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[发明专利]一种全狭缝涂布大面积钙钛矿太阳电池的制备方法-CN202210480076.3有效
发明人： 张静全;郭强;郝霞;赵德威;武莉莉 -专利权人：四川大学
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H10K71/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种全狭缝涂布大面积钙钛矿太阳电池的制备方法，属于太阳电池技术领域，制备方法的具体步骤为：衬底表面活化以及真空辅助狭缝涂布技术制备各功能层。通过采用紫外（UV）—臭氧或者氧等离子体处理，使FTO玻璃基底表面活化，利于各功能层前驱体的涂敷；通过采用多段式GAP涂敷，可以得到更加均匀完整的薄膜；采用真空辅助狭缝涂布技术，在10S内构造温和真空，在均匀成核和结晶失控之前去除新沉积的前驱体湿膜的多余溶剂，从而稳定中间相。全程主要部分采用狭缝涂布技术，涂敷成本低、工艺简单，器件效率稳定性好且展现出很好的再现性。
一种狭缝大面积钙钛矿太阳电池制备方法

[发明专利]一种内燃机气缸套抛光设备-CN202310715353.9在审
发明人：钱益超;李遇贤;李涛;郭子玉;张静全;张杰 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种内燃机气缸套抛光设备，涉及抛光设备技术领域，包括工作台和气缸套本体，所述工作台的上表面固定连接有支架，还包括：设置于所述支架的表面，用于对气缸套本体内壁和外壁同时进行抛光的抛光结构，所述抛光结构包括与支架转动连接的转板、用于对气缸套本体进行支撑的驱动辊、用于带动驱动辊旋转的皮带、用于对气缸套本体内壁进行抛光的内打磨辊、用于对气缸套本体外壁进行抛光的外打磨辊、固定安装在转板一侧的安装框，此内燃机气缸套抛光设备，通过设置抛光结构，利用内打磨辊和外打磨辊配合能够同时对气缸套本体的内壁和外壁进行抛光，从而提高对气缸套本体的抛光效率，进而提高了抛光设备的实用性。
一种内燃机气缸套抛光设备

[发明专利]一种提取镉的氯化蒸馏装置-CN202210036733.5在审
发明人： 张静全;王文武;郭强;武莉莉;何笑聪;凌立华 -专利权人：四川大学;中国东方电气集团有限公司
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C22B9/02 文献下载
摘要：本发明专利提供了一种提取镉的氯化蒸馏装置，能够将含镉化合物废物进行良好地回收提纯。提取镉的氯化蒸馏装置的反应釜为圆柱形中空，其外侧有冷却紫铜盘管，上端取料装置包括测量显示反应釜区域温度的顶部测温点，给反应釜抽真空的抽真空口和通气排气的气口以及冷却水供给与排放的冷却水进出口，上部还留有冷却水夹套；加热部分包括反应釜两侧的低温区以及反应釜底部可由升降台控制高度的高温区；保温区包括加热区域外围以及反应釜中部冷却紫铜盘管两侧；反应釜上部两侧为真空部分。本发明专利采用多功能一体化设计和区域控温技术，有效实现镉的有效提纯，且具有结构简单、技术难点低、安装运输方便等优点。
一种提取氯化蒸馏装置

[发明专利]一种单基底四端级联钙钛矿-碲化镉叠层太阳电池-CN202110033178.6有效
发明人：赵德威;郝霞;任胜强;武莉莉;张静全 -专利权人：四川大学
申请日： 2021-01-12 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H10K39/15 文献下载
摘要：本发明属于一种利用半导体材料的光生伏打效应，直接将光能转换为电能的光电器件，属于太阳电池新型结构设计及器件制备之技术领域。由于碲化镉太阳电池及钙钛矿太阳电池吸光体对太阳光谱的吸收范围有限，器件效率均小于26%。可通过在同一个基底的两侧分别制备钙钛矿和碲化镉电池来进一步提高器件效率。本发明全面考虑四端级联叠层太阳电池中的光电损耗，提出了单基底四端级联碲化镉‑钙钛矿叠层太阳电池的结构。本发明旨在于单个基底的两侧按照工艺温度的高低顺序分别制备完整结构的碲化镉和钙钛矿太阳电池，通过这种简便高效的方式得到具有更高光电转换效率的四端级联叠层太阳电池。
一种基底四端级联钙钛矿碲化镉叠层太阳电池

[发明专利]一种柴油机缸套水冷结构-CN202310621022.9在审
发明人：钱益超;李遇贤;李涛;郭子玉;张静全;张杰 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： F02F1/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种柴油机缸套水冷结构，涉及柴油机技术领域，包括缸套主体和水冷组件；缸套主体套壁内开设供冷却液流动的腔体；水冷组件包含相互连通，并呈对称式分布的冷却水管和泵体，所述缸套主体的端部配设扇叶，且扇叶外可拆卸式装置有罩体，所述冷却水管排布于罩体内壁；其技术要点为：将缸套主体的内腔和冷却水管相结合，在外置泵体的驱动作用下，使得冷却液在整个结构内循环流动，并借助柴油机本身自带的扇叶，使得扇叶完成对冷却水管的散热处理，在缸套主体的边侧设计折叠囊片，整个滑动接口可进行平移式滑动调节，可同步带动内框体移动，利用内框体上的毛刷件即可完成对缸套主体内腔的内壁进行清洁处理。
一种柴油机水冷结构

[发明专利]用于氚辐伏电池的碲化镉薄膜换能器件及其制备方法-CN202111620955.3在审
发明人：武莉莉;张静全;李卫;林森;谢生辉 -专利权人：四川大学
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L31/0296 文献下载
摘要：本发明属于半导体材料与器件领域，特别涉及一种用于氚辐伏电池的碲化镉薄膜换能器件的结构及其制备方法。所述电池包括衬底、负电极、n型半导体层、p型半导体层、缓冲层和正电极。本发明提出的碲化镉薄膜换能器件具有特定的背电极形状，具有结构简单、厚度薄、暗饱和电流密度低、成本低廉，易实现规模化生产的特点。
用于氚辐伏电池碲化镉薄膜器件及其制备方法

[发明专利]一种生长全无机非铅钙钛矿单晶的方法-CN202111063259.7有效
发明人： 张静全;张建宇;李岸峰;王文武;武莉莉;赵德威 -专利权人：四川大学
申请日： 2021-09-10 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： C30B7/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种生长全无机非铅钙钛矿单晶的方法，包括将两种前驱体溶液混合，加热搅拌直至混合溶液中有固体物质产生；将籽晶杆插入装有混合溶液的容器中，在一定温度下加热直至有小晶粒在籽晶杆上生成，取出籽晶杆，选取合适的小晶粒作为籽晶，粘接在籽晶杆底面中心位置；将粘接了籽晶的籽晶杆插入装有混合溶液的容器中，在一定温度下对容器进行加热直至单晶生长到所需尺寸。本发明利用两种前驱体及产物在溶剂中的溶解度差异，通过固定溶液上下部的温度及浓度梯度，使得溶质持续从溶液下部向溶液上部输运，实现高质量单晶的连续生长；同时利用溶质在特定溶剂中溶解度较低的特性，有效降低了单晶生长过程的原料损耗，提高了单晶产率。
一种生长无机非铅钙钛矿单晶方法

[发明专利]一种制备高质量铯铋碘单晶的方法-CN202211310828.8有效
发明人： 张静全;李岸峰;杨曼曼;郝霞;郭强;武莉莉 -专利权人：四川大学
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： C30B7/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备高质量铯铋碘单晶的方法，涉及光电材料领域。本发明包括以下步骤：确定模拟软件中适用的物理场，进行实际单晶炉的数字模型构建；测定碘化铯、三碘化铋和铯铋碘在氢碘酸中的溶解度曲线和最大过冷度；在模拟软件中设置不同参数组，模拟分析得到温度场和速度场，并进行不同工艺的单晶生长；根据单晶生长结果确定合适温度场；保持合适温度场不变，在模拟软件中设置不同的前驱体比例，模拟分析得到不同离子的浓度梯度并进行不同工艺的单晶生长来确定理论化学计量比的工艺参数。本发明对单晶生长过程中的温度场和浓度梯度进行数值模拟，得到结晶时的流场、物质流的分布图的方法。此方法对工艺的改进提供了可靠的理论支撑。
一种制备质量铯铋碘单晶方法

[发明专利]一种锡基钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN202111437361.9有效
发明人：任胜强;赵德威;郝霞;武莉莉;张静全 -专利权人：四川大学
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H10K30/50 文献下载
摘要：本发明属于新型薄膜太阳能电池制备技术领域，具体公开了一种锡基钙钛矿太阳能电池及其制备方法。该方法通过在锡基钙钛矿前驱体溶液里加入苯乙胺溴，并采用一步旋涂制备得到锡基钙钛矿薄膜。该添加剂有助于提高薄膜的结晶质量、改善形貌、降低内部缺陷态和减少非辐射复合。此外，由此技术制备的吸收层与电荷传输层形成的匹配能带结构增强了载流子输运能力。相应的锡基钙钛矿太阳电池器件光电转换效率达到14.65％且在放置4800小时后仍保持初始值的90％以上。以上数据表明前驱液添加苯乙胺溴是一种有效提高锡基钙钛矿电池光电转换效率和稳定性的制备方法。
一种锡基钙钛矿太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种用于修复碲化镉薄膜砂眼的碳基复合浆料及其应用-CN202211137531.6在审
发明人：曾广根;杨秀涛;王嘉艺;郑雨洁;郝雅宁;赵倩俨;黎兵;张静全;李卫;冯良桓 -专利权人：四川大学
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： C09D133/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于修复碲化镉薄膜砂眼的碳基复合浆料及其应用，该复合浆料包含以下质量份数的组分：5～20份碳粉、5～20份碲化镉粉、10～20份有机粘接剂、5～20份表面活性剂、1～5份触变剂、5～10份分散剂；所述的碳粉的粒径为5nm～30nm；所述的碲化镉粉的粒径为5nm～20nm。本发明解决了现有技术不能有效地弥补碲化镉薄膜砂眼或缺陷，导致电池成品率较低、制造成本较高的问题。本发明的复合浆料能够有效地填充并修复砂眼，提高太阳电池成品率，降低生产成本。本发明简单易行，采用旋涂法形成中间层，有利于碲化镉薄膜与后序工艺中制备的背接触层之间获得良好的附着力。
一种用于修复碲化镉薄膜砂眼复合浆料及其应用

[发明专利]一种用于硅胶按键的Ag@SiO2-CN202211132927.1在审
发明人：曾广根;郑雨洁;杨秀涛;王嘉艺;郝雅宁;赵倩俨;黎兵;张静全;李卫;冯良桓 -专利权人：四川大学
申请日： 2022-09-16 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： C09D11/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于硅胶按键的Ag@SiO2改性导电油墨及其制备方法，该导电油墨包含以下质量份数的组分：300～400份油墨、3～30份SiO2粉末、3～40份Ag@SiO2核‑壳粉末；所述的SiO2粉末的粒径为100nm～5μm；所述的Ag@SiO2核‑壳粉末的粒径为1～10μm。本发明解决了现有导电油墨附着力差、力学性能不佳，导致按键使用寿命较短的问题。本发明制备Ag@SiO2改性导电油墨在维持高导电的同时，增强了导电层与按键的附着力，优化了按键接触区机械性能，提高了按键的使用寿命。
一种用于硅胶按键 ag sio base sub

[发明专利]一种提取锑的氯化蒸馏装置-CN202110535785.2在审
发明人：王文武;郭强;张程;张胜;杨武勇;雷聪;武莉莉;李卫;张静全 -专利权人：四川大学;峨嵋半导体材料研究所
申请日： 2021-05-17 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： B01J19/24 文献下载
摘要：本发明专利提供了一种提取锑的氯化蒸馏装置，包括取料装置，反应釜，进水口，出水口，顶部冷却部套，抽真空宝塔，低温、中温、高温三个温度段加热，中温、高温两个温度段保温层等组成。其特征在于反应釜为为中空，其材质为抗腐蚀材料，并设有抽真空宝塔接口，方便控制反应气压，气氛等。通过区分不同区域分段加热，有利于反应的充分进行，并可以很好的控制反应温度。
一种提取氯化蒸馏装置

[实用新型]低氧高纯还原锑收集装置-CN202220197123.9有效
发明人：雷聪;张程;雷云棣;蒋杰昌;杨武勇;李强;张胜;张静全;王文武 -专利权人：峨嵋半导体材料研究所;东方电气（乐山）峨半高纯材料有限公司;四川大学
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： C22B30/02 文献下载
摘要：本实用新型低氧高纯还原锑收集装置，属于高纯金属材料成形领域，目的是降低物料损耗和氧含量。包括收集容器和盖板，由盖板封闭收集容器顶部敞口围成收集腔；收集腔内设置有接料容器，盖板上设置有向收集腔通入惰性气体的进气管道、将收集腔内气体排出的排气管道、检测收集腔内压力的气体压力传感器以及接料管口，进气管道上的阀门一和排气管道上的阀门二均与气体压力传感器连锁控制连接；在接料管口内插接有接料漏斗；接料漏斗的顶端为接料口，底端为滴料管口；滴料管口向下延伸至接料容器的入料口内。采用该低氧高纯还原锑收集装置收集锑料，使得还原锑料出料后的氧含量由80PPm以上降低到20PPm以下。物料综合损耗由10％左右降低到3％以下。
低氧高纯还原收集装置

[实用新型]高纯锑粒制备装置-CN202123141353.8有效
发明人：张程;雷聪;雷云棣;杨武勇;蒋杰昌;张静全;王文武 -专利权人：峨嵋半导体材料研究所
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： B01J2/06 文献下载
摘要：本实用新型高纯锑粒制备装置，属于高纯金属材料成形领域，目的是提高所需粒径锑粒的成品率。包括化料釜、滴料管、接料管和虹吸管；釜盖的惰性气体加注口上连接带有进气调节阀的气体加注管道；排气口上连接带有废气调节阀的排气管道；滴料管设置于化料釜的下方；接料管与滴料管的滴料口对中；虹吸管的锑液入口位于化料釜内，锑液出口延伸至滴料管内，气体入口向上延伸至虹吸管安装口；滴料加热器上安装有与进气调节阀负反馈控制连接的对射式激光传感器；气压传感器与废气调节阀负反馈控制连接。可控制滴料孔处的锑液压力恒定，制出锑粒的粒径差异性较小，满足粒径需求的锑粒成品率高达到90％。且制粒前一次性投料，提高了安全性，降低了环境污染。
高纯制备装置

[发明专利]一种钙钛矿太阳电池组件的制备方法-CN202111138024.X有效
发明人：郝霞;赖华贵;武莉莉;张静全;赵德威 -专利权人：四川大学
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿太阳电池组件的制备方法，属于太阳电池技术领域，制备方法的具体步骤为：P1刻划、功能层制备、P2刻划、制备金属背电极层、P3刻划、P4刻划。通过采用激光刻划实现组件的串联集成，消除P2刻划引入的额外串联电阻，实现大面积组件的高填充因子从而确保组件的高效发电，通过P2参数优化后组件的填充因子得到了大幅提高；通过优化组件的P3刻划和P4清边刻划，对组件可能存在的短接区域进行消除，减少非有效发电区域对组件性能的影响，从而提高组件的稳定性；全程采用532nm激光器，刻划成本低、工艺简单，组件效率高稳定性好且展现出很好的再现性。
一种钙钛矿太阳电池组件制备方法

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