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[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202111080654.6在审
发明人： 彭德轩;任楷;周美媛 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及其制造方法。此半导体结构包括一基底以及设置于基底内的一埋入式闸极结构。埋入式闸极结构包括一闸极介电层，位于基底中的沟槽的侧壁和底面上；一阻障层，位于沟槽中且位于闸极介电层的侧壁和底面上；一第一功函数层，位于沟槽中且包括一主体部和位于主体部上并连接主体部的一突起部；一第二功函数层，位于第一功函数层的突起部的两侧；以及一绝缘层，位于沟槽中且位于第一功函数层的突起部及第二功函数层上。其中阻障层围绕主体部的侧壁和底面，突起部的顶面面积小于突起部的底面面积。本发明的半导体结构及其制造方法，能够改善传统容易产生的闸极引发漏极漏电流的问题。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN202010916999.X在审
发明人： 彭德轩;任楷 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2020-09-03 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体元件及其制造方法，所述半导体元件包括基底、电容器、终止层、第一接触窗与第二接触窗。基底包括存储器阵列区与周边电路区。电容器位于存储器阵列区中。电容器包括第一电极、第二电极与绝缘层。第一电极位于基底上。第二电极位于第一电极上。绝缘层位于第一电极与第二电极之间。终止层位于存储器阵列区中的第二电极上，且延伸至周边电路区中。终止层的材料并非导体材料。第一接触窗位于存储器阵列区中，穿过终止层，且电性连接至第二电极。第二接触窗位于周边电路区中，且穿过终止层。上述半导体元件可提升半导体元件的电性表现。
半导体元件及其制造方法