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[发明专利]显示装置-CN201711084588.3有效
发明人：朴种力;徐晋旭;申成永 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2017-11-07 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：提供了一种显示装置。所述显示装置包括：基底，包括显示图像的显示区和非显示区；至少一个像素，设置在基底上；第一绝缘层，设置在基底上，并且包括位于与显示区相邻的区域处的第一开口；第二绝缘层，设置在第一绝缘层上，并且包括位于与显示区相邻的区域处的第二开口；以及包封层，覆盖非显示区的一部分、第一开口和第二开口。像素包括设置在第一绝缘层上的第一电极和设置在第二绝缘层上的第二电极。第一电极和第二电极中的至少一个包括金属层。第一开口的侧面中的至少一个包括具有不同倾角的多个斜面。
显示装置

[发明专利]有机发光显示设备及其制造方法-CN201310467110.4有效
发明人：徐濬仙;崔钟炫;孙榕德;徐晋旭 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2013-10-09 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：提供了一种有机发光显示设备及其制造方法，该有机发光显示设备包括基板和位于所述基板上的多个像素，其中所述像素中的每一个包括：有机发光器件，包括第一电极、第二电极和位于所述第一电极与所述第二电极之间的中间层，其中所述中间层包括有机发射层；驱动晶体管，被配置为驱动所述有机发光器件；以及开关晶体管，电联接至所述驱动晶体管，其中所述驱动晶体管的栅电极包括第一导电层和位于所述第一导电层与所述驱动晶体管的有源层之间且具有小于所述第一导电层的尺寸的第二导电层，并且所述开关晶体管的栅电极包括与所述第一导电层相同的材料。
有机发光显示设备及其制造方法

[发明专利]显示装置、制造显示装置的方法以及修复显示装置的方法-CN201510128873.5有效
发明人：崔宝京;郑胤谟;朴种力;徐晋旭;李东炫 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2015-03-24 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：提供了一种显示装置、一种制造该显示装置的方法以及修复该显示装置的方法。所述显示装置包括：基底；钝化层，位于所述基底上并且包括具有第一厚度的区域和具有比所述第一厚度小的第二厚度的区域；第一电极，位于所述钝化层上，并且包括通过具有两个端部的狭缝彼此分隔开的至少两个子电极；发光层，位于所述第一电极上；以及第二电极，位于所述发光层上。所述狭缝的两个端部位于所述钝化层的具有所述第二厚度的所述区域中。
显示装置制造方法以及修复

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201210176830.0有效
发明人：郑胤谟;李基龙;徐晋旭;朴钟力 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2012-05-31 - 公布日： 2017-09-08 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：公开了半导体器件及其制造方法。在一个实施例中，该半导体器件包括基板，形成于所述基板上方的第一氮化硅层，直接形成于所述第一氮化硅层上并具有大约以下的厚度的第一氧化硅层，以及直接形成于所述第一氧化硅层上的氢化的多晶硅层。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管及制造方法、有机发光显示装置及制造方法-CN201210014755.8有效
发明人：朴炳建;朴钟力;李东炫;徐晋旭;李基龙 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2012-01-12 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管及制造方法以及一种有机发光显示装置及制造方法。一种制造薄膜晶体管的方法，所述方法包括以下步骤在基底上形成缓冲层、非晶硅层和绝缘层；将非晶硅层晶化为多晶硅层；通过同时图案化多晶硅层和绝缘层来形成具有预定形状的半导体层和栅极绝缘层；形成包括第一部分和第二部分的栅电极。第一部分形成在栅极绝缘层上并与半导体层的沟道区叠置，第二部分接触半导体层。在半导体层上形成源区和漏区。层间绝缘层形成在栅电极上以覆盖栅极绝缘层，接触孔形成在层间绝缘层和栅极绝缘层上以暴露源区和漏区，并同时形成用于暴露所述第二部分的开口。形成源电极和漏电极，同时去除经开口暴露的所述第二部分。
薄膜晶体管制造方法有机发光显示装置

[发明专利]形成多晶硅膜的方法、薄膜晶体管和显示装置-CN201310348944.3在审
发明人：孙榕德;李基龙;徐晋旭;郑珉在;李卓泳 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2013-08-12 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：提供了一种形成多晶硅膜的方法、一种薄膜晶体管和显示装置。该形成多晶硅膜的方法包括：在基底上形成非晶硅膜；使金属催化剂吸附在非晶硅膜上；通过热处理使非晶硅膜结晶，以形成包括晶粒内部区域和残留有金属催化剂的晶界的多晶硅膜；提供对晶粒内部区域和晶界具有不同的氧化选择性的蚀刻剂；通过蚀刻剂蚀刻多晶硅膜的表面以去除残留在晶界上的金属催化剂。
形成多晶方法薄膜晶体管显示装置

[发明专利]溅射设备以及使用该溅射设备沉积薄膜的方法-CN201310037246.1在审
发明人：郑胤谟;郑贞永;朴钟力;徐晋旭 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2013-01-30 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开一种溅射设备以及使用该溅射设备沉积薄膜的方法。所述溅射设备包括：阴极部分，所述阴极部分包括联接到阴极主体的前表面的靶支撑部分，靶被安装在所述阴极主体的所述前表面上并由所述靶支撑部分支撑；阳极部分，所述阳极部分包括联接到阳极主体的阳极，所述阳极主体围绕所述阴极部分的侧部和底部，并且所述阳极覆盖所述靶支撑部分和所述靶的边缘；内绝缘体，所述内绝缘体位于所述阴极部分和所述阳极主体之间；电极绝缘体，所述电极绝缘体位于所述阳极与所述靶支撑部分和所述靶的所述边缘中的每一个之间；以及电源部分，所述电源部分被连接到所述阴极部分和所述阳极部分。
溅射设备以及使用沉积薄膜方法

[发明专利]薄膜晶体管和显示装置及其制造方法-CN201210152817.1在审
发明人：孙榕德;李基龙;徐晋旭;郑珉在;李卓泳 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2012-05-16 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开薄膜晶体管和显示装置及其制造方法。该薄膜晶体管包括：位于基板上并且通过由金属催化剂的作用引起的晶体生长而结晶的有源层；有源层的一部分上的栅极绝缘层图案；栅极绝缘层图案的一部分上的栅电极；形成在栅极绝缘层图案上以覆盖栅电极的抗刻蚀层图案，抗刻蚀层图案与栅极绝缘层图案共边界；有源层和抗刻蚀层图案上的源电极和漏电极；以及位于有源层与源电极和漏电极之间以及抗刻蚀层图案与源电极和漏电极之间的吸杂层图案，以除去为有源层的结晶而使用的金属催化剂，吸杂层图案与源电极和漏电极共边界。
薄膜晶体管显示装置及其制造方法

[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法-CN201210114802.6有效
发明人：朴炳建;李卓泳;徐晋旭;李基龙;罗兴烈 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2012-04-18 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明提供了一种有机发光显示装置和一种制造该有机发光显示装置的方法，该方法包括：形成包括位于栅极绝缘层上的下栅电极和位于所述下栅电极上的上栅电极的栅电极；使用所述栅电极作为掩模在所述半导体有源层处形成源区和漏区；在所述基底上形成层间绝缘层，并蚀刻所述层间绝缘层，以产生暴露所述源区的部分和所述漏区的部分的接触孔；在基底上形成源/漏电极原料，并蚀刻所述源/漏电极原料，以形成源电极和漏电极；在所述半导体有源层处通过注入杂质离子形成具有轻掺杂漏极(LDD)区的栅极叠置的轻掺杂漏极(GOLDD)结构；在所述基底上沉积保护层；以及在所述基底上形成显示器件。
有机发光显示装置及其制造方法

[发明专利]形成多晶硅层的方法、薄膜晶体管和有机发光装置-CN201110241085.9有效
发明人：朴炳建;朴钟力;郑胤谟;李卓泳;徐晋旭;李基龙;郑珉在;孙榕德;苏炳洙;朴承圭;李东炫;李吉远;郑在琓 -专利权人：三星移动显示器株式会社
申请日： 2011-08-22 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种形成多晶硅层的方法，包括形成第一非晶硅层和形成第二非晶硅层，使得所述第一非晶硅层和所述第二非晶硅层具有彼此不同的膜性质；和用金属催化剂使所述第一非晶硅层和所述第二非晶硅层结晶，以形成第一多晶硅层和第二多晶硅层。一种薄膜晶体管包括由所述方法形成的多晶硅层，和一种有机发光装置包括所述薄膜晶体管。
形成多晶方法薄膜晶体管有机发光装置

[发明专利]形成多晶硅层的方法、薄膜晶体管和有机发光器件-CN201110235311.2有效
发明人：朴炳建;李卓泳;朴钟力;郑胤谟;徐晋旭;李基龙;郑珉在;孙榕德;苏炳洙;朴承圭;李吉远;李东炫;郑在琓;伊凡·马伊达楚克 -专利权人：三星移动显示器株式会社
申请日： 2011-08-16 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：一种形成多晶硅层的方法，包括：在基板上形成非晶硅层；在所述非晶硅层上形成金属催化剂；在形成所述金属催化剂的所述非晶硅层的整个表面上形成吸杂金属层；以及执行热处理。一种薄膜晶体管包括所述多晶硅层，并且一种有机发光器件包括所述薄膜晶体管。
形成多晶方法薄膜晶体管有机发光器件

[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法和利用该薄膜晶体管的显示设备-CN201110259212.8有效
发明人：朴炳建;徐晋旭;李基龙;李东炫;李吉远;朴钟力;郑胤谟;李卓泳;苏炳洙;郑珉在;朴承圭;孙榕德;郑在琓 -专利权人：三星移动显示器株式会社
申请日： 2011-09-02 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管及其制造方法和利用该薄膜晶体管的显示设备。该薄膜晶体管包括：基板、提供在所述基板上并且通过利用金属催化剂被结晶化的半导体层、与所述半导体层绝缘并且被设置在所述半导体层上的栅电极、以及设置在所述半导体层与所述栅电极之间的吸气层，所述吸气层利用具有比所述半导体层中的金属催化剂的扩散系数小的扩散系数的金属氧化物形成。
薄膜晶体管及其制造方法利用显示设备

[发明专利]形成多晶硅层的方法、TFT及制造方法和有机发光显示装置-CN201110259627.5有效
发明人：郑胤谋;李基龙;徐晋旭;郑珉在;朴承圭;孙榕德;苏炳洙;朴炳建;李吉远;李东炫;李卓泳;朴种力 -专利权人：三星移动显示器株式会社
申请日： 2011-08-31 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种形成多晶硅层的方法、一种形成薄膜晶体管的方法、一种薄膜晶体管和一种有机发光显示装置。形成多晶硅层的方法包括：在基底上形成缓冲层；利用氢等离子体处理所述缓冲层；在所述缓冲层上形成非晶硅层；在所述非晶硅层上形成用于使所述非晶硅层晶化的金属催化剂层；以及对所述非晶硅层热处理以形成多晶硅层。
形成多晶方法 tft 制造有机发光显示装置

[发明专利]用于沉积装置的罐及使用罐的沉积装置-CN201110006623.6无效
发明人：郑珉在;李基龙;洪钟元;罗兴烈;姜有珍;张锡洛;徐晋旭;梁泰勋;郑胤谟;苏炳洙;朴炳建;李东炫;李吉远;白原奉;朴钟力;崔宝京;伊凡·马伊达楚克;郑在琓 -专利权人：三星移动显示器株式会社
申请日： 2011-01-10 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： C23C16/448 文献下载
摘要：一种用于沉积装置的罐和使用罐的沉积装置，并且更为具体地，一种能够提供包含在供应到沉积室中的反应气体中的均匀量的原材料并且提高原材料供应的安全性的沉积装置的罐，以及使用罐的沉积装置。该沉积装置包括：沉积室；将反应气体供应到该沉积室的罐；以及用于将载气供应到罐的载气供应器，其中该罐包括主体、加热该主体的加热单元以及布置在该主体下方的温度测量单元。
用于沉积装置使用

[发明专利]使硅层结晶的方法和制造薄膜晶体管的方法-CN201110167103.3有效
发明人：朴承圭;李基龙;徐晋旭;郑珉在;郑胤谋;孙榕德;苏炳洙;朴炳建;李吉远;李东炫;朴种力;李卓泳;郑在琓 -专利权人：三星移动显示器株式会社
申请日： 2011-06-16 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种使硅层结晶的方法和制造薄膜晶体管的方法，该使硅层结晶的方法包括：在基板上形成催化剂金属层；在所述催化剂金属层上形成催化剂金属压盖图案；在所述催化剂金属压盖图案上形成第二非晶硅层；以及对所述第二非晶硅层进行热处理以形成多晶硅层。
使硅层结晶方法制造薄膜晶体管

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