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[发明专利]一种基于相变材料的非易失性可调谐方向耦合器-CN201811451093.4有效
发明人： 徐培鹏;谢恒;宋以鹏;张芳;周俊;张巍 -专利权人：宁波大学
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G02F1/025 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于相变材料的非易失性可调方向耦合器，包括SOI基片，SOI基片上沿水平方向设置有平行分布的输入硅波导和输出硅波导，特点是输出硅波导的上表面沿长度方向设置有相变材料GST波导层，GST波导层位于耦合区域内且均匀的分为N段，每一段均能工作在晶态或非晶态状态，其中N为3‑20内的任意自然数，耦合器通过改变处于晶态和非晶态的GST波导层的段数实现任意比例的功率耦合，优点是便于片上集成、能量消耗低、较宽的工作带宽、较低的插入损耗以及输出功率可调。
一种基于相变材料非易失性可调谐方向耦合器

[发明专利]一种基于相变材料的零相移跑道型谐振器-CN202310439361.5在审
发明人：吕业刚;朱红辉;徐培鹏;田野 -专利权人：宁波大学
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G02F1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于相变材料的零相移跑道型谐振器，特点是包括脊型波导，脊型波导上设置有相互平行的输入波导和输出波导；脊型波导上且位于输入波导与输出波导之间设置有跑道波导，跑道波导与输入波导之间以及跑道波导与输出波导之间均设置有耦合间距，输入波导的耦合区域设置有可在波导倏逝场耦合作用下发生非晶态至晶态的可逆相变的相变狭缝结构，相变狭缝结构材料选取为Sb2Se3或者Sb2S3相变材料，脊型波导上设置有用于将相变材料在加热作用下发生晶态和非晶态的可逆相变的PIN二极管，优点是具有零相移、高透射率调谐范围和低插入损耗。
一种基于相变材料相移跑道谐振器

[发明专利]一种基于狭缝相变复合波导的全光相变多级存储器-CN202211555120.9在审
发明人：吕业刚;蔡林莹;徐培鹏 -专利权人：宁波大学
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于狭缝相变复合波导的全光相变多级存储器，包括SiO2基底，特点是SiO2基底上设置有上下两条矩形直波导，两条矩形直波导之间设置有微环波导，微环波导与矩形直波导之间设有耦合间距，微环波导上设置有可在波导倏逝场耦合作用下发生非晶态至晶态的可逆相变的第一相变狭缝结构，第一相变狭缝结构材料为Ge2Sb2Te5，上行矩形直波导的输出端与下行矩形直波导的输入端之间连接有U型反馈环波导，U型反馈环波导上设置有可在波导倏逝场耦合作用下发生非晶态至晶态的可逆相变的第二相变狭缝结构，第二相变狭缝结构与第一相变狭缝结构尺寸相同且材料相同，优点是低插入损耗、高消光比、非易失性。
一种基于狭缝相变复合波导多级存储器

[发明专利]基于硅和相变材料的槽型复合波导的电光调制器-CN202010004894.7有效
发明人： 徐培鹏;张杰英;周俊;王艳群;张日臻;张巍 -专利权人：宁波大学
申请日： 2020-01-03 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G02F1/00 文献下载
摘要：本发明公开了基于硅和相变材料的槽型复合波导的电光调制器，特点是由下到上包括依次相叠的硅衬底、二氧化硅层和硅薄膜基座，硅薄膜基座上沿水平方向设置有依次相接的输入波导、混合波导和输出波导，硅薄膜基座包括两个对称设置的未掺杂硅薄膜区、位于两个未掺杂硅薄膜区之间的两个对称设置的重度掺杂硅薄膜区和位于两个重度掺杂硅薄膜区之间的轻度掺杂硅薄膜区，输入波导和输出波导位未掺杂硅薄膜区的顶面中央，混合波导位于轻度掺杂硅薄膜区的顶面中央，混合波导由沿水平方向设置的相变材料GST和对称设置在相变材料GST两侧面的硅波导构成，重度掺杂硅薄膜的顶面设置有金属触点，优点是结构紧凑、驱动电压小、消光比高且功耗低。
基于相变材料复合波导电光调制器

[发明专利]内层掺杂的平面波导放大器制备方法及平面波导放大器-CN202110526913.7在审
发明人：王荣平;杨振;牛磊;张政;魏腾秀;邬健;严昆仑;吴端端;徐培鹏;王训四 -专利权人：宁波大学
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种内层掺杂的平面波导放大器制备方法及平面波导放大器，通过在预先模拟平面波导放大器的光场分布图，且基于该光场分布图优化波导结构设计参数，得到优化后的波导结构设计参数，在光学基片上沉积掺杂稀土的第一薄膜层及在第一薄膜层上再沉积不掺杂稀土的第二薄膜层，然后利用刻蚀气体产生的等离子体直接在不掺杂稀土的第二薄膜层上按照优化后的波导结构设计参数刻蚀波导结构，避免等离子体直接对稀土离子做刻蚀，从而避免因掺杂的稀土离子无法被等离子刻蚀而造成所制备的平面波导放大器结构表面及边墙出现较大的粗糙度，这样可以确保平面波导放大器结构表面和边墙的平滑度，降低光学传输损耗，进而提高平面波导放大器的放大增益性能。
内层掺杂平面波导放大器制备方法

[发明专利]外层掺杂的平面波导放大器制备方法及平面波导放大器-CN202110526961.6在审
发明人：王荣平;杨振;张政;牛磊;邬健;魏腾秀;严昆仑;徐培鹏;吴端端;王训四 -专利权人：宁波大学
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种外层掺杂的平面波导放大器制备方法及平面波导放大器，通过在预先模拟得到待制备平面波导放大器的光场分布图，且基于该光场分布图优化波导结构设计参数，得到优化后的波导结构设计参数，在光学基片上沉积不掺杂稀土的第一薄膜层，并且利用刻蚀气体产生的等离子体按照优化后的波导结构设计参数在第一薄膜层上刻蚀波导结构，再在波导结构的上方覆盖掺杂稀土的第二薄膜层，避免等离子体直接对稀土离子做刻蚀，从而避免因掺杂的稀土离子无法被等离子刻蚀而造成所制备的平面波导放大器结构表面及边墙出现较大的粗糙度，这样可以确保该平面波导放大器结构表面和边墙的平滑度，降低光学传输损耗，进而提高平面波导放大器的放大增益性能。
外层掺杂平面波导放大器制备方法

[发明专利]一种基于相变材料的非易失性移相器-CN202210627849.6在审
发明人： 徐培鹏;张杰英;靳慧敏;吕业刚;张巍;田野 -专利权人：宁波大学
申请日： 2022-06-06 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： G02F1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于相变材料的非易失性移相器，包括基底以及固定设置在基底上的第一硅波导和混合波导，混合波导包括第二硅波导和Ge2Sb2Te5层，第二硅波导固定设置在基底上，第二硅波导与第一硅波导间隔设置，且第二硅波导的长度方向与第一硅波导的长度方向相平行，Ge2Sb2Te5层固定设置在第二硅波导层上且Ge2Sb2Te5层的长度方向与第二硅波导的长度方向相平行，本发明具有如下优点：本发明移相器具有非易失性，小尺寸、较宽的工作带宽、低插入损耗和串扰等特点，将其构造马赫曾德尔干涉仪2x2光开关，开关插损和串扰都较小。
一种基于相变材料非易失性移相器

[发明专利]一种硫系狭缝光波导结构及其制备方法-CN202110338894.5有效
发明人：张巍;张雪雷;周晨峰;李承栋;徐培鹏;张培晴 -专利权人：宁波大学
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：一种硫系狭缝光波导结构及其制备方法，包括衬底层以及设于衬底层上的芯层，其特征在于：所述衬底层包括两个间隔设置的相同的等腰梯形结构，所述芯层覆盖所述梯形结构以及衬底层的表面，形成两个梯形平台，所述两个梯形平台之间形成梯形的空气狭缝。该硫系狭缝光波导结构，大大减小了狭缝波导的散射损耗，同时光波导制备方法不需要刻蚀波导芯层，减小了刻蚀工艺对狭缝波导的影响。这种制备方法还能将不同的材料作为波导芯层而基本不需要改变其工艺，具有普适性。同时也为后续利用这种新型狭缝波导制备光学器件提供了基础。
一种狭缝波导结构及其制备方法

[实用新型]内层掺杂的平面波导放大器、平面波导、光学器件及设备-CN202121031574.7有效
发明人：王荣平;杨振;牛磊;张政;魏腾秀;邬健;严昆仑;吴端端;徐培鹏;王训四 -专利权人：宁波大学
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种内层掺杂的平面波导放大器、平面波导、光学器件及设备，该平面波导放大器包括光学基片，光学基片上沉积有掺杂稀土的第一薄膜层，第一薄膜层上沉积有不掺杂稀土的第二薄膜层，第二薄膜层刻蚀有波导结构。刻蚀波导结构的刻蚀气体产生的等离子体是直接在不掺杂稀土的第二薄膜层上刻蚀波导结构，避免等离子体直接对稀土离子做刻蚀，从而避免了因掺杂的稀土离子无法被等离子刻蚀而造成该平面波导放大器结构表面及边墙出现较大的粗糙度，这样可以确保该平面波导放大器结构表面和边墙的平滑度，降低了光学传输损耗，进而提高平面波导放大器的放大增益性能。
内层掺杂平面波导放大器光学器件设备

[实用新型]外层掺杂的平面波导放大器、平面波导、光学器件及设备-CN202121031768.7有效
发明人：王荣平;杨振;张政;牛磊;邬健;魏腾秀;严昆仑;徐培鹏;吴端端;王训四 -专利权人：宁波大学
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种外层掺杂的平面波导放大器、平面波导、光学器件及设备，该平面波导放大器，包括光学基片，光学基片上沉积有不掺杂稀土的第一薄膜层，第一薄膜层上刻蚀有波导结构，波导结构的上方覆盖有掺杂稀土的第二薄膜层，避免等离子体直接对第二薄膜层上的稀土离子做刻蚀，从而避免因掺杂的稀土离子无法被等离子刻蚀而造成平面波导放大器结构表面及边墙出现较大的粗糙度，这样可以确保该平面波导放大器结构表面和边墙的平滑度，降低光学传输损耗，进而提高平面波导放大器的放大增益性能。
外层掺杂平面波导放大器光学器件设备

[发明专利]一种片上集成中红外超连续谱光源-CN201810304454.6有效
发明人：李杏;王荣平;沈祥;戴世勋;张巍;徐培鹏;聂秋华;徐铁峰 -专利权人：宁波大学
申请日： 2018-04-08 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： G02F1/39 文献下载
摘要：本发明公开了一种片上集成中红外超连续谱光源，特点是包括依次连接的用于产生种子光的泵浦激光产生模块、用于产生高峰值功率超短脉冲的泵浦激光放大模块、用于异质材料波导之间实现高效耦合的波导耦合模块、用于产生2‑5μm中红外SC谱激光的SC谱产生模块，优点是具有成本低、输出光束质量好、带宽宽、结构简单紧凑、便于与其它系统兼容。
一种集成红外连续谱光源

[外观设计]轴承导向辊-CN202030581674.1有效
发明人： 徐培鹏 -专利权人： 徐培鹏
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： 15-99 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：轴承导向辊。2.本外观设计产品的用途：导向、牵引膜料带的转辊。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状与色彩的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。5.请求保护的外观设计包含色彩。6.无明显设计特征，省略后视图。
轴承导向

[外观设计]物料清洁机-CN202030581675.6有效
发明人： 徐培鹏 -专利权人： 徐培鹏
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： 15-05 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：物料清洁机。2.本外观设计产品的用途：擦拭清洁来料、物料。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。5.本外观设计产品的背面为使用时不容易看到或看不到的部位，省略后视图。
物料清洁

[发明专利]一种具有保护层的SiO2-CN201811183941.8有效
发明人：张巍;李承栋;郭盼盼;徐培鹏;赵阳;黄伟;张培晴 -专利权人：宁波大学
申请日： 2018-10-11 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： G02B6/138 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有保护层的SiO2沟道型硫系波导及其制备方法，解决了现有技术中SiO2沟道型波导制备中沟道侧壁粗糙的问题，其技术方案要点是，通过在Si/SiO2基片的SiO2的表层涂覆光刻胶作为掩膜层，再将具有掩膜层的Si/SiO2基片放入ICP刻蚀机内刻蚀SiO2沟道，通过通入氩气和三氟甲烷气体调节刻蚀精度，再在具有SiO2沟道的Si/SiO2基片上依次镀设As2Se3硫系薄膜和SU‑8聚合物，最后将掩膜层及其上方的As2Se3硫系薄膜和SU‑8聚合物从Si/SiO2基片上剥离得到波导，本发明公开的一种具有、保护层的SiO2沟道型硫系波导及其制备方法，通过控制氩气和三氟甲烷两种气体的配比来优化刻蚀参数，可将SiO2沟道侧壁的粗糙度降到最低，进而减小了波导侧壁的粗糙度。
一种具有保护层 sio base sub

[发明专利]一种基于相变纳米线的集成型光电存储器件及其测试方法-CN201611164714.1有效
发明人：吕业刚;张巍;沈祥;王国祥;徐培鹏 -专利权人：宁波大学
申请日： 2016-12-16 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： G11C11/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于相变纳米线的集成型光电存储器件及其测试方法，特点是包括波导，波导两端分别连接有光栅垂直耦合器，波导的两侧对称分布有电极，波导上方设置有相变纳米线，相变纳米线与波导垂直，相变纳米线连接两个电极并形成欧姆接触，优点是可以实现电域和光域同时操作，可以利用光电混合模式实现多级存储，并能监测相变纳米线的瞬态过程，测试其相变速度。
一种基于相变纳米集成光电存储器件及其测试方法

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