“折宇”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果8个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种降低桶式外延炉自掺杂效应的结构、方法及抗单粒子双极三极管-CN202310722339.1在审
发明人：刘依思;任永宁;折宇;葛洪磊;李钊 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低桶式外延炉自掺杂效应的结构、方法及抗单粒子双极三极管，属于半导体集成电路领域。首先，将重掺低阻硅衬底材料放入桶式外延炉内，在硅衬底材料表面进行外延生长形成第一层外延层，其中，该外延层包含一层较薄的外延本征层，生长后第一层外延层厚度小于设定外延层总厚度，然后在第一层外延层的基础上，经过通过开腔后再开始第二次外延生长，并生长至已设定的外延层总厚度。通过以上操作步骤，重掺低阻硅衬底材料在第一层预淀积本征层生长封住后，再借由开腔分炉的方法，可以将外延系统内部停滞层的杂质被带走，不仅达到大幅降低外延炉系统内自掺杂效应的目的，同时还能提升单炉产能。
一种降低外延掺杂效应结构方法粒子三极管

[发明专利]一种金属互连层腐蚀方法-CN202211192126.4在审
发明人：张万垚;杨尚洁;折宇;李林;邵璐;刘存生 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属互连层腐蚀方法，属于半导体模拟集成电路领域，首先在已制备好的铬硅系电阻硅片上使用物理气相淀积工艺制备金属铝硅铜膜质；使用光刻工艺完成金属层图形的制备；使用烘箱进行坚膜，保证光刻胶形貌；使用打底膜工艺去除光刻显影后的残留；使用铝硅铜腐蚀液对金属层进行腐蚀；进行干法去胶，去除表层的光刻胶；利用扫硅渣液去除金属腐蚀后留下的硅渣；进行湿法有机清洗，对残留光刻胶及颗粒进一步去除；使用双氧水对薄膜电阻区TiW阻挡层进行腐蚀；薄膜电阻金属互连层制备完成。本发明工艺简单，可操作性强，应用前景广阔，在模拟集成电路制造过程中即可完成对该铬硅系薄膜电阻金属互连层的腐蚀。
一种金属互连腐蚀方法

[发明专利]一种铬硅系薄膜电阻及其制备方法-CN202110662034.7有效
发明人：杨尚洁;杨永峰;张万垚;李林;折宇;陈宝忠 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：本发明属于薄膜电阻制备技术领域，公开了一种铬硅系薄膜电阻及其制备方法，包括以下步骤：在衬底上使用化学气相沉积法沉积二氧化硅绝缘层；使用物理气相沉积法在二氧化硅绝缘层上先沉积铬硅电阻层，再沉积钛钨层；使用化学气相沉积法在钛钨层上沉积二氧化硅层，作为硬掩膜；在硬掩膜上完成电阻图形的制备；对二氧化硅层进行刻蚀，形成硬掩膜窗口；使用强氧化溶剂对硬掩膜窗口的钛钨层进行去除；对铬硅电阻层进行干法预刻蚀；使用湿法化学腐蚀法对铬硅电阻层进行腐蚀，得到铬硅系薄膜电阻。使用硬掩膜作为刻蚀阻挡层可解决湿法腐蚀的侵蚀问题，使用干法预刻蚀解决湿法腐蚀速率非线性变化的问题，可有效控制电阻图形的宽度、长度，提高电阻的精度。
一种铬硅系薄膜电阻及其制备方法

[发明专利]一种汽车产品铝制零部件钎焊层涂覆方法-CN202110059461.6有效
发明人：刘涛;刘永强;折宇;赵阳博;罗伟伟 -专利权人：西安嘉和华亨热系统有限公司
申请日： 2021-01-15 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： B23P15/26 文献下载
摘要：本发明属于汽车散热器钎焊技术领域，公开了一种汽车产品铝制零部件钎焊层涂覆方法，包括：将待加工的主片放入清洗筐内，利用超声波清洗设备进行清洗；利用去离子水、粘合剂和钎焊剂配比喷涂所需的钎剂溶液；将清洗后的主片置于烘干炉中，烘干备用；将配比好的溶液倒入压力桶；人工手动将溶液均匀的喷涂在主片表面；待主片自然晾干即可。本发明提供的钎剂配比方便，不需要重复利用，无杂质进入，可以保证钎剂浓度；采用主片预喷涂方法，减少加工人数，降低劳动强度，可以保证钎剂均匀的喷涂在主片上，降低焊接缺陷，有效解决两次不同钎剂浓度喷涂(散热带与散热管钎剂喷涂和散热管与主片钎剂喷涂)导致的效率低、操作困难、钎焊缺陷问题。
一种汽车产品铝制零部件钎焊层涂覆方法

[发明专利]一种用于SiO2-CN202210858147.9在审
发明人：张旭杰;刘如征;王刚平;折宇;刘存生 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiO2研磨液残留物的监控方法，属于半导体制造工艺领域，首先将淀积特定厚度PETEOS膜层的硅片，研磨一定时间，并完成清洗工序，然后扫描缺陷。在初次扫描之后，在硅片表面再淀积一定厚度的PETEOS膜层作为放大层，研磨液残留物的尺寸就会被放大，能够被缺陷扫描仪准确检出。通过计算两次缺陷扫描结果的差值，准确判断研磨液残留情况，清洗方法使用PVA毛刷，通入特定浓度的氨水，对硅片进行刷洗，然后兆声清洗，之后使用加热去离子水冲洗，最终高速旋转甩干，完成清洗工序。与现有技术相比，提高了清洗能力，可以同时满足多种不同型号SiO2研磨液的清洗要求。
一种用于 sio base sub

[发明专利]一种低压化学气相淀积法淀积两层钨硅的方法-CN202010621624.0在审
发明人：李博;折宇;陈宝忠 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2020-07-01 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： C23C16/42 文献下载
摘要：本发明一种低压化学气相淀积法淀积两层钨硅的方法，方法包括如下步骤：步骤1，将待淀积的硅片传入缓冲腔，待缓冲腔的真空度小于300mTorr后，再将待淀积的硅片传入工艺腔中；步骤2，在底压小于100mTorr的工艺腔中通入WF6、SiH4和载气，之后进行低压化学气相淀积反应，在待淀积的硅片上生成一层钨硅；步骤3，将淀积有一层钨硅的硅片传入步骤1所述的缓冲腔中，待工艺腔完成自清洁工艺后，将淀积有一层钨硅的硅片传入工艺腔中按照步骤2进行第二次低压化学气相淀积反应，得到淀积有两层钨硅的硅片，从而有效降低MOS产品的多晶电阻，同时提高产品器件的开关速度。
一种低压化学气相淀积法淀积两层钨硅方法

[发明专利]一种消除Polycide MOS工艺制程中WSi_x剥落的工艺和版图设计方法-CN201811168631.9在审
发明人：陈晓宇;赵杰;折宇;孙有民 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2018-10-08 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种消除Polycide MOS工艺制程中WSi_x剥落的工艺和版图设计方法，包括以下步骤：1)栅氧化炉前清洗，清洗掉硅片表面上的表面颗粒、金属、有机物沾污和自然氧化层；2)硅片在高温氧化气氛中氧化形成栅氧化层；3)利用CVD淀积方法在栅氧化层上进行淀积形成无掺杂的多晶硅层；4)在得到的多晶硅层上进行淀积形成WSi_x层；5)在得到WSi_x层后，通过N型注入进行多晶掺杂；步骤1)之前包括如下步骤：在Polycide MOS工艺版图设计时，多晶层都经过N型或P型注入层的覆盖。该方法简化了现有工艺制程，且WSi_x应力明显减少，有效控制了WSi_x剥落问题，能够提高良品率。
版图设计淀积制程剥落多晶硅层栅氧化层清洗高温氧化气氛有机物沾污自然氧化层表面颗粒硅片表面有效控制掺杂的多晶层良品率栅氧化注入层硅片多晶掺杂金属覆盖

[发明专利]一种高精度外延膜厚监控片及其制备方法-CN201510260171.2有效
发明人：折宇;汪小军;吴迪;黄鹤 -专利权人：中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所
申请日： 2015-05-20 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种高精度外延膜厚监控片及其制备方法，对使用过的晶圆片的表面进行处理，使其表面呈现裸硅状态；清洗；对清洗过的轻掺杂晶圆片进行处理使其生长氧化层；进行N型或P型杂质注入；进行高温处理；进行表面处理，使其表面呈现裸硅状态；进行清洗，即得到外延膜厚监控片。本发明制备的膜厚监控片的表面掺杂浓度均匀性远远优于CZ法制作的重掺杂衬底片，增加了试炉膜厚结果的准确性，使监控结果能够真实反应机台工艺状态，最大程度降低由于监控片监控结果的不准确造成的物料损失，产能降低及产品工艺参数超标。
一种高精度外延监控及其制备方法

1
共 8 条