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[发明专利]基于使用耦合感测邻近者来对非易失性存储器中的相邻存储元件之间的耦合进行补偿-CN200780027541.1有效
发明人： 方玉品;李彦 -专利权人：桑迪士克股份有限公司
申请日： 2007-07-18 - 公布日： 2009-08-19 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：非易失性存储器单元的浮动栅极(或其它电荷存储元件)上存储的表观电荷的偏移可能因基于相邻浮动栅极(或其它相邻电荷存储元件)中存储的电荷的电场耦合而发生。为了补偿此耦合，对给定存储器单元的读取或编程过程可考虑到相邻存储器单元的经编程状态。为了确定是否需要补偿，可执行一种过程，其包括感测关于相邻存储器单元(例如，在相邻位线或其它位置上)的经编程状态的信息。
基于使用耦合邻近非易失性存储器中的相邻存储元件之间进行补偿

[发明专利]减少非易失性存储装置的读取干扰-CN200680046056.4有效
发明人： 方玉品;万钧;杰弗里·卢策 -专利权人：桑迪士克股份有限公司
申请日： 2006-11-30 - 公布日： 2009-02-18 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本发明揭示一种用于减少或去除非易失性存储装置中的一种形式的读取干扰的系统。一个实施例通过消除存储器元件的沟道的升压或将其减到最小来设法防止读取干扰。举例来说，一个实施方案防止或减少在读取过程期间NAND串沟道的源极侧的升压。因为所述NAND串沟道的所述源极侧未升压，所以至少一种形式的读取干扰被减到最小或未发生。
减少非易失性存储装置读取干扰

[发明专利]浮动栅极之间的耦合效应减小的NAND电可擦除可编程只读存储器-CN200580043718.8有效
发明人： 方玉品;丹尼尔·C·古特曼 -专利权人：桑迪士克股份有限公司
申请日： 2005-12-15 - 公布日： 2007-12-26 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：对于非易失性存储器系统来说，将擦除阈值电压分布压缩为最低阈值电压状态将减小有效数据阈值电压窗口。减小所述有效数据阈值电压窗口会减小浮动栅极之间的耦合效应。可将所述压缩执行为擦除过程的一部分或编程操作的一部分。
浮动栅极之间耦合效应减小 nand 擦除可编程只读存储器

[发明专利]升压以控制非易失性存储器的编程-CN200580019388.9有效
发明人：丹尼尔·古特曼;尼玛·穆赫莱斯;方玉品 -专利权人：桑迪士克股份有限公司
申请日： 2005-04-20 - 公布日： 2007-05-30 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明揭示一种用于以较高精确度编程非易失性存储器的系统。在一个实施例中，所述系统包含：将一升压信号的一第一相位施加到一NAND串集合的一个或一个以上未选定字线；在施加所述升压信号的所述第一相位的同时，将一编程电平施加到所述NAND串的选定位线；和在施加所述升压信号的所述第一相位的同时，将一抑制电平施加到所述NAND串的未选定位线。随后，将所述升压信号的一第二相位施加到所述一个或一个以上未选定字线，且通过将所述抑制电平施加到所述选定位线来改变所述选定位线上的信号，使得与所述选定位线关联的NAND串将由所述升压信号的所述第二相位升压。将一编程电压信号施加到一选定字线以便编程连接到所述选定字线的存储元件。
升压控制非易失性存储器编程

[发明专利]用于非易失性存储器的编程控制的双调谐管理方法-CN200580019389.3有效
发明人：丹尼尔·C·古特曼;尼玛·穆赫莱斯;方玉品 -专利权人：桑迪士克股份有限公司
申请日： 2005-04-20 - 公布日： 2007-05-30 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明揭示在一用于编程非易失性存储器的系统中用于以较高精确度和合理的编程时间进行编程的技术。在一个实施例中，将一第一电压施加到一第一非易失性存储元件的一位线以便抑制所述第一非易失性存储元件。将一第一编程电压施加到所述第一非易失性存储元件。举例来说，将一编程脉冲施加到所述第一非易失性存储元件的一控制栅极。在所述编程脉冲期间，所述位线从所述第一电压改变为一第二电压，其中所述第二电压允许编程所述第一非易失性存储元件。
用于非易失性存储器编程控制调谐管理方法

[发明专利]用于非易失性存储器的粗略/精细编程的有效验证-CN200580007370.7有效
发明人：丹尼尔·C·古特曼;尼玛·穆赫莱斯;方玉品 -专利权人：桑迪士克股份有限公司
申请日： 2005-01-14 - 公布日： 2007-03-14 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：通过首先实施一粗略编程过程且随后实施一精细编程过程来对一非易失性存储器装置进行编程。通过使用一有效验证方案增强所述粗略/精细编程方法，所述有效验证方案容许对某些非易失性存储单元实施粗略编程过程验证，而对其他非易失性存储单元实施精细编程过程验证。可使用电流吸收、电荷包计量或其它合适方法来完成精细编程过程。
用于非易失性存储器粗略精细编程有效验证

[发明专利]用于非易失性存储器的粗略/精细编程的可变电流吸收-CN200580007369.4有效
发明人：丹尼尔·C·古特曼;尼玛·穆赫莱斯;方玉品 -专利权人：桑迪士克股份有限公司
申请日： 2005-01-25 - 公布日： 2007-03-14 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：通过首先执行一粗略编程过程并随后执行一精细编程过程来编程一非易失性存储器装置。通过使用一有效的检验方案来增强所述粗略/精细编程方法，所述有效的检验方案允许为所述粗略编程过程检验一些非易失性存储器单元，而为所述精细编程过程检验其它非易失性存储器单元。可使用电流吸收、电荷包计量或其它适当方法来完成所述精细编程过程。
用于非易失性存储器粗略精细编程可变电流吸收

[发明专利]用于非易失性存储器的粗略/精细编程的电荷包计量-CN200580007372.6有效
发明人：丹尼尔·C·古特曼;尼玛·穆赫莱斯;方玉品 -专利权人：桑迪士克股份有限公司
申请日： 2005-01-25 - 公布日： 2007-03-14 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：通过首先执行一粗略编程过程并随后执行一精细编程过程来编程一非易失性存储器装置。通过使用一有效的检验方案来增强所述粗略/精细编程方法，所述有效的检验方案允许为所述粗略编程过程检验一些非易失性存储器单元，而为所述精细编程过程检验其它非易失性存储器单元。可使用电流吸收、电荷包计量或其它适当方法来完成所述精细编程过程。
用于非易失性存储器粗略精细编程荷包计量

[发明专利]编程非易失性存储器-CN200580006490.5有效
发明人：格特简·海民克;方玉品 -专利权人：桑迪士克股份有限公司
申请日： 2005-01-10 - 公布日： 2007-03-07 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：对一组非易失性存储元件实施一个或一个以上编程操作。举例而言，所述编程操作可包括施加一组编程脉冲。实施一验证过程以确定所述非易失性存储元件中哪些已达到一中间验证阈值但尚未达到一最终验证阈值。在一降低的电平处对所述已达到所述中间验证阈值但未达到所述最终验证阈值的非易失性存储元件实施一个额外编程操作，然后禁止那些非易失性存储元件的进一步编程。尚未达到所述中间验证阈值的非易失性存储元件将继续编程。达到所述最终验证阈值的非易失性存储元件则被禁止编程。
编程非易失性存储器

[发明专利]用于减小相邻存储器单元排的存储元件之间的耦合效应的技术-CN03823462.9有效
发明人：若尔－安德里安·瑟尼;坎德克尔·N·夸德尔;李彦;陈健;方玉品 -专利权人：桑迪士克股份有限公司
申请日： 2003-08-13 - 公布日： 2005-11-30 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：本发明揭示用于减少因各单元之间的电容耦合而引起存储于若干存储器单元排中的视在电荷电平的错误读数的技术。首先，对一第一排的所有页面进行第一遍编程，随后对一第二相邻排的所有页面进行第一遍编程，此后对该第一排进行第二遍编程，然后对一第三排的所有页面进行第一遍编程，随后返回来对该第二排进行第二遍编程，在一阵列中的各排之间以一来回方式依此类推。此会使因后续向相邻的存储器单元排写入数据而可能对存储于存储器单元排上的视在电荷造成的影响最小化。
用于减小相邻存储器单元存储元件之间耦合效应技术

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