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[发明专利]一种复杂多孔介质中确定主流通道类型的方法及装置-CN201810660564.6有效
发明人：李熙喆;孙玉平;路琳琳;陆家亮;胡勇;李洋;苏云河;刘华勋;刘晓华;郭辉;孙贺东;张静平 -专利权人：中国石油天然气股份有限公司
申请日： 2018-06-25 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： E21B47/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种复杂多孔介质中确定主流通道类型的方法及装置，该方法包括：对从油气藏中选取的多个代表气井分别进行试井作业与测井作业，并获取代表气井的试井资料与测井资料；根据各试井资料得到对应的代表气井试井渗透率，并根据各测井资料得到对应的代表气井测井渗透率；根据代表气井试井渗透率与代表气井测井渗透率，确定油气藏的主流通道指数；根据油气藏的主流通道指数，确定油气藏的主流通道类型。本发明提出的主流通道指数可以准确的体现油气藏的主流通道中孔隙与裂缝的主次关系，在无需对气井进行除试井与测井作业外的其他测试情况下，可以准确的判断油气藏的主流通道类型。
一种复杂多孔介质确定主流通道类型方法装置

[实用新型]一种带有标识装置的吸氧及雾化收纳设备-CN202122480280.9有效
发明人：邹洁;张静平;周红梅;李娟;熊脂瑶;高赛钰 -专利权人：中南大学
申请日： 2021-10-14 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： A61M16/16 文献下载
摘要：本实用新型专利公开了一种带有标识装置的吸氧及雾化收纳设备，包括装置主体，所述装置主体包括氧气机以及收纳箱，所述收纳箱为凹字形，且凹字形的中部开设有凹槽，所述收纳箱的中部卡接有氧气机，所述收纳箱一侧表面通过粘接的方式连接第一标识，所述第一标识位于所述收纳箱的左侧，所述第一标识的中部设置有数字滑轮，所述数字滑轮的表面刻有0‑9的数字标识，所述数字滑轮的两侧通过粘接的方式连接第一转轴，所述数字滑轮通过嵌入的方式连接在收纳箱的内部，医护人员可根据患者使用情况调节数字滑轮上的数字，来提醒患者及护理人员机器的使用时间，从而做到明确标识的效果，从而避免了患者及家属容易自行调节流量的现象。
一种带有标识装置吸氧雾化收纳设备

[实用新型]一种具有双向滑动结构的浴帘-CN202120855424.1有效
发明人：谢明;张静平;朱丹 -专利权人：山东嘉源塑胶科技股份有限公司
申请日： 2021-04-25 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： A47H1/022 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有双向滑动结构的浴帘，包括杆体，杆体的顶端设有滑动组件，滑动组件包括若干个滑动环、若干个滚珠、若干个卡合槽、若干个卡合杆、帘布和若干个帘环，若干个滑动环分别通过滚珠与杆体滑动连接，若干个滑动环均与相对应的滚珠转动连接，若干个滑动环的顶端均为半圆形，本实用新型的有益效果是：通过杆体放置滑动组件带动帘布滑动，通过滑动环固定卡合杆和滚珠，通过滚珠带动滑动环来进行更好的双向滑动，并减少与杆体的摩擦加强滑动效果，通过卡合槽卡合固定住卡合杆来固定住帘环，并进一步固定帘布，且调节卡合杆能够将帘环取出，来对帘布进行清洗晾晒等，避免滋生细菌损害用户健康。
一种具有双向滑动结构

[发明专利]一种导管标识打印控制系统及方法-CN202110932225.0在审
发明人： 张静平;何劲;盛禹萌 -专利权人：湖南医标通信息科技有限公司
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： G06F3/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种导管标识打印控制系统及方法，控制系统包括MCU处理器、电源模块、平板显示模块和打印驱动模块，电源模块包括12V输入电压单元、3.3V系统供电单元和4.8V打印电压单元，12V输入电压单元分别连接3.3V系统供电单元和4.8V打印电压单元，3.3V系统供电单元和平板显示单元分别连接MCU处理器，3.3V系统供电单元和MCU处理器分别连接打印驱动模块，本发明工作原理简单，操作方便，能够实现对导管打印机的远程预约打印，节省打印时间，提高打印效率。
一种导管标识打印控制系统方法

[发明专利]气质联用色谱法测定尼可地尔中佛尔酮含量的方法-CN202010335518.6在审
发明人：丁爱忠;孔凯丽;成芳;洪林云;张静平 -专利权人：江苏天士力帝益药业有限公司
申请日： 2020-04-24 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： G01N30/02 文献下载
摘要：本发明公开了气质联用色谱法测定尼可地尔中佛尔酮含量的方法，包括以下步骤，步骤一，对照品溶液制备精密称取佛尔酮对照品，置于容量瓶中，用稀释剂溶解至刻度，摇匀；步骤二，供试品溶液制备精密称定尼可地尔原料药，置于容量瓶中，用稀释剂溶解至刻度，摇匀；步骤三，空白样将稀释剂作为空白样，置于容量瓶中；步骤四，测定精密量取供试品溶液、对照品溶液，进样，采用气质联用仪进行分离分析，并记录谱图。利用试验对本发明所提供的检测方法进行了验证，结果表明，本方法的专属性强、精密度好，准确度高，能快速地测定尼可地尔中佛尔酮含量。
气质联用色谱测定尔中佛尔酮含量方法

[发明专利]一种用于试管婴儿患者管理系统-CN202110860680.4在审
发明人：唐红英;李艳萍;傅婧;彭伶丽;卢风笛;赵静;张静平 -专利权人：中南大学湘雅医院
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： G16H80/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于试管婴儿患者管理系统，包括基本资料输入单元、试管婴儿阶段式指导单元、健康档案存储单元、健康教育单元和专业咨询单元、随访单元；所述基本资料输入单元用于输入用户基本信息并注册账号和密码；所述试管婴儿阶段式指导单元用于记录用户所处的阶段，并对用户进行提醒；所述健康档案存储单元用于存储用户的照片、用户基本信息、检验单、检查结果单、医生处方、试管婴儿胚胎单、存续费单和费用清单；所述健康教育单元用于展示健康教育资料。本发明可以实现对进行试管婴儿患者的智能管理和提醒，可以对进行试管婴儿患者对应试管婴儿各阶段健康资料的推送，并且便于试管婴儿患者远程与医生沟通，还具有检查提醒与导航功能，实现试管婴儿患者闭环式管理，提高了医院的服务效率。
一种用于试管婴儿患者管理系统

[发明专利]一种金属玷污的检测方法-CN201710775070.8有效
发明人：吴良辉;吴关平;万先进;蒋阳波;张静平;汪亚军;李冠男 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： G01N23/2209 文献下载
摘要：本发明提供一种金属玷污的检测方法，提供检测用晶片，将将检测用晶片放置于被检测设备中并静置预设时间之后，在检测用晶片上外延生长外延层，对检测用晶片进行缺陷扫描，通过缺陷扫描结果判断是否存在金属玷污。外延生长为沿着晶片的晶格生长的方法，若存在金属污染，金属污染物落在晶片上，会破坏正常晶格的生长，同时生长速度比正常晶格生长的快而没有规律，会在外延层的表面形成类似于虫子的特定缺陷形貌，根据该缺陷，可以直观地进行是否存在金属玷污的判断，外延生长的速度快，比检测设备的检测时间更快，提高检测效率。此外，对于没有沾污的晶片，还可以重复利用，再次进行检测，可以降低检测成本。
一种金属玷污检测方法

[发明专利]一种超声引导放疗辅助患者摆位用扫描装置-CN201911101099.3在审
发明人：惠蓓娜;张静平;车少敏;李毅;马军;袁维 -专利权人：西安交通大学医学院第一附属医院
申请日： 2019-11-12 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： A61N5/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种超声引导放疗辅助患者摆位用扫描装置，包括卡板、基座、PLC控制面板、放置槽、I行程开关、II行程开关、I电动推杆、I步进电机、转轴、弧形齿条、移动座、II步进电机、齿轮、II电动推杆、固定座、压力传感器、超声探头，首先通过X、Y、Z三轴电动位置调节机构的作用，从而实现对超声引导扫描位置的准确控制，其次通过角度旋转摆位装置的配合效果，确保了超声探头的旋转角度，最后结合压力传感系统设计，也方便医护人员掌握按压深度及按压力度，提高了超声辅助CBCT进行摆位验证的精度，综上，通过使用该装置保障了每次摆位验证超声探头扫描的一致性，利于超声引导放疗辅助摆位的推广应用。
一种超声引导放疗辅助患者摆位用扫描装置

[外观设计]标签打印机（医用无菌物品时间管理）-CN202030718068.X有效
发明人： 张静平;盛禹萌;何劲 -专利权人：湖南医标通信息科技有限公司
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： 18-99 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：标签打印机（医用无菌物品时间管理）。2.本外观设计产品的用途：用于医用无菌药品时间管理打印的设备使用。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状与图案的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
标签打印机医用无菌物品时间管理

[发明专利]一种用于湿法刻蚀的喷嘴、湿法刻蚀设备-CN201710784748.9有效
发明人：吴良辉;蒋阳波;李君;张静平;游晓英 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种用于湿法刻蚀的喷嘴，喷嘴的进液口为桶状，所述进液口的开口端与刻蚀液体传输端连接，所述进液口的底面上设置有间隔排布的第一通孔；所述出液面上设置有间隔排布的第二通孔，所述第二通孔与第一通孔一一对应，所述第一通孔与第二通孔之间为连接管道，沿所述出液面的中轴线至两边方向上，所述连接管道与出液面的夹角依次减小。这样，使得从喷嘴中喷出的液体呈发射状，到达晶片表面的刻蚀液体的范围增大，尤其是在晶片边缘时，利于刻蚀液体的及时补充，保证晶片中心和晶片边缘的刻蚀率的一致性，从而，提高晶片的良率。
一种用于湿法刻蚀喷嘴设备

[发明专利]湿法刻蚀化学品反应槽-CN201710775129.3有效
发明人：吴良辉;吴关平;万先进;蒋阳波;张静平;汪亚军 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种湿法刻蚀化学品反应槽，其包括：用于盛放化学品反应液以及用于容纳待刻蚀晶片的第一槽、用于盛放化学品反应液且能够从第一槽顶部向第一槽注入化学品反应液的第二槽，以及用于将化学品反应液从第一槽底部抽至第二槽的抽泵。在该反应槽内，化学品反应液在第一槽内的流向是从上向下。因此，在第一槽内，化学品反应液按照由上到下的流向对待刻蚀晶片进行冲洗，如此，待刻蚀晶片刻蚀过程中产生的副产物很容易随反应液从第一槽底部流出，其不易粘附在待刻蚀晶片表面，因而该湿法刻蚀化学品反应槽能够减少刻蚀副产物给待刻蚀晶片表面带来的接触点线缺陷，有利于提高晶片良率。
湿法刻蚀化学品反应

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201810971377.X有效
发明人：吕相林;杨永刚;张静平;夏余平;宋冬门;王二伟;刘开源;李君 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-08-24 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：提供一衬底，所述衬底表面具有堆叠结构，所述堆叠结构包括沿垂直衬底表面方向相互堆叠的绝缘层和牺牲层；形成贯穿所述堆叠结构的沟道孔；在所述沟道孔的内壁表面形成一材料层，所述材料层的厚度沿沟道孔底部至沟道孔顶部方向逐渐增大；在所述材料层表面形成一亲水性膜；对所述材料层进行湿法刻蚀，去除所述沟道孔底部的材料层，暴露出沟道孔底部的衬底表面，保留所述沟道孔侧壁表面部分厚度的材料层。所述半导体结构在后续工艺中能够保护沟道孔侧壁不受损伤。
半导体结构及其形成方法

[实用新型]机床智能制造单元-CN202021718538.3有效
发明人：赵洪锋;徐大鹏;张静平 -专利权人：苏州麻雀智能科技有限公司
申请日： 2020-08-18 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： B23Q7/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了机床智能制造单元，其将产品相对于机床进行自动上下料，且将脱离机床的产品经过除尘和浸油后放入放置料仓，节约了人力，且缩短的生产线，降低了土地和人力成本。机床的进料侧设置有自动料仓模组，所述自动料仓模组的腔体内集成有上料仓、下料仓，所述自动料仓模组的顶板的上部对于于上料仓的位置设置有出料口、对应于下料仓的位置设置有入料口，所述顶板的介于出料口和机床的进料侧的位置间布置有机械手，所述机械手用于完成机床对于产品的取放，所述顶板上还布置有旋转除尘机构、浸油式防锈机构，所述机械手用于将产品转运至所述旋转除尘机构、浸油式防锈机构，所述上料仓内设置有第一垂直向举升装置。
机床智能制造单元

[实用新型]旋转除尘机构-CN202021718118.5有效
发明人：赵洪锋;张静平 -专利权人：苏州麻雀智能科技有限公司
申请日： 2020-08-18 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： B08B5/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了旋转除尘机构，其将产品在动态旋转过程中进行除尘，使得产品的表面的灰尘全部被清理干净，且其除尘快速高效，确保后续工位操作方便可靠。立式安装座布置于所述底板的上表面的一端、且立式安装座的立板垂直于所述底板的上表面布置，所述立板在高度方向上自下而上分别固装有驱动电机、驱动转盘，所述驱动电机的输出轴通过带轮结构连接所述驱动转盘的输入轴，所述驱动转盘的输出末端固装有横梁、中心定位轴，所述中心定位轴前凸于所述横梁的长度方向中心位置，所述横梁垂直于所述中心定位轴布置，所述横梁的量长度方向两端分别设置有第一连接杆、第二连接杆。
旋转除尘机构

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201810971354.9有效
发明人：吕相林;杨永刚;张静平 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-08-24 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体结构的形成方法，包括：提供一衬底，所述衬底表面具有堆叠结构；形成贯穿堆叠结构的沟道孔；在沟道孔的内壁表面形成一材料层，材料层的厚度沿沟道孔底部至沟道孔顶部方向逐渐增大；对材料层进行湿法刻蚀，至少部分去除沟道孔底部的材料层而保留所述沟道孔侧壁表面部分厚度的材料层，湿法刻蚀包括：依次进行的化学液浸泡阶段和冲洗阶段；其中，化学液浸泡阶段包括：将形成有材料层的衬底浸泡于刻蚀溶液中；冲洗阶段包括：将形成有材料层的衬底从刻蚀溶液中取出，浸泡于去离子水中，使沟道孔内的刻蚀溶液浓度自沟道孔底部向顶部方向逐渐降低。所述半导体结构在后续工艺中能够保护沟道孔侧壁不受损伤。
半导体结构形成方法