“无锡晶湛半导体有限公司”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果7个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]LED结构、LED器件及LED结构的制备方法-CN202210204271.3在审
发明人：刘慰华 -专利权人： 无锡晶湛半导体有限公司
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：本公开提供的LED结构、LED器件及LED结构的制备方法，一方面包括衬底结构，衬底结构包括衬底以及间隔设置于衬底上的多个第一应力调制层；位于衬底结构上的发光单元；衬底结构包括上表面为第一应力调制层的第一区域和上表面为衬底的第二区域，位于第一区域上的发光单元和位于第二区域上的发光单元的发光波长不同，实现了在同一衬底上同时具有两种主发光波长的发光单元；另一方面通过本公开LED结构封装制备的LED器件，有效解决了传统LED背光芯片色域偏低的问题，且简化了LED背光芯片的制作步骤，降低LED背光芯片的制备成本。
led 结构器件制备方法

[发明专利]LED结构、LED器件及LED结构的形成方法-CN202210205169.5在审
发明人：刘慰华 -专利权人： 无锡晶湛半导体有限公司
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：本公开提供的LED结构、LED器件及LED结构的形成方法，一方面包括衬底结构，衬底结构包括至少一个第一区域和至少一个第二区域；衬底结构包括衬底以及多个位于衬底上的图案化的掩膜层，掩膜层位于第二区域的部分区域上；位于衬底结构上的发光单元，发光单元包括位于第一区域内的第一子发光结构以及位于第二区域内的第二子发光结构，第一子发光结构和第二子发光结构的发光波长不同，实现了在同一衬底上同时具有两种主发光波长的发光单元；另一方面通过本公开LED结构封装制备的LED器件，有效解决了传统LED背光芯片色域偏低的问题，且简化了LED背光芯片的制作步骤，降低LED背光芯片的制备成本。
led 结构器件形成方法

[发明专利]LED结构及其制备方法、LED器件及其制备方法-CN202111643366.7在审
发明人：郭志中;张丽旸 -专利权人： 无锡晶湛半导体有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种LED结构及其制备方法、LED器件及其制备方法。所述LED结构包括衬底、发光单元、第一电极及第二电极，衬底设有多个凹槽，多个凹槽的深度均不同。发光单元位于凹槽内，包括层叠设置的第一半导体层、发光层以及第二半导体层；处于不同深度的发光层的发光颜色不同。第一电极及第二电极；第一电极电连接于所述第一半导体层，所述第二电极电连接于所述第二半导体层。所述LED器件包括所述LED结构、控制结构及连接走线。各所述凹槽内分别设有所述控制结构；所述控制结构包括栅极、源极和漏极，所述源极和所述漏极位于所述栅极两侧；同一所述凹槽内所述第二电极通过所述连接走线与所述源极电连接。
led 结构及其制备方法器件

[发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202111594707.6在审
发明人：程凯 -专利权人： 无锡晶湛半导体有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L29/32 文献下载
摘要：本申请提供了一种半导体结构及其制备方法，属于半导体技术领域。其中，半导体结构包括：衬底；和叠置在衬底上的多个功能膜层，多个功能膜层包括叠置的第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层位于衬底和第二半导体层之间，第一半导体层包括多个朝向衬底凹陷的缺陷坑，缺陷坑被第二半导体层填充，第二半导体层远离第一半导体层的一侧为平面。本申请提供的半导体结构及其制备方法解决了现有技术中的半导体结构存在垂直漏电的问题。
半导体结构及其制备方法

[发明专利]LED结构及其制备方法-CN202110996553.7在审
发明人：刘慰华;程凯 -专利权人： 无锡晶湛半导体有限公司
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本公开提供了一种LED结构及其制备方法。该LED结构包括：第一导电类型半导体层；应力释放层，设于所述第一导电类型半导体层上，所述应力释放层为Ⅲ‑Ⅴ族半导体材料；V型层，设于所述应力释放层上，且具有V型坑，所述V型坑由所述应力释放层控制形成；多量子阱层，覆盖所述V型层背向所述应力释放层的表面，且填充所述V型坑；第二导电类型半导体层，设于所述多量子阱层背向所述第一导电类型半导体层的一侧，所述第二导电类型半导体层与所述第一导电类型半导体层的导电类型不同。本公开能够实现一种多波长LED结构。
led 结构及其制备方法

[实用新型]一种LED结构-CN202123217328.3有效
发明人：刘慰华 -专利权人： 无锡晶湛半导体有限公司
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种LED结构，包括衬底，以及在衬底上依次层叠设置的第一半导体层、量子阱结构以及第二半导体层，量子阱结构包括至少一层量子阱层，量子阱层包括靠近衬底一侧的势阱层、远离衬底一侧的势垒层以及设置于势阱层和势垒层之间的应力调制结构；应力调制结构的设置一方面避免了势阱层中的In元素分离逃逸，有效提高了势阱层的晶体质量，另一方面应力调制结构与下方结构间存在内建应力，使得在外部施加电场的情况下有利于载子在注入到应力调制结构下表面时实现二维扩展，进一步提高载子在势阱层中辐射复合的效率，从而提升LED结构的内量子效率。
一种 led 结构

[实用新型]增强型器件和电子设备-CN202123306173.0有效
发明人：程凯 -专利权人： 无锡晶湛半导体有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种增强型器件和电子设备，涉及半导体器件技术领域。该增强型器件上表面为碳面的碳化硅衬底；设置在碳化硅衬底上势垒层，势垒层包括生长在碳化硅衬底上的氮面极性AlN势垒层；设置在势垒层上的氮面极性GaN沟道层；设置在GaN沟道层上的帽层；第一凹槽贯穿部分帽层；以及栅极位于第一凹槽中，第一凹槽用于减薄栅极对应的外延结构的区域厚度，以降低增强型器件断开状态时栅极所处区域的二维电子气的浓度，实现了零栅压时增强型器件不导电的目的，并且提高了增强型器件的阈值电压。
增强器件电子设备

1
共 7 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top