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[发明专利]具有可调阈值电压的高电子迁移率晶体管-CN201880053671.0有效
发明人： 张坤好;N·乔杜里 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种高电子迁移率晶体管包括：一组电极，诸如源极(110)、漏极(120)、顶栅极(130)和侧栅极(140，150)；并且包括具有在源极和漏极之间延伸的鳍的半导体结构。顶栅极布置在鳍的顶部上，并且侧栅极距顶栅极一定距离而布置在鳍的侧壁上。半导体结构包括位于顶栅极下方的覆盖层(101)和布置在覆盖层下方以用于提供导电性的沟道层(102)。覆盖层包括氮化物基半导体材料，以使异质结能够在源极和漏极之间形成载流子沟道。
具有可调阈值电压电子迁移率晶体管

[发明专利]高电子迁移率晶体管及用于制造高电子迁移率晶体管的方法-CN201880089353.X有效
发明人： 张坤好;N·乔杜里 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-08-20 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种高电子迁移率晶体管(HEMT)包括沟道半导体结构(160)，其包括层的堆叠体，该层的堆叠体按照层的材料的极化幅度的顺序布置在彼此顶部上，以在由堆叠体中各对层形成的异质结处形成多个载流子沟道。层的堆叠体包括第一层和第二层。第一层的极化幅度大于在堆叠体中布置在第一层下方的第二层的极化幅度，并且第一层的宽度小于第二层的宽度以形成沟道半导体结构的阶梯轮廓。HEMT包括包含重掺杂半导体材料的源极半导体结构(140)和包含重掺杂半导体材料的漏极半导体结构(150)。HEMT包括源极(110)、漏极(120)以及调制载流子沟道的导电率的栅极(130)。栅极具有阶梯形状，该阶梯形状具有跟踪沟道半导体结构的阶梯轮廓的踏面和竖直部。
电子迁移率晶体管用于制造方法

[发明专利]具有经由铁电负电容实现的虚拟电感器的滤波器-CN201880065323.5有效
发明人： 张坤好;N·乔杜里 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-04-02 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H03H7/06 文献下载
摘要：一种滤波器(300)包括电路(330)，该电路(330)包括电阻器(301)、正电容器(303)和经由包括铁电层的负电容器(302)的虚拟电感器。该滤波器还包括接受电路两端的输入电压的输入端子(310)以及传送取自电阻器、正电容器或正电容器和负电容器的串联连接两端的输出电压的输出端子(320)以分别实现高通、低通或谐振特性。
具有经由铁电负电容实现虚拟电感器滤波器

[发明专利]宽带功率放大器和设计宽带功率放大器网络的方法-CN201780061479.1有效
发明人：马瑞;S·N·阿里;张坤好 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-09-28 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：一种宽带功率放大器(500)包括：一组放大器(503、504)，该组放大器(503、504)并联连接以对来自放大器的输入端口的信号进行放大；匹配网络(505、506)，该匹配网络(505、506)被配置成将由所述放大器放大的信号与预定负载值匹配，所述匹配网络具有作为放大信号的频率在目标操作频率范围内的单调递减函数的第一阻抗频率响应；变换器网络(520)，该变换器网络(520)被配置成变换由所述匹配网络匹配的信号；以及阻抗平坦化网络(530)，该阻抗平坦化网络(530)具有作为所述放大信号的频率在所述目标操作频率范围内的单调递增函数的第二阻抗频率响应。
宽带功率放大器设计网络方法

[发明专利]无刻蚀ALGaN GaN三栅晶体管-CN202180022952.1在审
发明人： 张坤好;N·乔杜里 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2021-02-09 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：包括源极、栅极和漏极的场效应晶体管器件的设备和方法。该晶体管包括位于源极、栅极和漏极下方的半导体区域位置。使得半导体区域可以包括氮化镓(GaN)层和III族元素氮化物(III‑N)层。其中，GaN层包括带隙，并且III‑N层包括带隙。使得III‑N层带隙高于GaN层带隙。半导体区域的子区域位于栅极下方并且在子区域中的选定位置处掺杂有Mg离子。
刻蚀 algan gan 晶体管

[发明专利]超结选通AlGaN GaN HEMT-CN202180022980.3在审
发明人： 张坤好;N·乔杜里 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种晶体管器件，包括源极(104)和漏极(105)，所述源极和所述漏极位于沿竖直方向(V)的一位置处的水平面处。栅极(111)位于沿所述竖直方向比源极和漏极水平面更高的水平面处。所述源极和漏极水平面下方的第一区域包括第一III族氮化物(III‑N)层、所述第一III‑N层上的第二III‑N层。所述栅极下方的第二区域包括第一III‑N层、所述第一III‑N层上的第二III‑N层以及所述第二III‑N层上的第三III‑N层。所述第三III‑N层在沿晶体管的宽度的选择性位置处延伸穿过所述第二III‑N层并延伸到所述第一III‑N层的一部分中。所述第三III‑N层为P型掺杂的，并且所述第一III‑N和第二III‑N层为非故意掺杂的。
超结选通 algan gan hemt

[发明专利]基于电子干涉的反相器-CN202180017836.0在审
发明人： 张坤好;N·乔杜里 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2021-02-02 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：半导体器件包括至少三个臂。第一臂和第二臂的沟道延伸至第三臂的沟道。当因第一电压的施加而产生的电流从第一臂向第二臂流动时，生成从第一臂和第二臂的沟道到第三臂的沟道的弹道电子流。鳍结构位于第三臂中并且包括处于该鳍结构上方的栅极。栅极是使用第二电压来控制的。鳍结构被形成为对能量场结构进行感应，该能量场结构按第二电压的量移位，以控制栅极的弹道电子流穿过的开口，从而使弹道电子经受衍射然后经受干涉，该开口又改变耗尽宽度。
基于电子干涉反相器

[发明专利]发送器-CN201880091240.3有效
发明人：王炳南;彭政谕;金耕进;王璞;马瑞;张坤好 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-08-22 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H04B7/0413 文献下载
摘要：一种发送器包括射频(RF)链。每个RF链包括功率放大器、带通滤波器以及用于使用具有由RF链发送的模拟信号的相移所限定的出射角(AOD)的波束成形来发送模拟信号的天线。处理器确定用于从RF链发送的数字信号。其中，在数字信号与RF链之间存在一一对应关系。编码器用二进制码对数字信号进行编码，以产生一组已编码数字信号，并将已编码数字信号组合为组合数字信号。数模转换器将组合数字信号转换到模拟域中，以产生组合模拟信号。解码器使用二进制码将组合模拟信号解码为一组模拟信号，并将模拟信号提交到对应的RF链中。
发送

[发明专利]半导体器件和设计半导体器件的方法-CN201780070652.4有效
发明人： 张坤好;唐晨杰 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：半导体结构，该半导体结构包括形成具有载流子电荷的载流子沟道的第一掺杂层(16)；第二掺杂层(13)，该第二掺杂层具有与第一掺杂层的导电类型相同的导电类型；势垒层，该势垒层隔着第二掺杂层接近所述半导体结构设置，其中，所述势垒层包括掺杂层(11)，该掺杂层具有与第二掺杂层的导电类型相反的导电类型；以及一组电极，该组电极提供和控制载流子沟道中的载流子电荷。
半导体器件设计方法

[发明专利]射频(RF)发送器及RF发送方法-CN201980035225.1有效
发明人：马瑞;D·A·达科斯塔·迪尼斯;张坤好;菲利普·奥尔利克 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2019-01-09 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H04B1/04 文献下载
摘要：一种射频(RF)发送器包括：输入端口的集合，其接收要在分离频带的集合上发送的信号的基带采样；滤波器组的集合，针对每个输入端口存在一个滤波器组，每个滤波器组包括多个数字多相插值滤波器，以对基带采样的相应序列的偏移相位进行采样，并对采样的相位进行插值，以产生具有偏移相位的插值基带相控采样的多个序列；以及振荡器组的集合，每个振荡器组包括与多个数字多相插值滤波器对应的多个多相数字直接合成器(DDS)，以生成数字波形的多个采样序列。RF发送器包括：混频器组的集合，其将数字波形的相应采样序列和插值基带相控采样混合，以将插值基带相控采样的每个序列上变频至有效频率；并行数字组合器，其将不同频带的插值基带相控采样的同相序列组合在一起，以产生多频带上变频采样的多个序列；以及脉冲编码器，其对多频带上变频采样的多个序列进行调制并编码，以产生多个编码的多频带信号。RF发送器将多个编码的多频带信号转换为RF比特流并且将RF比特流作为模拟信号进行辐射。
射频 rf 发送方法

[发明专利]热光伏能量转换器以及制造热光伏能量转换器的方法-CN201780088657.X有效
发明人：林重维;王炳南;张坤好 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-10-03 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H02S10/30 文献下载
摘要：一种热光伏(TPV)能量转换器包括：热发射体，其响应于接收到热而生成能量光子；以及热接收器，其布置在距热发射体一定距离处。热接收器包括将所接收的光子转换为电能的光伏电池。热发射体包括布置在热发射体的最靠近热接收器的表面上的第一层的材料。热接收器包括布置在热接收器的最靠近热发射体的表面上的第二层的材料。第一层的材料和第二层的材料具有高于光伏电池的带隙的表面谐振频率。
热光伏能量转换器以及制造方法

[发明专利]半导体器件和用于制造半导体器件的方法-CN201680041948.9有效
发明人： 张坤好;张宇昊 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2016-06-28 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种半导体器件(100)包括：半导体结构(170)，其形成载流子沟道(140)；势垒层(171)，其接近半导体结构设置；以及一组电极(120、125、130)，其用于提供并控制载流子沟道中的载流子电荷。该势垒层由具有与载流子沟道的导电类型相反的导电类型的杂质至少部分地掺杂。该势垒层的材料具有比该半导体结构中的材料的带隙和热导率大的带隙和热导率。
半导体器件用于制造方法

[发明专利]发送器、接收器及用于发送模拟信号的方法-CN201880086343.0有效
发明人：金耕进;彭政谕;王炳南;张坤好 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-07-06 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H04B7/00 文献下载
摘要：发送器或接收器包括至少一个射频(RF)链。RF链包括发送元件阵列，每个发送元件包括串联连接的带通滤波器和天线，以使用具有通过由阵列内的不同发送元件接收的模拟信号的相移所限定的发射角(AOD)的波束成形来发送模拟信号。移相器使输入信号的相位移位。可变增益放大器(VGA)改变输入信号的振幅。切换器将移相器和VGA连接到阵列中的每个发送元件。其中，在给定的时间点最多一个发送元件被连接到移相器和VGA，使得切换器为单刀M掷(SPMT)模拟开关。控制器控制移相器、VGA和切换器。
发送接收器用于模拟信号方法

[发明专利]电路、制造电路的方法及装置-CN201980083012.6在审
发明人： 张坤好;沈品均;林重维 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：电路包括夹在第一缓冲层和第二缓冲层之间的铁电层，第一缓冲层与第一金属层的一部分接触，并且第一金属层延伸超过第一缓冲层。电介质层夹在第二金属层和第三金属层之间，使得第二金属层延伸超过电介质层并与第二缓冲层接触，其中，铁电电容器由第一金属层、夹在第一缓冲层和第二缓冲层之间的铁电层以及第二金属层形成。
电路制造方法装置

[发明专利]射频（RF）发射机和减噪装置-CN201780089735.8有效
发明人：马瑞;郑盛元;张坤好 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-11-09 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H04B1/04 文献下载
摘要：用于无线通信的射频发射机包括：多个输入端口，其接收要在多个分离频带上发送的多个基带符号序列；功率编码器，其对多个基带符号序列进行调制和编码以产生已编码多频带信号，该已编码多频带信号包括承载多个基带符号序列的多个分离频带；第一功率放大器，其用于放大已编码多频带信号以产生经放大的已编码多频带信号；第一噪声消除器，其根据已编码多频带信号和多个基带符号序列生成第一减噪信号；第一功率组合器，其将经放大的已编码多频带信号与第一减噪信号进行组合以产生RF多频带信号；以及天线，其用于发送RF多频带信号。
射频 rf 发射机装置

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