护电路，该电路包括：高精度宽电压范围过温保护电路、高精度高可靠欠压保护电路、高精度高可靠过流保护电路和错误处理逻辑电路。本发明所提供的高性能芯片状态监测保护电路，一方面，在温度保护电路中采用共模干扰检测电路，避免共模噪声干扰，在共模噪声超过阈值的情况下提前锁定温度保护信号；另一方面，在欠压保护电路中采用电源毛刺检测电路，在异常情况下输出复位信号提前锁定欠压保护信号；此外，输出整形电路采用RC低通滤波和施密特触发器组合滤波，以滤除高频噪声的影响，保持了一定的迟滞量，从而产生稳定可靠的保护输出信号稳定性。
用于高压集成电路性能芯片状态监测保护电路

[发明专利]高精度模数转换器转换速度提升电路-CN202011022536.5有效
发明人：周德金;陈珍海;徐宏;吴振华;龚桦;黄伟 -专利权人： 无锡英诺赛思科技有限公司;清华大学无锡应用技术研究院
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H03M1/34 文献下载
摘要：本发明属于集成电路技术领域，具体为一种高精度模数转换器转换速度提升电路，该电路包括：信号输入电路、高精度ADC内核、高性能采样开关、保持电路、比较器、FIFO电路、数据求和电路以及数字校准电路。本发明所述高精度模数转换器转换速度提升电路采用微分信号处理技术，在传统中速高精度ADC内核基础上增加了输入模拟信号跟踪量化电路，实现模拟信号的高速跟随和量化，达到提升ADC转换速率的目的。所述模拟信号跟踪量化电路仅包括高性能采样开关、保持电路、比较器、FIFO电路以及数据求和电路，在不需要成倍增加硬件和功耗开销的条件下，快速提升ADC转换速度，具有低成本优势。
高精度转换器转换速度提升电路

[发明专利]超高压绝缘隔离IGBT半桥栅驱动电路-CN202110347587.3有效
发明人：周德金;马君健;黄伟;陈珍海 -专利权人： 无锡英诺赛思科技有限公司;清华大学无锡应用技术研究院
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于高压IGBT器件栅驱动所需要的超高压绝缘隔离IGBT半桥栅驱动电路，该电路包括输入接收电路、死区时间产生电路、低侧延时电路、低侧输出驱动电路、调制发送电路、4个高压电容、高共模瞬态抑制差分信号接收电路、高侧输出驱动电路、发送端低压产生电路和接收端低压产生电路。本发明所提供的超高压绝缘隔离SiC MOSFET栅驱动电路，一方面，采用高压绝缘隔离技术，可实现超高耐压绝缘电容；另一方面，可自动检测地电位共模瞬态噪声的大小，并在噪声超过阈值时对共模瞬态噪声产生的误差进行动态补偿。本发明可以广泛应用于驱动各类高压功率器件。
超高压绝缘隔离 igbt 半桥栅驱动电路

[发明专利]超高速绝缘隔离GaN半桥栅驱动电路-CN202110349643.7有效
发明人：周德金;徐宏;黄伟;陈珍海;马君健;李亮 -专利权人： 无锡英诺赛思科技有限公司;清华大学无锡应用技术研究院
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本发明涉及一种超高速绝缘隔离GaN半桥栅驱动电路，包括输入接收电路、数控高精度死区时间产生电路、低侧数控延时电路、低侧输出驱动电路、低侧栅压钳位电路、调制发送电路、高压电容、高共模瞬态抑制差分信号接收电路、高侧输出驱动电路、高侧栅压钳位电路、发送端低压产生电路、芯片状态监测电路和接收端低压产生电路。本发明可在高耐压的前提下提高信号处理速度；自动检测地电位共模瞬态噪声的大小，并在噪声超过阈值时对共模瞬态噪声产生的误差进行动态补偿；采用高精度死区时间控制技术，最大程度优化高低侧信号死区时间，提高输出信号相位精度；采用芯片状态实时监测和智能化保护电路，保证GaN工作在理想工作区，提高可靠性。
超高速绝缘隔离 gan 半桥栅驱动电路

[发明专利]一种芯片共晶焊接设备及共晶焊接方法-CN202011489045.1有效
发明人：周德金;马君健;徐宏;钟磊;刘宗伟;于理科 -专利权人： 无锡英诺赛思科技有限公司
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片共晶焊接设备，具体涉及芯片加工技术领域，包括底座和立柱，所述底座顶端的一侧固定连接有立柱，所述立柱的内部设置有调节机构，所述立柱的一侧固定连接有吸尘机构，所述立柱的另一侧设置有横杆。本发明通过设置有滑槽、调节块、吸盘、挡板和中心轴，传统的焊接装置对芯片进行夹持固定的时候容易造成芯片边角受损，利用在用于加工的工作台的顶端安装若干组吸盘，将芯片放置在吸盘的顶端然后向下轻轻压动，芯片就可以稳定的放置在吸盘上，还可以根据不同芯片的宽度来调节中心轴外部的挡板之间的角度，利用移动调节块即可对挡板的角度进行调节，这样固定芯片可以避免硬物夹持芯片造成的边角损坏的情况。
一种芯片焊接设备焊接方法

1
2
下一页»
尾页
共 21 条