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[发明专利]一种降低自支撑GaN衬底翘曲和位错的退火装置及方法-CN202310740634.X在审
发明人：方国栋;许柯;郝丽;潘华;庞博;张海涛 -专利权人： 无锡吴越半导体有限公司
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及第三代半导体GaN制造技术领域，且公开了一种降低自支撑GaN衬底翘曲和位错的退火装置及方法，包括石墨基座、支撑杆和退火腔室，所述石墨基座设置在退火腔室内侧，所述石墨基座所在退火腔室内壁设置有用于防止散热的保温材料，石墨基座所在退火腔室外侧壁设置有环形的电阻丝加热器，石墨基座的顶部样本放置面放置有自支撑GaN衬底。该降低自支撑GaN衬底翘曲和位错的退火装置，在高温下GaN会发生分解反应且分解反应会在位错处首先发生，从而减小位错密度，消除应力，经过退火之后，能够大大缓解翘曲，曲率半径可达到10m左右，位错密度可减小至107cm‑2左右，从而达到降低激光剥离后得到的自支撑GaN衬底翘曲和位错的目的。
一种降低支撑 gan 衬底退火装置方法

[发明专利]一种改善GaN厚膜生长缩径效应的正多边形基板及生长方法-CN202310740649.6在审
发明人：蒲小东;张海涛;方国栋;王素素;庞博;钟玉煌 -专利权人： 无锡吴越半导体有限公司
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明涉及第三代半导体GaN自支撑衬底材料制备技术领域，且公开了一种改善GaN厚膜生长缩径效应的正多边形基板及生长方法，包括生长基座，所述生长基座的顶部设置有多边形凸起，生长基座的顶部通过放置有钝化盖环和正多边形基板。本发明技术方案大幅改善生长厚度达5mm以上因缩径效应导致的生长面尺寸缩小从而得不到大尺寸晶锭的弊端，有效的将之前晶锭生长缩径角度从60度，提升至70‑80度，且边缘无多晶副产物产生，极小的缩径状况影响下可将生长厚度提升至8mm以上，且上表面(Ga面)的有效尺寸还能达到50.8mm直径，生长面有效拓宽后的高质量GaN晶锭通过后道切磨抛工艺可获得更多片及更大尺寸的GaN单晶自支撑衬底，有较大的成本缩减效应。
一种改善 gan 生长效应正多边形方法

[实用新型]一种GaN基激光器外延结构-CN202320156850.5有效
发明人：钟玉煌;潘华;张海涛 -专利权人： 无锡吴越半导体有限公司
申请日： 2023-02-08 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种GaN基激光器外延结构，该外延结构包括由下到上依次层叠的GaN衬底、第一N型发光层、P型欧姆接触层、第二N型发光层和电子供给层。与现有技术相比，本实用新型可以通过NPN结构层实现双向发光层，减少内损耗，从而提升激光器的激光功率，获得高光效的GaN激光器件。
一种 gan 激光器外延结构

[发明专利]一种HVPE三片式GaN厚膜用载盘及GaN厚膜生长方法-CN202310497272.6在审
发明人：王素素;方国栋;蒲小东;张海涛;庞博 -专利权人： 无锡吴越半导体有限公司
申请日： 2023-05-05 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C30B23/06 文献下载
摘要：本发明涉及氮化镓生长相关技术领域，且公开了一种HVPE三片式GaN厚膜用载盘及GaN厚膜生长方法，包括石墨载盘底座和载盘盖板，所述石墨载盘底座上环形阵列设置有三个放置衬底的凸起圆形平台，载盘盖板上开设有与凸起圆形平台相适配的圆形通孔，载盘盖板盖设在石墨载盘底座上，凸起圆形平台嵌入对应圆形通孔内侧。该HVPE三片式GaN厚膜用载盘及GaN厚膜生长方法，对GaN的沉积有一定的钝化作用，能有效减小厚膜生长的边缘效应，提升氮化镓厚膜晶体质量及良率，过单炉多片厚膜的形式，同时得到3个毫米级或者厘米级的体晶，有效避免氮化镓合成过程中的材料浪费，提升原料利用率，最终达到降低单片氮化镓单晶衬底生长成本的目的。
一种 hvpe 三片式 gan 厚膜用载盘生长方法

[发明专利]一种用于大尺寸氮化镓单晶生长的外延结构及其制备方法-CN202310469813.4在审
发明人：钟玉煌;张海涛;潘华;伍和军 -专利权人： 无锡吴越半导体有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C30B25/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于大尺寸氮化镓单晶生长的外延结构，该外延结构包括依次层叠的蓝宝石衬底，ScAlMgO4溅射层，缓冲层，GaN 3D岛状生长层，GaN 2D层状生长层和HT‑GaN生长层。与现有技术相比，采用本发明的外延结构可实现4英寸以上大尺寸氮化镓单晶的低成本量产，以及大尺寸氮化镓单晶片与蓝宝石衬底的自剥离。
一种用于尺寸氮化镓单晶生长外延结构及其制备方法

[实用新型]一种用于氮化镓晶片双面研磨的行星轮及装置-CN202320181634.6有效
发明人：刘俩;陆燕飞;李骏杰;秦博龙 -专利权人： 无锡吴越半导体有限公司
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： B24B37/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于氮化镓晶片双面研磨的行星轮，该行星轮包括行星轮本体，所述行星轮本体为硬质材料，所述行星轮本体设有若干个用于放置氮化镓晶片的通孔，各所述通孔的孔壁具有一层柔性层。与现有技术相比，本实用新型通过在行星轮通孔孔壁设置柔性层，将行星轮与晶片的硬性接触变为柔性接触，不仅能有效解决研磨加工时氮化镓晶片边缘崩角的问题，提高整体良率，还能提高晶片研磨效率和研磨的均一性。
一种用于氮化晶片双面研磨行星装置

[实用新型]一种用于氮化镓晶片研磨加工的研磨盘-CN202320181630.8有效
发明人：刘俩;陆燕飞;李骏杰;秦博龙 -专利权人： 无锡吴越半导体有限公司
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： B24B37/11 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于氮化镓晶片研磨加工的研磨盘。该研磨盘包括盘体，盘体的工作表面具有2～3条同心同向的螺旋槽，且didi+1，其中，di为由外向内数的第i条螺旋槽的槽深，di+1为由外向内数的第i+1条螺旋槽的槽深，i为正整数。与现有技术相比，采用本实用新型的研磨盘对氮化镓晶片的研磨效率可由现有的20‑30μm/h提升至32‑40μm/h，整体良率由95％左右提升至98％以上，粗糙度Ra(50*50um)由280nm左右降至240nm左右，同时降低钻石液的使用量。
一种用于氮化晶片研磨加工

[发明专利]一种用于氮化镓晶片双面研磨的行星轮及装置-CN202310097551.3在审
发明人：刘俩;陆燕飞;李骏杰;秦博龙 -专利权人： 无锡吴越半导体有限公司
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： B24B37/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于氮化镓晶片双面研磨的行星轮，该行星轮包括行星轮本体，所述行星轮本体为硬质材料，所述行星轮本体设有若干个用于放置氮化镓晶片的通孔，各所述通孔的孔壁具有一层柔性层。与现有技术相比，本发明通过在行星轮通孔孔壁设置柔性层，将行星轮与晶片的硬性接触变为柔性接触，不仅能有效解决研磨加工时氮化镓晶片边缘崩角的问题，提高整体良率，还能提高晶片研磨效率和研磨的均一性。
一种用于氮化晶片双面研磨行星装置

[发明专利]一种氮化镓晶片研磨工艺-CN202310106108.8在审
发明人：刘俩;陆燕飞;李骏杰;秦博龙 -专利权人： 无锡吴越半导体有限公司
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓晶片研磨工艺。该工艺是在氮化镓晶片研磨过程中，同时加入钻石研磨液和碱性研磨液，其中，碱性研磨液的磨料粒径D50小于钻石研磨液的钻石粒径D50。与现有采用钻石研磨液的研磨工艺，本发明方法晶片加工的研磨效率可由改进前的25～30μm/h提高至35～40μm/h，良品率由95％提高至98％以上。
一种氮化晶片研磨工艺

[发明专利]一种GaN基激光器外延结构-CN202310083229.5在审
发明人：钟玉煌;潘华;张海涛 -专利权人： 无锡吴越半导体有限公司
申请日： 2023-02-08 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN基激光器外延结构，该外延结构包括由下到上依次层叠的GaN衬底、第一N型发光层、P型欧姆接触层、第二N型发光层和电子供给层。与现有技术相比，本发明可以通过NPN结构层实现双向发光层，减少内损耗，从而提升激光器的激光功率，获得高光效的GaN激光器件。
一种 gan 激光器外延结构

[发明专利]一种基于ScAlMgO4-CN202310090268.8在审
发明人：钟玉煌;张海涛;刘良宏;潘华 -专利权人： 无锡吴越半导体有限公司
申请日： 2023-02-09 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于ScAlMgO4衬底的GaN外延结构，该外延结构包括依次层叠的ScAlMgO4衬底，缓冲层，GaN 3D岛状生长层，GaN 2D层状生长层和HT‑GaN生长层，其特点在于：在GaN 2D层状生长层和HT‑GaN生长层之间具有GaN 3D粗糙/GaN 2D恢复超晶格生长层和AlN插入层，AlN插入层与HT‑GaN生长层接触。与改进前相比，本发明改进后的GaN外延结构可进一步降低ScAlMgO4衬底上外延生长GaN薄膜的缺陷密度，氮化镓的XRD(002)和(102)的半峰宽可进一步降至180arcsec以下。
一种基于 scalmgo base sub

[发明专利]一种用于降低位错密度的多孔氮化镓基板制备方法-CN202211544596.2在审
发明人：蒲小东;张海涛;王素素;方国栋;刘良宏;钟玉煌;庞博 -专利权人： 无锡吴越半导体有限公司
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： C30B25/20 文献下载
摘要：本发明涉及第三代半导体GaN自支撑衬底材料制备技术领域，且公开了一种用于降低位错密度的多孔氮化镓基板制备方法。本发明是以激光剥离得到GaN籽晶基板，而后用激光打点分解GaN基板生长面的方法处理得到具有周期点阵多孔的氮化镓薄层，而后用HVPE来生长高质量的氮化物厚膜。利用HVPE生长速率快，特别是横向生长合并速度快的优势，可以填充足够深度的多孔3D缓冲层，使位错在较低生长厚度时就出现了侧向抵消和湮灭，从而进一步降低GaN厚膜生长的位错密度，缓解了在生长氮化镓厚膜过程中所出现的裂纹和晶格翘曲等问题，同时也克服了依靠掩膜、光刻、刻蚀等工艺制作多孔基板，生长厚膜过程中的高成本、工序复杂及重复稳定性差的问题。
一种用于降低密度多孔氮化镓基板制备方法

[发明专利]一种线切后氮化镓的处理方法-CN202310091586.6在审
发明人：刘俩;陆燕飞;李骏杰;秦博龙 -专利权人： 无锡吴越半导体有限公司
申请日： 2023-02-09 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明公开了一种线切后氮化镓的处理方法，该处理方法包括：先将氮化镓与强酸接触一定的时间；再将氮化镓与热碱液接触一定的时间。本发明采用用强酸和热碱对线切后的氮化镓进行预处理，与现有技术相比，经过强酸和热碱预处理的氮化镓，在研磨加工时移除率更高，在加快研磨效率的同时提高产品的良率和表面质量。
一种线切后氮化处理方法

[发明专利]一种用于氮化镓晶片研磨加工的研磨盘-CN202310097548.1在审
发明人：刘俩;陆燕飞;李骏杰;秦博龙 -专利权人： 无锡吴越半导体有限公司
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： B24B37/11 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于氮化镓晶片研磨加工的研磨盘。该研磨盘包括盘体，盘体的工作表面具有2～3条同心同向的螺旋槽，且didi+1，其中，di为由外向内数的第i条螺旋槽的槽深，di+1为由外向内数的第i+1条螺旋槽的槽深，i为正整数。与现有技术相比，采用本发明的研磨盘对氮化镓晶片的研磨效率可由现有的20‑30μm/h提升至32‑40μm/h，整体良率由95％左右提升至98％以上，粗糙度Ra(50*50um)由280nm左右降至240nm左右，同时降低钻石液的使用量。
一种用于氮化晶片研磨加工

[实用新型]一种新型HVPE承载座-CN202223275527.4有效
发明人：潘华;方国栋;周谦;樊志滨;张海涛;庞博 -专利权人： 无锡吴越半导体有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C30B25/12 文献下载
摘要：一种新型HVPE承载座，包括底座、承载体和弹力夹，所述承载体插设在底座上，承载体两侧均设置有用于卡住衬底的卡槽，将两个衬底的下部分别插设在两个卡槽后，通过弹力夹夹持住两个衬底的上部，从而使两个衬底均固定在承载体上。一种新型HVPE承载座，可以同时插入两个衬底，两个衬底在同一时间内均可以生长GaN晶体，进而提高生长效率，使得生产速度更快。
一种新型 hvpe 承载

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