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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202111080654.6在审
发明人：彭德轩;任楷;周美媛 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及其制造方法。此半导体结构包括一基底以及设置于基底内的一埋入式闸极结构。埋入式闸极结构包括一闸极介电层，位于基底中的沟槽的侧壁和底面上；一阻障层，位于沟槽中且位于闸极介电层的侧壁和底面上；一第一功函数层，位于沟槽中且包括一主体部和位于主体部上并连接主体部的一突起部；一第二功函数层，位于第一功函数层的突起部的两侧；以及一绝缘层，位于沟槽中且位于第一功函数层的突起部及第二功函数层上。其中阻障层围绕主体部的侧壁和底面，突起部的顶面面积小于突起部的底面面积。本发明的半导体结构及其制造方法，能够改善传统容易产生的闸极引发漏极漏电流的问题。
半导体结构及其制造方法

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