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[发明专利]一种增强纳米银薄膜光电性能的方法-CN201811054179.3有效
发明人： 方应翠;王帅;郝宏亮;李欢欢 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2018-09-11 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种增强纳米银薄膜导电性的方法，在纳米银薄膜制备纳米铜薄膜作为底膜，制备时采用真空蒸发镀膜的方法。本发明通过沉积纳米铜底膜增强了纳米银薄膜的导电性，方法简单、易于实现。
一种增强纳米薄膜光电性能方法

[发明专利]一种增大金属纳米颗粒膜局域表面等离激元共振波长的方法-CN202310599794.7在审
发明人：刘中华;方应翠 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种增大金属纳米颗粒膜局域表面等离激元共振波长的方法，是通过减小膜中相邻金属纳米颗粒的间距和增大环境折射率来增大金属纳米颗粒膜局域表面等离激元共振波长。本发明利用环境折射率与铜纳米颗粒间距的协同作用实现了金属纳米颗粒膜局域表面等离激元共振波长的增大，方法简单、操作方便，可实现产业化应用。
一种增大金属纳米颗粒局域表面离激元共振波长方法

[实用新型]变温电阻率测试装置-CN202223183821.2有效
发明人：汪杰;李小平;方应翠;杨林;熊磊;彭小进;何倩;赵云鹏 -专利权人：武汉嘉仪通科技有限公司;合肥工业大学
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G01N27/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种变温电阻率测试装置，其包括真空室、液氮室、电阻率测试平台、电阻率测试系统；液氮室置于真空室内；液氮室下方的冷头上设有与温度控制系统连接的第一温度传感器、加热棒；电阻率测试平台置于真空罩内，固定在冷头上，其包括样品台、样品架、样品卡、探针台、探针；样品台固定在冷头上；样品卡置于样品台、样品架形成的空腔内，待测试的薄膜样品置于样品卡中；探针台通过限位螺柱与样品架连接；限位螺柱上套有弹簧；探针固定在探针台上，在弹簧的作用下直接与薄膜样品表面接触；电阻率测试系统与探针、第二温度传感器连接。本实用新型能满足从低温到高温的测试需求，且方便更换样品，及实现对薄膜样品的无损检测。
电阻率测试装置

[发明专利]一种提高介质/Cu/Ag/介质多层透明导电膜可见光区光电性能和透过率均匀性的方法-CN202210751875.X在审
发明人： 方应翠;年宇杰;王帅 -专利权人：合肥工业大学智能制造技术研究院;合肥工业大学
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高介质/Cu/Ag/介质多层透明导电膜可见光区光电性能和透过率均匀性的方法，是在基底上依次沉积底层介质薄膜和Cu薄膜后，先在空气中放置一段时间，然后再依次沉积Ag薄膜和顶层介质薄膜。在空气中放置可以改变Cu的化学状态，进而增强了对Ag薄膜岛状生长的抑制效果，从而同时提高了多层透明导电膜可见光区光电性能和透过率均匀性。
一种提高介质 cu ag 多层透明导电可见光光电性能透过均匀方法

[发明专利]一种提高铜纳米颗粒表面等离激元共振稳定性的方法-CN202210399672.9在审
发明人： 方应翠;许彬;赵世奇;年宇杰 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高铜纳米颗粒表面等离激元共振稳定性的方法，是对铜纳米颗粒进行氧等离子体辐照，从而提高铜纳米颗粒的表面等离激元共振稳定性。本发明采取氧等离子体快速氧化技术，从铜纳米颗粒表面生长出壳层，阻止外部空气进入内部，从而维持铜纳米颗粒的表面等离激元共振稳定性，效果显著、效率高、操作简单。
一种提高纳米颗粒表面离激元共振稳定性方法

[发明专利]一种提高纳米银薄膜导电性的方法-CN202111287339.0在审
发明人： 方应翠;年宇杰;王帅 -专利权人：合肥工业大学智能制造技术研究院
申请日： 2021-11-02 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高纳米银薄膜导电性的方法，是先在基底上制备纳米氧化物薄膜，然后在纳米氧化物薄膜上制备纳米Ag薄膜，进而得到基底/氧化物/Ag薄膜。本发明的方法可以显著降低纳米Ag薄膜导电的阈值厚度，提高纳米Ag薄膜的导电性。
一种提高纳米薄膜导电性方法

[发明专利]一种非完全包覆型核壳纳米颗粒自驱动催化剂及其应用-CN202111157504.0在审
发明人： 方应翠;李磊;赵世奇;程志涛 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： B01J23/89 文献下载
摘要：本发明公开了一种非完全包覆型核壳纳米颗粒自驱动催化剂及其应用，其是由铜纳米颗粒和银纳米颗粒复合而成，铜纳米颗粒部分嵌入在银纳米颗粒中、部分裸露在银纳米颗粒外。本发明的自驱动催化剂在室温下自动高效分离催化剂内部电子和空穴，被分离的电子、空穴可以在室温、无光条件下催化降解水溶液中的有机污染物，使用条件简单、制备成本低，可广泛应用于无光条件下处理工业或生活污水等。
一种完全包覆型核壳纳米颗粒驱动催化剂及其应用

[发明专利]一种快速检测果皮中残留啶虫脒的方法-CN201610513632.7有效
发明人： 方应翠;曲锴;尤江;李欢欢;盛翔;刘晓阳 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2016-06-30 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：本发明公开了一种快速检测果皮中残留啶虫脒的方法，其特征在于：利用表面增强拉曼光谱法建立符合食品安全国家标准GB2763‑2014的待测水果的啶虫脒最大残留限量的SERS标准谱线；对待测水果的果皮进行检测，获取待测水果的SERS谱线，并与SERS标准谱线进行比较，判定待测水果的果皮中啶虫脒含量是否符合食品安全国家标准。本发明具有不需要对水果进行预处理、对检测样品无破坏、操作过程简单、可进行现场检测、耗费低等特点；检测方法具有普适性，通过适当修改，可以用来检测表皮光滑水果和蔬菜的表面上的其他除害剂或有毒物质。
一种快速检测果皮残留啶虫脒方法

[发明专利]一种增强纳米银/二氧化钛复合薄膜光催化性能的方法-CN201510073794.9有效
发明人： 方应翠;张冰;洪流;何金俊;张康 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2015-02-11 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： B01J27/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种增强纳米银/二氧化钛复合薄膜光催化性能的方法，其特征在于用氧等离子体辐照纳米银/二氧化钛复合薄膜。本发明有效增强了纳米银/二氧化钛复合薄膜的光催化性能，方法简单、易于实现，拓展了纳米银/二氧化钛复合薄膜在水质净化处理等方面的应用。
一种增强纳米氧化复合薄膜光催化性能方法

[发明专利]一种快速增强纳米银薄膜可见光降解效率的方法-CN201510735992.7在审
发明人： 方应翠;张冰;吴庆猛;何金俊;张康 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2015-10-30 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： B01J23/50 文献下载
摘要：本发明公开一种快速增强纳米银薄膜可见光降解效率的方法，其特征在于：使用空气等离子体辐照纳米银薄膜表面。本发明的方法简单快捷，非常便于实现，扩展了纳米银在可见光降解空气及水中有机污染物方面的应用。
一种快速增强纳米薄膜可见光降解效率方法

[发明专利]一种提高纳米银薄膜导电性的方法-CN201510121535.9有效
发明人： 方应翠;何金俊;洪流;张冰;张康 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2015-03-18 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高纳米银薄膜导电性的方法，其特征在于：用氩等离子体辐照纳米银薄膜。本发明的方法可以显著提高纳米银薄膜的导电性，甚至可以使原来不导电的纳米银薄膜具有导电性，方法简单、易于实现，进一步拓宽纳米银薄膜的应用范围。
一种提高纳米薄膜导电性方法

[发明专利]一种增强纳米银薄膜光催化性能的方法-CN201410188692.7有效
发明人： 方应翠;洪流;张冰;张宽翔;何金俊 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2014-05-06 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： B01J23/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种增强纳米银薄膜光催化性能的方法，其特征在于：通过氧等离子体辐照纳米银薄膜。本发明通过氧等离子体辐照增强了纳米银薄膜光催化性能，方法简单、易于实现，拓展了纳米银薄膜在水质净化处理方面的应用。
一种增强纳米薄膜光催化性能方法

[发明专利]一种通过热处理恢复二氧化钛薄膜超亲水性的方法-CN201210193011.7无效
发明人： 方应翠;张宽翔;王文 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2012-06-13 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： C01G23/047 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过热处理恢复二氧化钛薄膜超亲水性的方法，将亲水性降低或者消失的TiO2薄膜在空气中于400-500℃退火处理10-15min即可。本发明方法能有效的恢复薄膜的亲水性，采用400℃退火处理，已经能够使薄膜的亲水性完全恢复，亲水直径恢复为15mm。因此可以采用将薄膜在空气中加热到400℃持续10分钟的工艺恢复其亲水性。
一种通过热处理恢复氧化薄膜亲水性方法

[发明专利]一种对Si量子点掺杂的方法-CN200410025433.9无效
发明人： 方应翠;陆明;章壮健 -专利权人：复旦大学
申请日： 2004-06-24 - 公布日： 2005-03-16 - 主分类号： C09K11/59 文献下载
摘要：本发明为一种对Si量子点掺杂的方法。具体是采用真空蒸发技术在已经制备好的嵌有Si量子点的SiO₂薄膜表面上蒸镀一层TeF₃薄膜，然后低温退火，使CeF₃扩散到量子点周围，或量子点中。经本发明掺杂的Si量子点的荧光强度大为提高。本发明方法所用设备普通，工艺步骤简单，成本低廉。
一种 si 量子掺杂方法

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