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- [发明专利]半导体结构-CN202110601162.0在审
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蔡明志;张祐维
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新唐科技股份有限公司
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2021-05-31
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2022-07-01
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G01N27/12
- 本发明提供一种半导体结构。半导体结构包含基板；半导体结构也包含感测电极，感测电极设置于基板上，且被区分为多个感测区块；半导体结构更包含感测层，感测层设置于感测区块之间；感测层包含金属氧化物部分及氮化硼部分，氮化硼部分披覆于金属氧化物部分上。在本发明的半导体结构中，氮化硼部分提供金属氧化物保护，以降低金属氧化物在侦测环境时受到环境因子的影响，并保有金属氧化物良好的感测性能。同时，氮化硼具有良好的热传导性，对需要设置加热装置的半导体感测装置，或者一般室温型的半导体感测装置皆十分适合。
- 半导体结构
- [发明专利]缓冲器-CN201110408059.0无效
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张祐维;郑景中
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扬智科技股份有限公司
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2011-12-09
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2013-06-19
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H03K19/0175
- 本发明公开了一种缓冲器，包括控制单元、驱动单元以及预充单元。控制单元依据输入信号产生第一控制信号与第二控制信号。驱动单元依据第一控制信号与第二控制信号产生一驱动信号。预充单元电性连接控制单元，并提供由参考电压至控制单元的预充路经。其中，当输入信号从第一电压切换至第二电压时，预充单元导通预充路经，以致使控制单元将第一控制信号从第二电压切换至预设电压，并将第二控制信号从第二电压切换至第一电压。本发明无须增加第一P型晶体管的布局面积，增加缓冲器的传输速度。
- 缓冲器
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