专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]抗电磁波的散热复合膜层结构-CN202210309786.X在审
  • 丁肇诚;林谕贤;李裕安;王祥任 - 抱朴科技股份有限公司
  • 2022-03-28 - 2023-10-10 - H05K7/20
  • 一种抗电磁波的散热复合膜层结构,供用于披覆于可发出电磁波的元件表面,包含介电绝缘层,及抗电磁波散热单元。所述介电绝缘层由介电绝缘材料构成,披覆于所述元件表面上。所述抗电磁波散热单元形成于所述介电绝缘层表面,并具有抗电磁波特性,包括多层厚度介于5nm至1000nm的功能层,且其中至少一功能层由导热散热材料构成。本发明利用披覆于所述元件上具有抗电磁波且具有导热散热特性的功能层,不仅可屏蔽所述元件所发出的电磁波以避免电磁波干扰,同时还能提升元件整体的导热散热性。
  • 电磁波散热复合结构
  • [发明专利]高出光率的覆晶式发光二极管装置的制法及其制品-CN202110773486.2在审
  • 丁肇诚;郭浩中 - 抱朴科技股份有限公司
  • 2021-07-08 - 2023-01-13 - H01L33/50
  • 一种高出光率的覆晶式发光二极管装置的制法,包括:(a’)移除磊晶基板以裸露出覆晶式发光二极管晶粒的出光侧;(a)对已移除磊晶基板的覆晶式发光二极管晶粒的出光侧施予图案化处理,以在出光侧形成微米级至纳米级的图案;(b)于出光侧的微米级至纳米级的图案内填入波长转换构件,波长转换构件是选自量子点或尺寸介于微米至纳米间的荧光粉;(c)以原子层沉积法在所述波长转换构件上沉积保护层,令保护层覆盖出光侧的微米级至纳米级的图案与波长转换构件。图案化处理是实施在已移除磊晶基板的覆晶式发光二极管晶粒的出光侧,不存在有业界所诟病的散热阻碍,能在解决散热问题的前提下利用微米级至纳米级的图案与波长转换构件降低光子全反射率以提升出光率。
  • 高出光率覆晶式发光二极管装置制法及其制品
  • [发明专利]用于被动元件的表面处理工艺的治具-CN201910698975.9有效
  • 丁肇诚 - 抱朴科技股份有限公司
  • 2019-07-31 - 2022-12-27 - C23C16/458
  • 本发明公开了一种用于被动元件的表面处理工艺的治具,其构成主要包括:一承载板、形成于承载板之上的多个突起件、与多个侧板。如此设计,大量的表面黏着型被动元件被同时放入治具的承载板之上以后,只要适当地摇晃治具,便可以令各个表面黏着型被动元件微卡合于彼此相邻的任两个突起件之间,使得每个卡合固定的表面黏着型被动元件的每个表面能够与气流接触。因此,采用化学气相沉积或原子层沉积技术对每个表面黏着型被动元件执行一表面处理工艺时,表面黏着型被动元件的每个表面都可以被覆上均匀、致密的保护层。
  • 用于被动元件表面处理工艺
  • [发明专利]用于氨氧化处理的触媒-CN201811156303.7有效
  • 丁肇诚 - 抱朴科技股份有限公司
  • 2018-09-28 - 2022-08-02 - B01D53/86
  • 本发明提出一种用于氨氧化处理的触媒,于组成上包括:多个颗触媒颗粒以及用以携载该多个颗触媒颗粒的一担体。特别地,本发明以铂或者包含铂的复合物制成该多个颗触媒颗粒,并且令晶面为(111)的该触媒颗粒与晶面为(101)的该触媒颗粒于该担体之上具有一分布比例,且该分布比例介于1:1至10:1之间。实际应用本发明之时,只需要将上述之用于氨氧化处理的触媒于一操作温度下置于带有氨气的废气之中,就能够基于高氮气选择率将该氨气氧化。
  • 用于氧化处理触媒
  • [实用新型]抗电磁波的散热复合膜层结构-CN202220684529.X有效
  • 丁肇诚;林谕贤;李裕安;王祥任 - 抱朴科技股份有限公司
  • 2022-03-28 - 2022-07-26 - H05K7/20
  • 一种抗电磁波的散热复合膜层结构,供用于披覆于可发出电磁波的元件表面,包含介电绝缘层,及抗电磁波散热单元。所述介电绝缘层由介电绝缘材料构成,披覆于所述元件表面上。所述抗电磁波散热单元形成于所述介电绝缘层表面,并具有抗电磁波特性,包括多层厚度介于5nm至1000nm的功能层,且其中至少一功能层由导热散热材料构成。本实用新型利用披覆于所述元件上具有抗电磁波且具有导热散热特性的功能层,不仅可屏蔽所述元件所发出的电磁波以避免电磁波干扰,同时还能提升元件整体的导热散热性。
  • 电磁波散热复合结构
  • [发明专利]LED元件及利用该LED元件的照明装置-CN202010119375.5有效
  • 丁肇诚 - 抱朴科技股份有限公司
  • 2020-02-26 - 2022-07-01 - H01L33/48
  • 本发明主要提出一种LED元件及利用该LED元件的照明装置,LED元件主要包括:一LED芯片、一封装胶体、以及一荧光粉。其中,该封装胶体包覆该LED芯片,且该荧光粉掺杂于该封装胶体之内。依据本发明的设计,在该LED芯片所发出的一短波长色光射入该封装胶体之后,一特殊色光即透过该封装胶体射出。并且,该特殊色光的基础组成包含:相对强度为1的一第一色光、相对强度介于0.6至0.8之间的一第二色光、以及相对强度介于0.4至0.6之间的一第三色光。显然地,本发明能够做到令单一LED元件发出粉色、桃红色、等与女性气质相联系的特殊色光。
  • led元件利用照明装置
  • [实用新型]具有高散热性的发光二极管封装结构-CN202123177189.6有效
  • 丁肇诚;李裕安;林谕贤 - 抱朴科技股份有限公司
  • 2021-12-16 - 2022-04-29 - H01L25/075
  • 一种具有高散热性的发光二极管封装结构,包含承载基板、多个发光单元,及散热单元。所述发光单元设置于所述承载基板上,且各自具有发光磊晶结构,及形成于所述发光磊晶结构上,供用于对外电连接的电极组。所述散热单元披覆于所述承载基板的至少部分表面,而与所述发光单元位于同侧,且所述散热单元是以原子层沉积方式形成,总厚度不大于1μm,可致密且完整地披覆于所述承载基板与所述发光单元表面,用于将所述发光单元作动时产生的热对外逸散,同时不影响出光。
  • 具有散热发光二极管封装结构
  • [实用新型]高出光率的覆晶式发光二极管装置-CN202121550523.5有效
  • 丁肇诚;郭浩中 - 抱朴科技股份有限公司
  • 2021-07-08 - 2021-11-30 - H01L33/50
  • 一种高出光率的覆晶式发光二极管装置,其包括覆晶式发光二极管晶粒、波长转换构件,及保护层。该覆晶式发光二极管晶粒包括已移除磊晶基板且具有微米级至纳米级的图案的出光侧。所述波长转换构件填置于该微米级至纳米级的图案内,且所述波长转换构件是选自量子点或尺寸介于微米至纳米间的荧光粉。该保护层由原子层沉积法所制得,且沉积在所述波长转换构件上以覆盖该出光侧的微米级至纳米级的图案与波长转换构件。本发明覆晶式发光二极管晶粒的出光侧已移除掉该磊晶基板,不存在有业界所诟病的散热阻碍,能在解决散热问题的前提下,也利用该微米级至纳米级的图案与所述波长转换构件降低光子的全反射机率以提升出光率。
  • 高出光率覆晶式发光二极管装置
  • [实用新型]原子层沉积及蚀刻设备-CN202120900962.8有效
  • 丁肇诚;李裕安;陈柏州 - 抱朴科技股份有限公司
  • 2021-04-28 - 2021-11-16 - C23C16/455
  • 本实用新型提供一种原子层沉积及蚀刻设备,包含腔体、矩形载台及多个进气管。所述矩形载台位于所述腔体中,用于承载至少一待处理物,所述进气管位于所述矩形载台的周围,每一个所述进气管具有至少一面向所述至少一待处理物的进气口。通过设置多个进气管,以提升对待处理物的处理质量及结构制作的便利性,且可避免需多次对所述腔体破真空,除了能降低粒子污染的影响,还能缩短制程时间。
  • 原子沉积蚀刻设备

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