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[发明专利]使用具有介电涂层的构件的工件加工系统-CN201880077979.9有效
发明人： 摩根·D·艾文斯;小尼斯特·E·艾伦;泰勒·伯顿·洛克威尔;理查德·J·赫尔特;约瑟夫·菲德立克·索莫斯;克里斯多夫·R·坎贝尔 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明公开一种用于在将粒子的产生减至最低程度的同时将离子植入到工件中的系统。具体而言，公开一种使用具有介电涂层的构件的工件加工系统。所述系统包括离子源，所述离子源具有抽取板，所述抽取板具有抽取开孔。所述抽取板被施加电偏压且还可涂布有介电材料。所述工件设置在台板上且由被施加电偏压的屏蔽件环绕。所述屏蔽件也可涂布有介电材料。在操作中，对所述屏蔽件及所述台板施加脉冲式直流电压，且在此脉冲期间从离子源吸引离子。由于使用了脉冲式电压，因此薄介电涂层的阻抗减小，从而使得所述系统能够恰当运行。
使用具有涂层构件工件加工系统

[发明专利]衬底处理与加热系统-CN201680026696.2有效
发明人： 摩根·D·艾文斯;杰森·M·夏勒;D·杰弗里·里斯查尔;阿拉·莫瑞迪亚;威廉·T·维弗;罗伯特·布然特·宝佩特 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2016-04-26 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种衬底处理与加热系统。揭露一种当衬底在负载锁室与平台之间传送时用于加热衬底的系统。所述系统包括发光二极管的阵列，其配置于对准站上方。发光二极管可为GaN或GaP发光二极管，其发出具有易于被硅吸收的波长的光，因此有效且快速地加热衬底。发光二极管可排列为使得对准期间的衬底旋转产生衬底的均匀温度分布。此外，对准期间的加热也可提高生产力以及省略目前与处理室连结的预加热站。
衬底处理加热系统

[发明专利]工件处理技术-CN201680036425.5有效
发明人： 摩根·D·艾文斯;凯文·安葛林;萝丝·班迪 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2016-06-24 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开用于处理工件的方法。通过测量离子束从工件移除或添加到工件的随离子束位置而变的材料的量，确定离子束的不同部分可处理工件的实际速率，所述实际速率被称为处理速率剖面。确定将处理的工件的最初厚度剖面。基于最初厚度剖面、目标厚度剖面以及离子束的处理速率剖面，确定第一组处理参数。接着使用此第一组处理参数处理工件。在一些实施例中，在第一处理之后确定经更新厚度剖面，且确定第二组处理参数。使用第二组处理参数执行第二处理。还公开用以改善生产量的优化。本发明通过测量离子束的随离子束位置而变的实际处理速率剖面，可实现对工件的经改善处理。
工件处理技术

[发明专利]工件处理系统和方法-CN201580055294.0有效
发明人： 摩根·D·艾文斯;凯文·安葛林;丹尼尔·迪斯塔苏;约翰·哈塔拉;丝特芬·罗伯特·舍曼;约瑟·C·欧尔森 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2015-10-09 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： C23C14/22 文献下载
摘要：本发明公开一种用于处理工件的系统和方法。用等离子室形成带状离子束，所述带状离子束经提取孔口提取。在提取孔口旁边平移工件以使工件的不同部分暴露于带状离子束。当工件暴露于带状离子束时，改变与等离子室相关的至少一个参数。可变参数包含提取电压占空比、工件扫描速度和离子束的形状。在一些实施例中，工件整体暴露于带状离子束之后，当参数改变时，旋转工件并再次将其暴露于带状离子束。此序列可重复多次。
工件处理方法装置

[发明专利]控制植入工艺的装置及离子植入机-CN201680024013.X有效
发明人：乔治·M·葛梅尔;摩根·D·艾文斯;斯坦尼斯拉夫·S·托多罗夫;诺曼·E·赫西;葛列格里·R·吉本雷洛 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2016-04-19 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：揭示一种控制植入工艺的装置及一种离子植入机。所述控制植入工艺的装置包括：束扫描器，在非均匀扫描模式期间施加多个不同波形，以产生离子束沿扫描方向的扫描，其中给定波形包括多个扫描区段，其中第一扫描区段包括第一扫描速率且第二扫描区段包括不同于所述第一扫描速率的第二扫描速率；电流探测器，拦截位于基板区之外的所述离子束并记录所述离子束对于给定波形的经测量积分电流；以及扫描调整组件，耦合至所述束扫描器且包括逻辑以用于确定：所述离子束沿所述扫描方向的束宽度何时超过阈值；以及基于所述离子束对于所述多个波形中的至少两个不同波形的所述经测量积分电流来确定多个电流比率。
控制植入工艺方法

[发明专利]设备及利用发光二极管加热的静电夹具-CN201680037201.6有效
发明人：杰森·M·夏勒;威廉·T·维弗;摩根·D·艾文斯;罗伯特·布然特·宝佩特;保罗·E·佩敢堵;朱利安·G·布雷克;大卫·伯拉尼克;阿拉·莫瑞迪亚 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2016-06-24 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明揭示一种设备及利用发光二极管加热的静电夹具。所述利用LED加热的静电夹具包括包含LED加热器的第一子组合件和包括静电夹具的第二子组合件。所述LED衬底加热器子组合件包含具有凹部的基底。多个发光二极管LED安置在所述凹部内。所述LED可为GaN或GaP LED，其在容易由硅吸收的波长处发光，因此有效且快速地加热所述衬底。包括静电夹具的所述第二子组合件安置在所述LED衬底加热器子组合件上。所述静电夹具包含在由所述LED发射的所述波长处为透明的顶部电介质层和内部层。一或多个电极安置于所述顶部电介质层与所述内部层之间以形成所述静电力。
利用 led 加热静电夹具

[发明专利]工件处理系统以及处理工件的方法-CN201580068755.8有效
发明人： 摩根·D·艾文斯;凯文·安葛林;D·杰弗里·里斯查尔;威廉·T·维弗;杰森·M·夏勒;罗伯特·布仁特·宝佩特 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2015-11-18 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明公开一种工件处理系统以及处理工件的方法。系统包括离子源及被排列成阵列的多个发光二极管，多个发光二极管射向工件的表面的一部分处。发光二极管被选择成使其发出处于易于由工件吸收的频率范围内的光，从而加热工件。在某些实施例中，发光二极管恰好在工件的一部分经离子束处理之前加热所述部分。在另一实施例中，发光二极管在工件的一部分正进行处理时加热所述部分。发光二极管可被排列成阵列，阵列可具有至少与离子束的宽度一样宽的宽度。阵列还具有垂直于其宽度的长度，长度具有一行或多行发光二极管。本发明实施例在处理期间选择性地及动态地加热工件的多个部分以利用特定半导体制造工艺的温度敏感性。
动态加热方法以及处理系统

[发明专利]混合热静电卡钳-CN201680021719.0在审
发明人： 摩根·D·艾文斯;杰森·M·夏勒;阿拉·莫瑞迪亚;D·杰弗里·里斯查尔;葛列格里·D·斯罗森 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2016-04-05 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：揭示一种具有改善的温度均匀性的静电卡钳。静电卡钳包含沿着环圈安装的LED阵列，以便照亮工件的外边缘。LED阵列中的LED可发射在易于由工件吸收的波长下的光，波长例如在0.4μm与1.0μm之间。使用由经加热的静电卡钳提供的传导性加热来加热工件的中心部分。工件的外部部分由来自LED阵列的光能加热。LED阵列可安置于静电卡钳的基底上，或可安置于单独的环上。可修改静电卡钳的上部介电层的直径以容纳LED阵列。
混合静电卡钳

[发明专利]离子植入系统中用于经改良的均匀度调整的技术-CN200980115538.4有效
发明人： 摩根·D·艾文斯 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2009-03-26 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明提供在离子植入系统中调整均匀度的方法。前述方法可通过一调整离子束均匀度的方法来实现。前述方法包括：于一离子植入系统中产生一离子束；沿着一离子束路径量测一第一离子束电流密度分布；沿着离子束路径量测一第二离子束电流密度分布；以及沿着离子束路径至少部分地依据第一离子束电流密度分布以及第二离子束电流密度分布来决定一第三离子束电流密度分布。
离子植入系统用于改良均匀调整技术

[发明专利]离子注入机的法拉第杯的磁性监控-CN200780050053.2有效
发明人：约瑟·P·迪宰桔雷斯契;摩根·D·艾文斯;杰·汤玛斯·舒尔;亚瑟温·谢帝;肯尼士·史温森 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2007-12-03 - 公布日： 2009-11-18 - 主分类号： H01J37/244 文献下载
摘要：本发明提供一种用于对离子注入机的法拉第杯进行磁性监控的方法。本发明包括：真空室及位于真空室内的法拉第杯，此法拉第杯用以在进入真空室的离子束路径内移动；磁性监控器放置于真空室周围，用以区分与法拉第杯相关联的磁场与杂散磁场。
离子注入法拉第磁性监控

[发明专利]从离子注入机移除分子裂片的技术-CN200780049272.9无效
发明人：克里斯多夫·R·汉特曼;杰·汤玛斯·舒尔;拉塞尔·J·罗;摩根·D·艾文斯;乔纳森·吉罗德·英格兰 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2007-11-08 - 公布日： 2009-11-11 - 主分类号： H01J7/18 文献下载
摘要：一种从离子注入机移除分子裂片的技术。在一实施例中，此技术可以是用于从离子注入机移除分子裂片的装置。该装置包括供应机构，其配置为耦接离子源室并向该离子源室供应进料材质。该装置还包括一种或多种氢吸收材质，其放置在进料材质的引流路径内，用以防止进料材质中的至少一部分含氢分子裂片进入离子源室。
离子注入分子裂片技术

[发明专利]离子束电流均匀度监控器、离子注入机以及其方法-CN200780021294.4无效
发明人：威廉·G·卡拉汉;摩根·D·艾文斯;乔治·M·葛梅尔;诺曼·E·赫西;葛桔·A·洛里斯;约瑟·C·欧尔森 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2007-06-05 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本案揭示了一种离子束电流均匀度监控器、离子注入机及相关的方法。在一实施例中，所述离子束电流均匀度监控器(15)包括：离子束电流测量器，包括多数个测量装置(17)，以测量离子束(12)内多个位置的电流；以及控制器(18)，以根据所述离子束电流测量器的离子束电流测量值来维持离子束电流均匀度。
离子束电流均匀监控器离子注入及其方法

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