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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]原料供给装置和成膜装置-CN202110371103.9在审
  • 木元大寿;渡边纪之;成嶋健索;关户幸一;川口拓哉 - 东京毅力科创株式会社
  • 2021-04-07 - 2021-10-22 - C23C16/448
  • 本发明提供能够使成膜开始时的原料气体的流量在短时间内变得稳定的技术。本发明的一方式的原料供给装置包括：向处理容器内供给原料气体的原料供给通路；设置于所述原料供给通路的阀；检测所述原料供给通路内的压力的压力传感器；与所述原料供给通路连接，对所述原料供给通路内的所述原料气体进行排气的原料排气通路；设置于所述原料排气通路，通过调节开度来控制所述原料供给通路内的压力的开度调节机构；和基于所述压力传感器的检测值来调节所述开度调节机构的所述开度的控制部。
  • 原料供给装置
  • [发明专利]使用钨填充衬底的凹部的方法-CN201710816549.1有效
  • 成嶋健索;山口克昌 - 东京毅力科创株式会社
  • 2017-09-12 - 2021-09-10 - H01L21/768
  • 本发明提供一种使用钨填充凹部的方法。一实施方式的方法包括在成膜装置的腔室内准备衬底的工序，将第一循环执行一次以上的工序，和在将第一循环执行一次以上的工序之后，将第二循环执行一次以上的工序。第一循环和第二循环各自包括：将含钨的前体气体导入腔室的步骤；对腔室进行吹扫的步骤；将含氢气体导入腔室的步骤；和对腔室进行吹扫的步骤。该方法中，第二循环执行时的腔室的压力被设定为比第一循环执行时的腔室的压力低的压力。
  • 使用填充衬底方法
  • [发明专利]气体供给装置、气体供给方法和成膜方法-CN201810175365.6有效
  • 山口克昌;成嶋健索;八木宏宪;关户幸一 - 东京毅力科创株式会社
  • 2018-03-02 - 2020-12-15 - C23C16/455
  • 本发明提供一种能够使处理开始时的原料气体的流量在短时间内稳定化的气体供给装置。一实施方式的气体供给装置，其使原料容器内的原料气化，将原料气体与载气一起供给到处理容器内，包括：设置在所述原料容器和所述处理容器之间的缓冲罐；以能够将所述缓冲罐内和所述原料容器内排气的方式设置的压力调节通路；存储部，其存储向所述处理容器内供给所述原料气体进行了处理时的所述缓冲罐内的压力；和控制部，其控制在所述压力调节通路中进行排气的流量和对所述缓冲罐填充的所述原料气体和所述载气的流量，使得在向所述处理容器内供给所述原料气体之前，所述缓冲罐内的压力成为在所述存储部中所存储的压力。
  • 气体供给装置方法
  • [发明专利]气体供给装置、气体供给方法和成膜方法-CN201810174814.5有效
  • 山口克昌;成嶋健索;八木宏宪 - 东京毅力科创株式会社
  • 2018-03-02 - 2020-12-01 - C23C16/455
  • 本发明提供一种在成膜原料罐的更换后，能够容易以稳定的状态供给原料气体的气体供给装置。一实施方式的气体供给装置使原料容器内的原料气化，将原料气体与载气一起供给到处理容器内，所述气体供给装置包括：与所述原料容器的上游侧连接的、控制所述载气的流量的质量流量控制器；与所述原料容器的下游侧连接的流量计；和控制部，其进行控制使得在所述原料容器的更换之后不向所述处理容器内供给所述原料气体直至所述流量计的检测值稳定，其中，所述检测值是对由所述质量流量控制器控制为一定流量的所述载气的检测值。
  • 气体供给装置方法
  • [发明专利]原料气体供给装置和原料气体供给方法-CN201610866667.9有效
  • 八木宏宪;成嶋健索;松山中成 - 东京毅力科创株式会社
  • 2016-09-29 - 2020-04-21 - C23C16/52
  • 本发明提供使固体原料气化而将含有气体的原料气体供给到成膜处理部时使气化的原料的供给量稳定的技术。在用于向原料容器供给运载气体的运载气体供给通路设置有MFC1，在原料气体供给通路设置有MFM3。并且，在向原料气体供给通路供给稀释气体的稀释气体供给通路设置有MFC2。求取从MFM3的测量值减去MFC1的测量值和MFC2的测量值的合计值而得的偏差值，基于从MFM3的测量值减去MFC1的测量值和MFC2的测量值的合计值而得的值，求取减去偏差值的原料的流量的实测值。依据原料的流量的实测值与原料的目标值的差，调整MFC1的设定值而调整运载气体的流量，调整包含于原料气体的原料的量。
  • 原料气体供给装置方法
  • [发明专利]钨膜的成膜方法-CN201610064286.9有效
  • 成嶋健索;堀田隼史;丸山智久;饗场康 - 东京毅力科创株式会社
  • 2016-01-29 - 2018-09-21 - C23C16/08
  • 本发明提供一种能够通过使用了WCl6气体作为原料气体的ALD法来以较高的生产率形成填埋性良好的钨膜的钨膜的成膜方法。在收容有被处理基板并被保持在减压气氛下的腔室内，利用ALD法在被处理基板的表面形成钨膜时，在供给氯化钨气体时，以ALD反应为主体的程度添加还原气体，在该ALD法中，以隔着腔室内的吹扫的方式交替地供给作为钨原料气体的氯化钨气体以及用于对氯化钨气体进行还原的还原气体。
  • 方法
  • [发明专利]成膜装置-CN201480024289.9有效
  • 成嶋健索;鸟屋大辅;朝仓贤太朗;村上诚志 - 东京毅力科创株式会社
  • 2014-02-10 - 2017-06-27 - C23C16/44
  • 本发明提供一种易于进行组装、维护等且能够抑制反应气体进入到波纹管内的成膜装置。配置于在真空氛围下向基板(W)的表面供给反应气体而进行成膜处理的处理容器(1)内的升降轴(23)以自下表面侧支承着用于载置基板(W)的载置台(2)的状态沿上下方向延伸地设置，该升降轴(23)穿过被设于处理容器(1)的贯通口(15)而与外部的升降机构相连接。波纹管(231)自侧方覆盖升降轴(23)的周围而将处理容器(1)内保持为真空气氛，盖构件(41)以包围升降轴(23)的方式配置，吹扫气体供给部(63b)向波纹管(231)内供给吹扫气体，以便形成经由升降轴(23)与盖构件(41)之间的间隙向处理容器(1)流动的气体的流动。
  • 装置
  • [发明专利]蚀刻方法和蚀刻装置-CN201510379150.2在审
  • 户田聪;成嶋健索;高桥宏幸 - 东京毅力科创株式会社
  • 2015-07-01 - 2016-01-13 - H01L21/311
  • 本发明涉及蚀刻方法和蚀刻装置。[课题]在对被壁部(62)划分了蚀刻区域的SiO2层(61)蚀刻至到达下层之前的中途阶段为止时，改善粗糙度与微负载。[解决手段]对载置于处理容器(1)的晶圆W，间歇地供给预先混合了HF气体与NH3气体的混合气体。通过间歇地供给混合气体，由混合气体与SiO2的反应产物形成的保护膜在停止供给混合气体的期间通过真空排气而升华(挥发)。因此，无论图案的疏密，蚀刻速度都均匀并改善了微负载。另外，通过预先混合HF气体与NH3气体而供给至晶圆W，可以抑制附着于晶圆W的表面的HF浓度的偏差，改善粗糙度并且谋求进一步改善微负载。
  • 蚀刻方法装置
  • [发明专利]成膜方法、成膜装置和存储介质-CN200980150183.2无效
  • 成嶋健索 - 东京毅力科创株式会社
  • 2009-12-11 - 2011-11-16 - C23C16/08
  • 成膜方法包括：在腔室内配置被处理基板的工序；通过供给通路向腔室内供给含有含氯气体的处理气体的工序；在处理气体的供给通路中配置Ti含有部，在向腔室供给处理气体时，使处理气体中的含氯气体与Ti含有部接触而使含氯气体与Ti含有部的Ti反应的工序；边加热腔室中的被处理基板，边向被处理基板供给通过含氯气体与Ti的反应而生成的Ti前体气体，通过热反应在被处理基板的表面沉积Ti的工序。
  • 方法装置存储介质
  • [发明专利]Ti类膜的成膜方法-CN200910173311.7无效
  • 天野文贵;善光哲;成嶋健索 - 东京毅力科创株式会社
  • 2009-09-02 - 2010-03-17 - C23C16/06
  • 本发明提供一种Ti类膜的成膜方法，其在成膜中，不产生预涂膜和喷淋头及基座的反应等不良情况，能够抑制处理膜厚的面间偏差。反复进行如下工序：在基座(2)上不存在晶片(W)的状态下，将基座(2)加热，利用含Ti的处理气体，至少在喷淋头(10)的表面形成预涂膜的工序；其后，在加热到规定温度的基座(2)上载置晶片(W)，向腔室(1)内供给处理气体，在晶片(W)上成膜Ti膜的工序；在基座(2)上不存在晶片(W)的状态下，向腔室(1)内导入清洗气体，清洗腔室(1)内的工序。在预涂膜形成工序中，使基座(2)的温度成为比Ti膜成膜工序时的温度低的温度而形成低温预涂膜(71)之后，在Ti膜成膜时的温度下，形成高温预涂膜(72)。
  • ti方法
  • [发明专利]Ti膜的成膜方法-CN200880013920.X无效
  • 成嶋健索;若林哲;善光哲 - 东京毅力科创株式会社
  • 2008-04-15 - 2010-03-10 - C23C16/52
  • 本发明提供一种Ti膜的成膜方法，其包括下述步骤：将具有Si部分的被处理基板配置在载置台上；对被处理基板进行加热；使腔室内成为规定的压力；向腔室内导入含有TiCl4气体和还原气体的处理气体；通过利用高频电场形成单元形成高频电场使处理气体等离子体化；和在被处理基板的表面使TiCl4气体和还原气体发生反应，当通过该反应在被处理基板的Si部分形成Ti膜时，对腔室内压力和施加的高频电功率进行控制，以抑制在被处理基板的Si部分的TiSi的生成反应。
  • ti方法
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