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[实用新型]一种混合滤波器结构及MEMS芯片-CN202221695780.2有效
发明人：胡孝伟;代文亮;袁琳;黄志远;张竞颢;崔云辉 -专利权人：上海芯波电子科技有限公司
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H03H9/54 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种混合滤波器结构及MEMS芯片，涉及MEMS芯片制造工艺技术领域，该混合滤波器结构，包括Si衬底、下电极金属钼、压电层、上电极金属钼、Cu种籽层、Cu走线、凸点、铜线、IPD电感、介质层及SiO2支撑层；其优点在于：将相对单一品种的SAW滤波器、BAW滤波器、IPD滤波器组合结构能够支持更多的频段信号的多工器，同时能够集成BAW滤波器的高Q值的优势；制成的混合滤波器在满足终端产品的性能需求的同时，也可以与终端产品的高集成小尺寸的要求适配度更高。
一种混合滤波器结构 mems 芯片

[实用新型]一种薄膜体声滤波器结构及MEMS芯片-CN202221746439.5有效
发明人：胡孝伟;代文亮;袁琳;黄志远;张竞颢;崔云辉 -专利权人：上海芯波电子科技有限公司
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H03H9/54 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种薄膜体声滤波器结构及MEMS芯片，包括Si衬底、金属钼下电极、氮化铝压电层、金属钼上电极、Cu走线、SiO2支撑层、铜线及凸点；Si衬底上设有下空腔，在Si衬底的表面位于下空腔的上方覆盖有金属钼下电极，在金属钼下电极上覆盖有氮化铝压电层；氮化铝压电层的一端部设有边缘斜坡，边缘斜坡覆盖于金属钼下电极的一端部；在氮化铝压电层上覆盖有金属钼上电极，在金属钼上电极位于边缘斜坡同侧端部以及边缘斜坡表面覆盖有Cu走线；在Si衬底上还淀积一层SiO2支撑层，SiO2支撑层上设有两个引线开孔，两个引线开孔中均设有铜线，其中一铜线一端和金属钼下电极连接、另一端设有凸点，其中另一铜线一端和Cu走线连接、另一端设有凸点。
一种薄膜滤波器结构 mems 芯片

[发明专利]一种基于翘曲度及应力改善后的IPD滤波器制造方法-CN202210789509.3在审
发明人：胡孝伟;代文亮;袁琳;黄志远;张竞颢;崔云辉 -专利权人：上海芯波电子科技有限公司
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L21/70 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于翘曲度及应力改善后的IPD滤波器制造方法，包括以下步骤：S1、制备衬底，并对其表面进行清洗；S2、在衬底上制备应力改善缓冲层；S3、在应力改善缓冲层上制备电容；S4、在应力改善缓冲层上制备螺旋电感；S5、制备第一PI层、第一金属走线和第二PI层，第一PI层覆盖在电容、螺旋电感和衬底上，第二PI层设置在第一PI层的上方，第一金属走线位于第一PI层和第二PI层之间；S6、在第二PI层上制备连接凸点和第二金属走线，形成IPD滤波器本体；S7、对IPD滤波器本体进行减薄和切割后进行封装。本发明具有成本低，产品应力小，产品产能高等优点。
一种基于曲度应力善后 ipd 滤波器制造方法

[发明专利]一种基于SAW和BAW并列叠放的滤波器芯片及其制造工艺-CN202210529191.5在审
发明人：胡孝伟;代文亮;张竞颢;崔云辉;黄志远 -专利权人：上海芯波电子科技有限公司
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H03H9/64 文献下载
摘要：本发明适用于MEMS芯片制造技术领域，提供了一种基于SAW和BAW并列叠放的滤波器芯片及其制造工艺。一种基于SAW和BAW并列叠放的滤波器芯片，包括衬底、SAW谐振层、BAW谐振层和高阻片；所述衬底上设置有腔体或槽体，所述衬底通过支撑柱与所述高阻片连接，所述支撑柱与所述高阻片之间设置有所述SAW谐振层和所述BAW谐振层；所述SAW谐振层和所述BAW谐振层通过第一导线连接，且所述BAW谐振层设置在所述槽体或所述腔体上；所述衬底上或所述高阻片上设置有引脚，所述引脚通过第二导线分别与所述SAW谐振层和所述BAW谐振层连接。通过设置包含SAW谐振层和BAW谐振层的混合结构滤波器芯片，使得混合滤波器芯片不仅能处理不同频段的声波，还能降低工艺设计的难度。
一种基于 saw baw 并列叠放滤波器芯片及其制造工艺

[实用新型]一种SAW和BAW的混合层叠滤波器芯片-CN202221186207.9有效
发明人：胡孝伟;代文亮;张竞颢;崔云辉;黄志远 -专利权人：上海芯波电子科技有限公司
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本实用新型适用于MEMS芯片制造技术领域，提供了一种SAW和BAW的混合层叠滤波器芯片。SAW和BAW的混合层叠滤波器芯片包括衬底、BAW模块和SAW模块；所述衬底、所述BAW模块和所述SAW模块依次层叠设置；所述BAW模块包括第一电极层、第二电极层和介质层，所述第一电极层、所述介质层和所述第二电极层依次层叠设置，形成“三明治”结构膜层；所述SAW模块包括电声转换器，所述电声转换器通过第一导线分别与所述第一电极层和所述第二电极层连接；所述第一电极层和所述衬底之间设置有第一空腔，所述第二电极层和所述SAW模块之间设置有第二空腔。本实用新型可满足不同频段声波滤波需求，拥有相对较高的Q值设计，且与终端产品的高集成小尺寸的要求有更高适配度。
一种 saw baw 混合层叠滤波器芯片

[实用新型]一种基于SAW和BAW的滤波器芯片-CN202221186208.3有效
发明人：胡孝伟;代文亮;张竞颢;崔云辉;黄志远 -专利权人：上海芯波电子科技有限公司
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H03H9/54 文献下载
摘要：本实用新型适用于MEMS芯片制造技术领域，提供了一种基于SAW和BAW的滤波器芯片。一种基于SAW和BAW的滤波器芯片，其特征在于，所述基于SAW和BAW的滤波器芯片包括衬底、BAW模块、SAW模块；所述衬底上设置有引脚；所述BAW模块为多膜层的谐振结构，所述衬底和所述BAW模块之间设置有第一空腔；所述SAW模块包括SAW谐振层，所述SAW谐振层通过第一导线与所述BAW模块连接，所述第一导线通过第二导线与所述引脚连接；所述SAW模块和所述衬底之间设置有支撑柱，所述SAW模块和所述BAW模块之间设置第二空腔。本实用新型设置了一种混合结构滤波器的叠层滤波器芯片，通过搭塔楼的方式将BAW和SAW的核心工作区域混合叠放，可以同时满足不同滤波频段的需求。
一种基于 saw baw 滤波器芯片

[实用新型]一种混合叠放式滤波器芯片-CN202221194031.1有效
发明人：胡孝伟;代文亮;张竞颢;崔云辉;黄志远 -专利权人：上海芯波电子科技有限公司
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本实用新型适用于MEMS芯片制造技术领域，提供了一种混合叠放式滤波器芯片。所述混合叠放式滤波器芯片包括依次设置的衬底、SAW谐振层、BAW谐振层和高阻片；所述BAW谐振层通过支撑柱设置在所述衬底和所述高阻片之间，且所述BAW谐振层与所述衬底之间设置有第一空腔，所述BAW谐振层与所述高阻片之间设置有第二空腔；所述SAW谐振层设置在所述第一空腔内，通过第一导线与所述BAW谐振层连接。通过将衬底、SAW谐振层、BAW谐振层和高阻片纵向叠放，构成叠层模块结构，在符合不同滤波频段需求的同时，还拥有相对较高的Q值设计和更小的尺寸设计。
一种混合叠放滤波器芯片

[发明专利]一种SAW和BAW的混合层叠滤波器芯片及其制造工艺-CN202210496718.9在审
发明人：胡孝伟;代文亮;张竞颢;崔云辉;黄志远 -专利权人：上海芯波电子科技有限公司
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本发明适用于MEMS芯片制造工艺领域，提供了一种SAW和BAW的混合层叠滤波器芯片及其制造工艺。SAW和BAW的混合层叠滤波器芯片包括衬底、BAW模块和SAW模块；所述衬底、所述BAW模块和所述SAW模块依次层叠设置；所述BAW模块包括第一电极层、第二电极层和介质层，所述第一电极层、所述介质层和所述第二电极层依次层叠设置，形成“三明治”结构膜层；所述SAW模块包括电声转换器，所述电声转换器通过第一导线分别与所述第一电极层和所述第二电极层连接；所述第一电极层和所述衬底之间设置有第一空腔，所述第二电极层和所述SAW模块之间设置有第二空腔。本发明可满足不同频段声波滤波需求，拥有相对较高的Q值设计，且与终端产品的高集成小尺寸的要求有更高适配度。
一种 saw baw 混合层叠滤波器芯片及其制造工艺

[发明专利]一种混合叠放式滤波器芯片及其制造工艺-CN202210496737.1在审
发明人：胡孝伟;代文亮;张竞颢;崔云辉;黄志远 -专利权人：上海芯波电子科技有限公司
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H03H9/64 文献下载
摘要：本发明适用于MEMS芯片制造技术领域，提供了一种混合叠放式滤波器芯片。所述混合叠放式滤波器芯片包括依次设置的衬底、SAW谐振层、BAW谐振层和高阻片；所述BAW谐振层通过支撑柱设置在所述衬底和所述高阻片之间，且所述BAW谐振层与所述衬底之间设置有第一空腔，所述BAW谐振层与所述高阻片之间设置有第二空腔；所述SAW谐振层设置在所述第一空腔内，通过第一导线与所述BAW谐振层连接。通过将衬底、SAW谐振层、BAW谐振层和高阻片纵向叠放，构成叠层模块结构，在符合不同滤波频段需求的同时，还拥有相对较高的Q值设计和更小的尺寸设计。
一种混合叠放滤波器芯片及其制造工艺

[发明专利]一种基于SAW和BAW的滤波器芯片及其制造工艺-CN202210496625.6在审
发明人：胡孝伟;代文亮;张竞颢;崔云辉;黄志远 -专利权人：上海芯波电子科技有限公司
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H03H9/56 文献下载
摘要：本发明适用于MEMS芯片制造工艺领域，提供了一种基于SAW和BAW的滤波器芯片及其制造工艺。一种基于SAW和BAW的滤波器芯片，其特征在于，所述基于SAW和BAW的滤波器芯片包括衬底、BAW模块、SAW模块；所述衬底上设置有引脚；所述BAW模块为多膜层的谐振结构，所述衬底和所述BAW模块之间设置有第一空腔；所述SAW模块包括SAW谐振层，所述SAW谐振层通过第一导线与所述BAW模块连接，所述第一导线通过第二导线与所述引脚连接；所述SAW模块和所述衬底之间设置有支撑柱，所述SAW模块和所述BAW模块之间设置第二空腔。本发明设置了一种混合结构滤波器的叠层滤波器芯片，通过搭塔楼的方式将BAW和SAW的核心工作区域混合叠放，可以同时满足不同滤波频段的需求。
一种基于 saw baw 滤波器芯片及其制造工艺

[发明专利]一种基于玻璃衬底的芯片封装工艺及多器件集成玻璃芯片-CN202210091822.X在审
发明人：胡孝伟;代文亮;张竞颢;袁琳 -专利权人：上海芯波电子科技有限公司
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于玻璃衬底的芯片封装工艺及多器件集成玻璃芯片，包括以下步骤：玻璃正面涂抗HF的腐蚀的胶膜；玻璃衬底经背面研磨减薄；通过化学机械抛光；玻璃衬底背面经一定比例的HF酸和氨水的混合溶液做同性刻蚀，形成碗状的凹槽；再用离子束蚀刻垂直导通形成深槽，刻穿玻璃衬底；蒸镀TiN/Cu种子层；通过带胶电镀形成细长的凸起；再次通过回流焊接工艺，形成球状；通过划片道切割；将单个单元的裸片与PCB高温焊接贴合。其优点在于：基于硅衬底的TSV原理对玻璃衬底3背面开孔的技术，其3D/TGV的原理是在玻璃芯片的背面做铜走线的连接以及芯片与PCB板的焊接；从而实现器件堆叠减少集成芯片尺寸以及体积，缩短铜走线，降低功耗，提高电气性能。
一种基于玻璃衬底芯片封装工艺器件集成

[发明专利]一种基于芯片结构中Via与TSV导通的封装结构及方法-CN202210091833.8在审
发明人：胡孝伟;代文亮;张竞颢;袁琳 -专利权人：上海芯波电子科技有限公司
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明公开一种基于芯片结构中Via与TSV导通的封装结构及方法，属于芯片封装领域。针对现有集成芯片尺寸体积过大和性能差的问题，本发明提供一种基于芯片结构中Via与TSV导通的封装结构，包括硅衬底，硅衬底与PCB板连接，硅衬底的上方堆叠若干层功能层，若干层功能层之间通过Via孔进行堆叠，功能层表面覆盖有钝化层，硅衬底的背面中在与底层功能层中Via孔对应的地方刻蚀形成TSV孔，Via孔与TSV孔内布设导电材料。本发明通过将TSV孔开设在了Via孔上以达到垂直直线导通的目的，实现器件有序堆叠的同时缩短走线，无需额外的位置来做TSV通孔，减小集成芯片尺寸及体积的大小，且缩短走线能够降低功耗并且提高电气性能，结构简单。封装方法步骤简单，易于操作，效率高。
一种基于芯片结构 via tsv 封装方法

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