专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种候选人胜任能力测评方法及装置-CN202310392858.6在审
  • 张竞尧 - 上海才历网络有限公司
  • 2023-04-12 - 2023-07-18 - G06Q10/0639
  • 本申请实施例公开了一种候选人胜任能力测评方法及装置。本申请能够获取候选人对应的访谈语料信息;对访谈语料信息进行特征分割,得到分割后的回答语料特征集合,回答语料特征集合包括若干个回答语料特征;对回答语料特征进行编码表示,得到回答语料特征对应的语义特征表示向量;对语义特征表示向量进行行为事件结构化类型分类,得到分类结果,以完成对候选人的胜任能力进行测评。本发明不仅使得评价结果具有较高的信度与效度;而且利用自然语言处理相关技术对候选人回答进行理解,降低人力和时间成本的同时,提高测评效率以及技术方案的可解释性与可靠性,从而提高人才测评准确性,使得机器的结果与人工结果有较高的一致性。
  • 一种候选人胜任能力测评方法装置
  • [发明专利]一种基于语义相似度的问答系统及方法-CN201910514477.4有效
  • 张竞尧;张文泽 - 深圳追一科技有限公司
  • 2019-06-12 - 2021-04-30 - G06F16/332
  • 本发明提供了一种基于语义相似度的问答系统及方法,该系统包括:客服接入端、客服处理端和标准问答库;客服接入端,用于获取用户问句,并将用户问句发送给客服处理端;客服处理端,用于将用户问句输入至预先训练好的多任务深度学习模型以得到用户问句的隐层向量,并根据用户问句的隐层向量得到用户问句对应的标准问,从标准问答库中获取与用户问句对应的标准问相关联的标准答,并将该标准答返回给客服接入端;标准问答库,用于存储多个标准问及与该多个标准问中的每个标准问相关联的标准答。本发明实施例在降低了训练数据需求量的情况下,仍然能够保证智能问答系统对用户问句分类的准确率和回复的准确率。
  • 一种基于语义相似问答系统方法
  • [发明专利]深通孔电阻的测试结构及测试方法-CN201310178419.1有效
  • 苏庆;张强;张竞尧 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2013-05-15 - 2017-08-08 - H01L21/66
  • 本发明公开了一种深通孔电阻的测试结构,包括四个位于衬底埋层两侧穿通隔离层连接衬底埋层的深通孔,介电质隔离硅片表面与第一层金,所述各深通孔通过第一层金属连接测试结构至测试焊点,形成六各测试端口分别连接激励线、激励线、检测线、检测线、检测线和检测线。本发明还提供了利用所述测试结构测试深通孔电阻和衬底寄生等效电阻的测试方法。本发明的深通孔电阻的测试结构及测试方法通过施加一次激励电流,能分别检测出两端深通孔的电阻与衬底埋层电阻间的电压降和衬底埋层电阻的电压降,经过一次计算即能精确解出深通孔电阻和衬底寄生等效电阻。
  • 深通电阻测试结构方法
  • [发明专利]新型OTP器件结构及其制造方法-CN201210510463.3无效
  • 仲志华;张竞尧 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2012-12-03 - 2014-06-11 - H01L27/115
  • 本发明公开了一种新型的OTP器件的结构,其在多晶硅浮栅上方依次还有介质层和多晶硅电阻层两层结构,多晶硅电阻层、介质层和多晶硅浮栅一起构成该一次可编程器件的耦合电容。本发明还公开上述结构的OTP器件的制造方法,该方法在用常规工艺淀积多晶硅后,刻蚀多晶硅栅极前,进行以下工艺步骤:1)在多晶硅上方淀积介质层;2)在介质层上方淀积一层多晶硅电阻;3)刻蚀形成多晶硅电阻-介质层-多晶硅的电容区域。本发明通过改变原有OTP器件耦合电容的结构,用PIP电容取代原有的MOS电容,直接垂直叠加在作为OTP浮栅的多晶硅上方,不仅大大减小了OTP存储单元的面积,而且优化了OTP器件的性能。
  • 新型otp器件结构及其制造方法

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