“徐顺爱”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果39个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]基于石墨烯的薄膜层叠体及其制造方法-CN201610092171.0有效
发明人：朴种汉;曹承旻;徐顺爱;申召詺;金泰光;金善永 -专利权人：韩华航空航天公司
申请日： 2016-02-19 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明公开一种基于石墨烯的薄膜层叠体及其制造方法。所公开的基于石墨烯的薄膜层叠体的制造方法包括将步骤(a)至步骤(d)作为一次循环并将所述一次循环以相同方式重复执行至N次循环的步骤，其中，N次循环是60次以下的循环。另外，本发明还公开了包含有所述基于石墨烯的薄膜层叠体的电极和电子元件。
基于石墨薄膜层叠及其制造方法

[发明专利]具有多层栅极绝缘层的石墨烯电子器件-CN201210041323.6有效
发明人：宋俔在;赵炳珍;徐顺爱;申宇哲 -专利权人：三星电子株式会社;韩国科学技术院
申请日： 2012-02-21 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明提供了具有多层栅极绝缘层的石墨烯电子器件。该石墨烯电子器件包括在石墨烯沟道层与栅极电极之间的多层栅极绝缘层。该多层栅极绝缘层包括有机绝缘层和位于有机绝缘层上的无机绝缘层。有机绝缘层防止杂质被吸收到石墨烯沟道层中，因此石墨烯沟道层的固有特性被保持。
具有多层栅极绝缘石墨电子器件

[发明专利]石墨烯电子器件及其制造方法-CN201210101951.9有效
发明人：许镇盛;郑现钟;徐顺爱;李晟熏;梁喜准 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-04-09 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供石墨烯电子器件及其制造方法。该石墨烯电子器件可包括：栅极氧化物，在导电衬底上，该导电衬底配置为用作栅极电极；一对第一金属，在该栅极氧化物上，该对第一金属彼此分隔开；石墨烯沟道层，在该第一金属之间且在该第一金属上延伸；以及源极电极和漏极电极，在石墨烯沟道层的两边缘上。
石墨电子器件及其制造方法

[发明专利]包括多个石墨烯沟道层的石墨烯电子器件-CN201110230441.7有效
发明人：郑现钟;李载泓;李载昊;申炯澈;徐顺爱;李晟熏;许镇盛;梁喜准 -专利权人：三星电子株式会社;首尔大学校产学协力团
申请日： 2011-08-12 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有多个石墨烯沟道层的石墨烯电子器件。该石墨烯电子器件包括：基板；形成在基板上的栅电极；第一栅绝缘膜，覆盖基板上的栅电极；多个石墨烯沟道层，形成在基板上，并且在多个石墨烯沟道层之间具有第二栅绝缘膜；源电极和漏电极，连接到每个石墨烯沟道层的两边缘。
包括石墨沟道电子器件

[发明专利]石墨烯电子器件-CN201110389294.8有效
发明人：许镇盛;徐顺爱;李晟熏;郑现钟;梁喜准 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-11-30 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明公开一种石墨烯电子器件。该石墨烯电子器件包括：栅电极；设置在栅电极上的栅氧化物；形成在栅氧化物上的石墨烯沟道层；以及分别设置在石墨烯沟道层的两端上的源电极和漏电极。在石墨烯沟道层中，多个纳米孔沿石墨烯沟道层的宽度方向布置成单一行。
石墨电子器件

[发明专利]被硼和氮代替的石墨烯、其制造方法及具有其的晶体管-CN201110164676.0有效
发明人：李晟熏;徐顺爱;禹轮成;郑现钟;许镇盛 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-06-20 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： C01B35/00 文献下载
摘要：提供被氮和硼代替的石墨烯、其制造方法及具有其的晶体管，该石墨烯包括碳(C)原子被硼(B)原子和氮(N)原子部分地代替的结构。该石墨烯具有带隙。被硼和氮代替的石墨烯可用作场效应晶体管的沟道。该石墨烯可通过使用环硼氮烷或氨硼烷作为氮化硼(B-N)前体进行化学气相沉积(CVD)方法形成。
代替石墨制造方法具有晶体管

[发明专利]制造和转移大尺寸石墨烯的方法-CN201010541911.7有效
发明人：禹轮成;徐大卫;裴秀康;徐顺爱;郑现钟;姜世拉;许镇盛;郑明姬 -专利权人：三星电子株式会社;成均馆大学校产学协力团
申请日： 2010-11-10 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：示例实施例涉及制造和转移大尺寸石墨烯层的方法。转移大尺寸石墨烯层的方法可以包括：在基底上形成石墨烯层、保护层和粘合层；去除所述基底。可以通过将所述石墨烯层滑动到转移基底上来将所述石墨烯层设置在所述转移基底上。
制造转移尺寸石墨方法

[发明专利]利用合金催化剂制造石墨烯的方法-CN201010504291.X有效
发明人：禹轮成;戴维·徐;徐顺爱;郑现钟;姜世拉;许镇盛 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2010-10-11 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：本发明提供一种利用合金催化剂制造石墨烯的方法，该方法可以包括在衬底上形成包括镍的合金催化剂层以及通过将碳氢气体提供到合金催化剂层上来形成石墨烯层。合金催化剂层可以包括从由镍、铜、铂、铁和金构成的组中选出的至少两种。当制造石墨烯时，减少碳在Ni中的溶解性的催化剂金属可以在合金催化剂层中与Ni一起使用。可以调整碳被溶解的量，并且可以制造均匀的石墨烯单层。
利用合金催化剂制造石墨方法

[发明专利]磁阻器件、包括该磁阻器件的信息存储装置及其操作方法-CN201010246856.9有效
发明人：裵智莹;李成喆;徐顺爱;曹永真;皮雄焕;许镇盛 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2010-08-04 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁阻器件、包括该磁阻器件的信息存储装置及其操作方法。信息存储装置包括磁轨道和磁畴壁移动单元。磁轨道具有多个磁畴以及在每对相邻磁畴之间的磁畴壁。磁畴壁移动单元构造为移动至少磁畴壁。信息存储装置还包括磁阻器件，该磁阻器件构造为读取记录在磁轨道上的信息。磁阻器件包括钉扎层、自由层以及布置在其间的分隔层。钉扎层具有固定的磁化方向。自由层设置在钉扎层与磁轨道之间，并具有易磁化轴，该易磁化轴不平行于钉扎层的磁化方向。
磁阻器件包括信息存储装置及其操作方法

[发明专利]利用磁畴壁的振荡器及其操作方法-CN201010194822.X有效
发明人：李成喆;马塞厄斯·克劳伊;徐顺爱;曹永真;皮雄焕;裵智莹;许镇盛 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2010-05-31 - 公布日： 2011-02-02 - 主分类号： H01P7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种振荡器及其操作方法。该振荡器利用磁畴壁的磁矩的进动来产生信号。振荡器包括具有磁畴壁的自由层和对应于磁畴壁的固定层。非磁性分隔层插置在自由层和固定层之间。
利用磁畴壁振荡器及其操作方法

[发明专利]包括开关器件和电阻材料的非易失存储器及制造方法-CN201010114820.5无效
发明人： 徐顺爱;柳寅儆;李明宰;朴玩浚 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-06-02 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种包括一晶体管和一电阻材料的非易失存储器及其制造方法。所述非易失存储器包括一衬底、一形成于所述衬底上的晶体管、和一连接至所述晶体管的漏极的数据存储单元。所述数据存储单元包括在不同电压范围具有不同电阻性能的数据存储材料层。
包括开关器件电阻材料非易失存储器制造方法

[发明专利]磁结构、信息存储装置及其制造方法和操作方法-CN200910263619.0无效
发明人：李成喆;曹永真;皮雄焕;裴智莹;徐顺爱 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2009-12-23 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： G11C11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁结构、信息存储装置及其制造方法和操作方法。磁结构包括第一部分和多个第二部分。第一部分沿第一方向延伸。多个第二部从第一部分的端部开始沿第二方向延伸。第一方向和第二方向彼此垂直。在所述磁结构中形成有沿彼此相反的方向磁化的两个磁畴以及于位于磁畴之间的磁畴壁。
结构信息存储装置及其制造方法操作方法

[发明专利]信息存储装置及其操作方法-CN200910246686.1有效
发明人：李成喆;徐顺爱;曹永真;裴智莹;皮雄焕;申炯淳;李丞晙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2009-12-01 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：公开了一种信息存储装置及其操作方法。所述信息存储装置包括：存储区域，具有磁轨和写入/读取单元；控制电路，连接到所述存储区域。第一开关装置和第二开关装置连接到磁轨的两端，第三开关装置连接到写入/读取单元。控制电路控制第一开关装置至第三开关装置，将操作电流提供给磁轨和写入/读取单元中的至少一个。
信息存储装置及其操作方法

[发明专利]使用磁畴壁移动的信息存储装置及操作该装置的方法-CN200910246683.8有效
发明人：皮雄焕;朴永洙;徐顺爱;曹永真;李成喆;裴智莹 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2009-12-01 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：提供了一种使用磁畴壁移动的信息存储装置及操作该装置的方法。所述信息存储装置包括磁轨和操作单元。磁轨包括通过磁畴壁分离的多个磁畴。操作单元的大小能够覆盖至少两个相邻磁畴。并且，操作单元被配置为可向磁轨的单个磁畴区以及多个磁畴区写入信息/从磁轨的单个磁畴区以及多个磁畴区读取信息。
使用磁畴壁移动信息存储装置操作方法

[发明专利]磁轨、信息存储装置和操作该信息存储装置的方法-CN200910253967.X无效
发明人：李成喆;申在光;徐顺爱;曹永真;皮雄焕;裴智莹 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2009-12-11 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： G11C11/02 文献下载
摘要：提供了一种磁轨、信息存储装置和操作该信息存储装置的方法。所述磁轨包括具有不同长度和不同磁畴壁移动速度的第一磁畴区域和第二磁畴区域。第一磁畴区域和第二磁畴区域中较长的磁畴区域用作信息读/写区域。所述信息存储装置包括磁轨。所述磁轨包括多个磁畴区域和在相邻磁畴区域之间形成的磁畴壁区域。所述多个磁畴区域包括第一磁畴区域和至少一个第二磁畴区域，所述至少一个第二磁畴区域的长度小于第一磁畴区域的长度。所述信息存储装置还包括第一单元和磁畴壁移动单元，其中，所述第一单元被构造为在第一磁畴区域上执行信息记录操作和信息再现操作中的至少一个，所述磁畴壁移动单元被构造为移动磁畴壁区域的磁畴壁。
磁轨信息存储装置操作方法

1
2
3
下一页»
尾页
共 39 条