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[发明专利]用于制造半导体本体的方法和半导体装置-CN202180074339.4在审
发明人：亚德里恩·阿夫拉梅斯库;诺温·文马尔姆;彼得·施陶斯 -专利权人：艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L33/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制造半导体本体的方法，其中提供辅助载体。在所述辅助载体上产生层序列，其包括具有掺杂的半导体材料的第一层和在其上施加的第二层，所述第二层具有未掺杂的半导体材料。将层序列的第一层电化学地多孔化，其中孔隙度为至少20体积％。然后在经多孔化的第一层和第二层中构成台地结构并且产生具有至少一个平坦的第三层的功能性的层序列，所述第三层施加在设有台地结构的第二层上。至少一个平坦的第三层具有与第二层不同的晶格常数。
用于制造半导体本体方法装置

[发明专利]用于检测UV辐射的器件和用于制造器件的方法-CN201780033383.4有效
发明人：穆罕默德·托拉比·马兹雷埃内;彼得·施陶斯;阿尔瓦罗·戈麦斯-伊格莱西亚斯 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2017-05-26 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：提出一种用于检测UV辐射的器件(100)，所述器件具有基于AlmGa1‑n‑mInnN的半导体本体(2)，其中0≤n≤1，0≤m≤1和n+m1，其中半导体本体具有第一半导体层(21)、第二半导体层(22)和位于其之间的有源层(23)。在此，第一半导体层是n型掺杂的，第二半导体层是p型掺杂的，并且有源层构成用于通过吸收辐射产生载流子对。此外，半导体本体构成为，使得有源层关于其晶格常数弛豫。此外，提出一种用于制造这种器件的方法。
用于检测 uv 辐射器件制造方法

[发明专利]半导体层序列和用于制造半导体层序列的方法-CN201710350908.9有效
发明人：维尔纳·贝格鲍尔;菲利普·德雷克塞尔;彼得·施陶斯;帕特里克·罗德 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2014-01-28 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明提出一种半导体层序列，具有：第一氮化物化合物半导体层；第二氮化物化合物半导体层；和设置在所述第一氮化物化合物半导体层和第二氮化物化合物半导体层之间的中间层；其中从第一氮化物化合物半导体层起，中间层和第二氮化物化合物半导体层沿着半导体层序列的生长方向依次地设置并且直接相继地彼此邻接，其中中间层至少局部地具有与第一氮化物化合物半导体层不同的晶格常数，并且其中第二氮化物化合物半导体层至少局部地与中间层晶格匹配。
半导体序列用于制造方法

[发明专利]半导体器件和用于制造半导体器件的方法-CN201610829158.9有效
发明人： 彼得·施陶斯;菲利普·德雷克塞尔;约阿希姆·赫特功 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2011-08-11 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：提出一种具有在衬底(1)上的、由氮化合物半导体材料制成的半导体层序列(2)的半导体器件，其中衬底(1)具有朝向半导体层序列(2)的硅表面，并且半导体层序列(2)具有有源区域(21)并且在衬底(1)和有源区域(21)之间具有由氧掺杂的AlN化合物半导体材料制成的至少一个中间层(3)。此外，提出一种用于制造半导体器件的方法。
半导体器件用于制造方法

[发明专利]用于制造层结构的方法-CN201510896742.1有效
发明人： 彼得·施陶斯;菲利普·德雷克塞尔 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2010-09-28 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及用于制造层结构的方法，具有下述步骤：提供具有硅表面(1a)的支承衬底(1)；沿生长方向(R)在所述硅表面(1a)上沉积层序列(100)，其中所述层序列(100)包含至少两个GaN层(5)，所述GaN层利用氮化镓形成，所述层序列包含掩膜层(12)，所述掩膜层利用氮化硅形成，所述掩膜层(12)沿生长方向(R)跟随在所述GaN层(5)的至少一部分之后，以及最早在第一GaN层(5a)的沉积之后施加掩膜层(12)。
用于制造结构方法

[发明专利]用于制造氮化物化合物半导体器件的方法-CN201480033604.4有效
发明人：维尔纳·贝格鲍尔;菲利普·德雷克塞尔;彼得·施陶斯;帕特里克·罗德 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2014-05-28 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：提出一种用于制造氮化物化合物半导体器件的方法，所述方法具有下述步骤提供具有硅表面的生长衬底(1)；将缓冲层(2)生长到硅表面上，所述缓冲层具有AlxInyGa1‑x‑yN，其中0≤x≤1，0≤y≤1并且x+y≤1；将半导体层序列(3)生长到缓冲层(2)上，其中缓冲层(2)具有变化的材料成分，使得缓冲层(2)的横向的晶格常数在第一区域(2a)中逐步地或连续地增大并且在沿生长方向跟随第一区域的第二区域(2b)中逐步地或连续地减小，以及缓冲层(2)在与半导体层序列(3)的边界面上与半导体层序列(3)的邻接于缓冲层(2)的半导体层(4)相比具有更小的横向的晶格常数。
用于制造氮化物化合物半导体器件方法

[发明专利]半导体层序列和用于制造半导体层序列的方法-CN201480006555.5有效
发明人：维尔纳·贝格鲍尔;菲利普·德雷克塞尔;彼得·施陶斯;帕特里克·罗德 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2014-01-28 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提出一种半导体层序列，具有第一氮化物化合物半导体层；第二氮化物化合物半导体层；和设置在所述第一氮化物化合物半导体层和第二氮化物化合物半导体层之间的中间层；其中从第一氮化物化合物半导体层起，中间层和第二氮化物化合物半导体层沿着半导体层序列的生长方向依次地设置并且直接相继地彼此邻接，其中中间层至少局部地具有与第一氮化物化合物半导体层不同的晶格常数，并且其中第二氮化物化合物半导体层至少局部地与中间层晶格匹配。
半导体序列用于制造方法

[发明专利]半导体器件和用于制造半导体器件的方法-CN201180041470.7有效
发明人： 彼得·施陶斯;菲利普·德雷克塞尔;约阿希姆·赫特功 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2011-08-11 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：提出一种具有在衬底（1）上的、由氮化合物半导体材料制成的半导体层序列（2）的半导体器件，其中衬底（1）具有朝向半导体层序列（2）的硅表面，并且半导体层序列（2）具有有源区域（21）并且在衬底（1）和有源区域（21）之间具有由氧掺杂的AlN化合物半导体材料制成的至少一个中间层（3）。此外，提出一种用于制造半导体器件的方法。
半导体器件用于制造方法

[发明专利]用于制造光电子半导体芯片的方法和相应的光电子半导体芯片-CN201280048166.X在审
发明人：约阿希姆·赫特功;卡尔·恩格尔;贝特霍尔德·哈恩;安德烈亚斯·魏玛;彼得·施陶斯 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2012-08-28 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：在方法的至少一个实施形式中，所述方法设计成用于制造光电子半导体芯片（10），尤其是发光二极管。该方法至少包括下述步骤：提供硅生长衬底（1）；借助于溅镀在生长衬底（1）上生成III族氮化物缓冲层（3），和在缓冲层（3）上方生长具有有源层（2a）的III族氮化物半导体层序列（2）。
用于制造光电子半导体芯片方法相应

[发明专利]半导体器件、衬底和用于制造半导体层序列的方法-CN201180034932.2无效
发明人： 彼得·施陶斯;帕特里克·罗德;菲利普·德雷克塞尔 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2011-07-07 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提出一种半导体器件（1），所述半导体器件具有半导体本体（2）和衬底（3），其中所述半导体本体以氮化物的化合物半导体材料为基础并且半导体本体设置在所述衬底上。在衬底中有针对性地构成杂质。此外，提出一种衬底和一种用于制造半导体器件（1）的半导体层序列（20）的方法。
半导体器件衬底用于制造半导体序列方法

[发明专利]用于制造发光二极管的方法-CN201080044047.8有效
发明人： 彼得·施陶斯;菲利普·德雷克塞尔 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2010-09-28 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提出了一种制造发光二极管的方法，其具有下述步骤：-提供具有硅表面(1a)的支承衬底(1)；-沿生长方向(R)在硅表面(1a)上沉积层序列(100)，并且-将发光二极管结构(16)沉积到层序列(100)上，其中-层序列(100)包含以氮化镓形成的GaN层(5)，-层序列包含以氮化硅形成的掩膜层(12)，并且-掩膜层(12)沿生长方向(R)跟随GaN层(5)的至少一部分。
用于制造发光二极管方法

[发明专利]用于半导体芯片的复合衬底-CN200980146078.1有效
发明人：于尔根·莫斯布格尔;彼得·施陶斯;安德烈亚斯·普洛斯尔 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2009-11-09 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提出了一种用于半导体芯片(6)的复合衬底(1)。复合衬底(1)包括：包含半导体材料的第一盖层(2)、第二盖层(4)和设置在第一盖层(2)和第二盖层(4)之间的芯层(3)，其中芯层(3)具有比盖层(2，4)大的热膨胀系数。此外，提出了一种带有这种复合衬底(1)的光电子半导体芯片(6)。
用于半导体芯片复合衬底

[发明专利]发光装置-CN200980139944.4有效
发明人： 彼得·施陶斯;赖纳·温迪施;弗兰克·鲍曼;马蒂亚斯·彼得 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2009-08-11 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：在发光装置(1)的至少一个实施形式中，发光装置(1)包括至少一个光电子半导体器件(2)，其在工作中以至少一个第一波长(L1)和至少一个第二波长(L2)发射电磁辐射，其中第一波长(L1)与第二波长(L2)彼此不同并且都在500nm以下、尤其在200nm和500nm之间。此外，发光装置(1)包括至少一个转换装置(3)，其将第一波长(L1)至少部分地转换为其他频率的辐射。发光装置(1)在工作中所发射的辐射光谱与黑体光谱是条件等色的。通过这样的发光装置可以将第一波长和第二波长选择为使得可同时实现发光装置的高的显色质量和高的效率。
发光装置

[发明专利]辐射探测器-CN201110031432.5有效
发明人：阿恩特·耶格;彼得·施陶斯;赖纳·温迪施 -专利权人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
申请日： 2005-03-10 - 公布日： 2011-07-27 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明涉及一种根据预先给定的人眼的光谱灵敏度分布(9)的用于探测辐射的辐射探测器，其中所述灵敏度分布(9)在波长λ0’处具有最大值，所述辐射探测器包括半导体本体(1)，所述半导体本体(1)具有用于产生探测器信号的且为了辐射接收而设置的有源区(5)，其中所述半导体本体(1)含有至少一种III-V族半导体材料，并且所述有源区(5)包括多个功能层。
辐射探测器

[发明专利]带有多量子阱结构的光电子半导体芯片-CN200880108978.2有效
发明人： 彼得·施陶斯;马蒂亚斯·彼得;亚历山大·沃尔特 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2008-09-12 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种光电子半导体芯片，其具有有源区(20)，该有源区包含设计用于产生电磁辐射的多量子阱结构，该多量子阱结构具有多个相继的量子阱层(210，220，230)。多量子阱结构具有至少一个第一量子阱层(210)，其被n导电地掺杂并且设置在与所述第一量子阱层(210)邻接的n导电地掺杂的两个势垒层(250)之间。多量子阱结构具有第二量子阱层(220)，其未掺杂并且设置在与所述第二量子阱层邻接的两个势垒层(250，260)之间，其中一个势垒层n导电地掺杂而另一个未掺杂。此外，多量子阱结构具有至少一个第三量子阱层(230)，其未掺杂并且设置在与所述第三量子阱层邻接的未掺杂的两个势垒层(260)之间。
带有多量结构光电子半导体芯片

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