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[发明专利]分离栅MOSFET芯片的制造方法-CN202311131748.0在审
发明人：何昌;杨勇;朱勇华;张光亚 -专利权人：深圳市美浦森半导体有限公司
申请日： 2023-09-04 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了分离栅MOSFET芯片的制造方法，包括如下步骤：在半导体基片的上表面生长由第一氧化硅、氮化硅、第二氧化硅构成的硬掩模层；以所述硬掩模层为掩蔽层，采用光刻、刻蚀工艺在半导体基片之中形成沟槽，所述沟槽包括第一沟槽和第二沟槽；所述第一沟槽位于分离栅MOSFET芯片的有源区，所述第二沟槽位于分离栅MOSFET芯片的场区；采用高温热氧化工艺，在所述第一沟槽和所述第二沟槽之中生长第三氧化硅。本发明具备输入电容小、工艺成本低等优点。
分离 mosfet 芯片制造方法

[发明专利]沟槽MOSFET的接触孔光刻对准精度监测结构及方法-CN202310814846.8在审
发明人： 张光亚;何昌;朱勇华;杨勇 -专利权人：深圳市美浦森半导体有限公司
申请日： 2023-07-04 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明公开了沟槽MOSFET的接触孔光刻对准精度监测结构，包括由环形沟槽和长条形接触孔分割形成的两个条形电阻测试结构，所述两个条形电阻的长度相等，宽度分别为W1和W2，且W2大于W1，所述两个条形电阻的长度由源区光刻层的版图决定，源区的左右边界为环形沟槽的中轴线位置，所述两个条形电阻的宽度由沟槽光刻层版图和接触孔光刻层版图决定，所述两个条形电阻的宽度为所述长条形接触孔至左、右沟槽的距离，所述环形沟槽位于体区之中。本发明还公开了沟槽MOSFET的接触孔光刻对准精度监测方法，本发明具备实现可以更灵敏、更准确的监测沟槽MOSFET的接触孔光刻的对准精度情况等优点。
沟槽 mosfet 接触光刻对准精度监测结构方法

[发明专利]半导体芯片的制造方法-CN202310363712.9有效
发明人：王海强;何昌;蒋礼聪;袁秉荣;陈佳旅;张光亚 -专利权人：深圳市美浦森半导体有限公司
申请日： 2023-04-01 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了半导体芯片的制造方法，包括如下步骤：在半导体基片上生长硬掩模介质层，所述半导体基片包括浓掺杂的半导体衬底和淡掺杂的外延层，所述硬掩模介质层包括第一氧化硅、第一氮化硅；采用光刻、刻蚀工艺，去除第一设定区域的硬掩模介质层；以硬掩模介质层为阻挡层，采用刻蚀工艺，在半导体基片之中形成第一沟槽；采用热氧化工艺，在第一沟槽之中生长第二氧化硅；去除第一氮化硅，生长第二氮化硅；采用光刻、刻蚀工艺，去除第二设定区域的第二氮化硅和第一氧化硅，所述第二设定区域为预设沟槽型半导体芯片元胞的区域。本发明具备消除了台阶高度差的问题，降低了工艺难度，可大幅提高芯片的集成度的优点。
半导体芯片制造方法

[发明专利]MOSFET芯片的制造方法-CN202310717816.5有效
发明人：王海强;何昌;张光亚;蒋礼聪;袁秉荣;陈佳旅 -专利权人：深圳市美浦森半导体有限公司
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明公开了MOSFET芯片的制造方法，包括在半导体基片之中形成沟槽，所述沟槽包括第一沟槽和第二沟槽，在所述沟槽之中形成栅氧化层和多晶硅栅；所述第一沟槽位于MOSFET芯片的元胞区，所述第二沟槽位于MOSFET芯片的预设静电保护电路区域；采用离子注入、退火工艺，形成体区，所述体区包括第一体区和第二体区；所述第一体区位于MOSFET芯片的元胞区；所述第二体区位于MOSFET芯片的预设静电保护电路区域，被第二沟槽分割成两个独立的第二体区；采用光刻、离子注入、退火工艺，形成源区；本发明具备提高芯片集成度等优点。
mosfet 芯片制造方法

[发明专利]一种X射线光栅干涉仪能谱特性测量装置及测量方法-CN202310528125.0在审
发明人：邓锴;李晶;袁建强;张光亚;谢卫平 -专利权人：中国工程物理研究院流体物理研究所
申请日： 2023-05-11 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G01T1/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种X射线光栅干涉仪能谱特性测量装置及测量方法，涉及核辐射探测技术领域，包括屏蔽套筒，屏蔽套筒内部安装有能谱探头，屏蔽套筒的端部安装有无损滤光片，无损滤光片上开设有小孔；屏蔽套筒安装在定位调节机构上；X射线光栅干涉仪拥有分析光栅和X射线面探测器，且具备扫描获取静态步进曲线的能力。具有检测精度高、制作成本低、且操作十分便捷的有点，能够测量各类X射线光栅干涉仪的能谱特性，测量的能段高，能够满足目前科研和工程上的需求。相较于现有的基于光子技术探测器的方法，大幅降低了使用的成本；通过特殊设计的无损滤光片，约束能谱探头的实际灵敏区域，降低了因角度错位等因素导致的能谱特性数据的劣化。
一种射线光栅干涉仪特性测量装置测量方法

[实用新型]一种节省空间的藤椅-CN202223466491.8有效
发明人： 张光亚;谢梦娟;盛文 -专利权人：宣城德尔实业有限公司
申请日： 2022-12-24 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： A47C5/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种节省空间的藤椅，包括藤椅椅座，所述藤椅椅座右侧安装有藤椅靠背，所述藤椅椅座顶端中部安装有坐垫，所述藤椅椅座底端开设有第二限位槽，且第二限位槽内侧通过调节机构收纳安装有两组铰接支撑杆，两组所述铰接支撑杆侧壁通过支撑组件进行连接。本实用新型启动电机，使得在调节机构配合着铰接轴的共同作用下将两组第二限位槽收纳至第二限位槽内侧，将不使用的藤椅底端的铰接支撑杆进行收纳放置，节省了不使用时装置的占地空间，提高了装置的实用性。
一种节省空间藤椅

[发明专利]一种基于傅里叶算法空域相角提取的图像增强方法及应用-CN202310528118.0在审
发明人：邓锴;李晶;张朝辉;张光亚;岳松洁 -专利权人：中国工程物理研究院流体物理研究所
申请日： 2023-05-11 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G06T5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于傅里叶算法空域相角提取的图像增强方法及其应用，涉及二维数字图像处理方法技术领域，首先将任意二维数字图像表示为二维矩阵形式；其次使用二维离散傅里叶变换获取图像的频域形式；再次在频域对图像进行两次滤波，分别为理想低通器滤波和调制滤波器滤波；再次将滤波后的频域图像通过二维逆傅里叶变换回空域；最后对空域取相角，并调整灰度区间，图像结果输出，即完成图像增强。该图像增强方法操作简单快速，能够将任意数字图像处理成类似一阶微分/梯度运算后的效果，图像质量高，不仅有利于图像的直接解读，而且能够与后续图像识别算法进行衔接，可广泛应用于医学影像、缺陷特征识别、军事以及人机交互等有关的技术领域。
一种基于傅里叶算法空域相角提取图像增强方法应用

[发明专利]一种二氧化硅包覆碳酸酐酶粒子的制备方法及其应用-CN202310466905.7在审
发明人：刘冠章;葛慧华;张光亚 -专利权人：华侨大学
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C12N11/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种二氧化硅包覆碳酸酐酶粒子的制备方法及其应用。本发明将碳酸酐酶与铁蛋白交联制备出微米级碳酸酐酶粒子，接着将得到的微米级碳酸酐酶粒子通过溶胶‑凝胶法封装固定在二氧化硅颗粒中，最后将二氧化硅固定化碳酸酐酶颗粒分散在环氧树脂涂料中，从而得到了一种具有碳酸酐酶活性的金属表面环氧树脂涂层。该金属表面环氧树脂涂层稳定性、重复使用性以及二氧化碳捕获能力优异，可以在较长的时间内持续、高效地捕获二氧化碳。本发明制得的金属表面环氧树脂涂层可以涂覆于大多数金属材料的表面，其中的环氧树脂作为一种常用的防锈涂料可以有效地防止涂覆的金属材料发生锈蚀。
一种二氧化硅碳酸粒子制备方法及其应用

[发明专利]用于多类型电源联合运行的协调控制仿真分析方法及装置-CN201611125869.4有效
发明人：丁剑;吕熹;梅文明;张光亚;赵莉莉;牛栓宝;柯贤波;霍超 -专利权人：中国电力科学研究院;国家电网公司;国网山西省电力公司朔州供电公司;国家电网公司西北分部
申请日： 2016-12-09 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： G06Q10/0637 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于多类型电源联合运行的协调控制仿真分析方法，所述方法包括定义多类型电源基地集合；定义多类型电源基地间的目标函数和关系矩阵；电网安全校验；确定影响多类型电源联合运行的电源基地变化因素；根据设定的电源基地脱网容量变化的阈值区间，确定协调控制方案。本发明提供的技术方案可全面的反映各个电源基地间的相互影响关系，揭示电网运行过程中的潜在问题，根据脱网容量阀值区间，有效确定减少脱网容量的控制措施或规避减少脱网容量的增加脱网容量的参数变化。
用于类型电源联合运行协调控制仿真分析方法装置

[发明专利]一种半导体芯片的制造方法-CN202310383244.1在审
发明人：王海强;何昌;蒋礼聪;袁秉荣;陈佳旅;张光亚 -专利权人：深圳市美浦森半导体有限公司
申请日： 2023-04-01 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体芯片的制造方法，包括如下步骤：在半导体基片上生长硬掩模介质层，所述半导体基片包括浓掺杂的半导体衬底和淡掺杂的外延层，所述硬掩模介质层包括第一氧化硅、第一氮化硅；采用光刻、刻蚀工艺，去除第一设定区域的硬掩模介质层；以硬掩模介质层为阻挡层，采用刻蚀工艺，在半导体基片之中形成第一沟槽；采用热氧化工艺，在第一沟槽之中生长第二氧化硅；去除第一氮化硅，生长第二氮化硅；采用光刻、刻蚀工艺，去除第二设定区域的第二氮化硅和第一氧化硅；第二设定区域为预设沟槽型半导体芯片元胞的区域。本发明具有消除了台阶高度差等优点。
一种半导体芯片制造方法

[发明专利]一种车载太阳能充电方法及相关设备-CN202310340686.8在审
发明人：黄列群;张光亚;黄炎;曾勇;胡洁;庞成 -专利权人：上汽通用五菱汽车股份有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本发明涉及车载太阳能充电领域，尤其涉及一种车载太阳能充电方法及相关设备。其中，该方法包括：确定光伏板的发电功率是否满足充电启动条件；若满足所述充电启动条件则控制前级变压电路基于最大功率追踪算法将所述光伏板输出的电源调制为低压电源；当所述光伏板的发电功率大于第一阈值但小于第二阈值时，控制后级变压电路对所述低压电源进行升压后采用脉冲充电的方式对动力电池进行充电；当所述光伏板的发电功率大于或等于所述第二阈值时，控制后级变压电路采用电压跟随的充电方式将所述低压电源升压至所述动力电池的需求电压后对所述动力电池进行充电。通过两级变压电路分别实现最大功率跟踪以及电压跟随充电，从而提高对太阳能的利用率。
一种车载太阳能充电方法相关设备

[发明专利]一种3D打印甲醛脱氢酶催化剂的应用-CN202211570084.3在审
发明人：江伟;赵淑燕;张光亚 -专利权人：华侨大学
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C12N11/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种3D打印甲醛脱氢酶催化剂的应用，属于生物法降解甲醛领域。本发明的3D打印甲醛脱氢酶催化剂的应用，经过3D打印材料的选取、测定3D打印材料对酶活的影响、3D打印粒径的选取、测定3D打印甲醛脱氢酶催化剂的酶活及重复利用率，探究其在催化降解甲醛方面的应用，探究了使用3D打印技术固定化纯酶，粗酶，重组大肠杆菌催化剂的酶活及重复使用率和使用3D打印技术固定化甲醛脱氢酶打印出不同的形状。本发明操作方便，在生物催化降解甲醛方面具有较好的工业应用前景，对于今后生物降解甲醛及使用3D打印固定化的开发具有较为重要的意义。
一种打印甲醛脱氢酶催化剂应用

[发明专利]提高UFBP1蛋白K267位点的UFM1化修饰的试剂在代谢相关脂肪性肝病中的应用-CN202211617586.7在审
发明人：陈凤玲;毛子明;张光亚;朱静 -专利权人：上海交通大学医学院附属第九人民医院
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： A61K45/00 文献下载
摘要：本发明涉及生物技术领域，具体是提高UFBP1蛋白K267位点的UFM1化修饰水平的试剂在制备预防和/或治疗代谢相关脂肪性肝病(MAFLD)药物中的应用。本发明首次揭示了提高UFBP1K267的UFM1化修饰水平的试剂可特异性地抑制MAFLD，并且首次揭示了UFBP1K267的UFM1化修饰水平与MAFLD的脂质合成及内质网应激密切相关，从而为MAFLD的防治提供了新的靶点。
提高 ufbp1 蛋白 k267 ufm1 修饰试剂代谢相关脂肪性肝病中的应用

[发明专利]一种包硅磁性微球的制备方法-CN202011463973.0有效
发明人： 张光亚;刘欣;葛慧华 -专利权人：华侨大学
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： C12N11/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种包硅磁性微球的制备方法，包括如下步骤：(1)将磁性微球均匀分散于无水乙醇中，接着通过磁铁富集磁性微球，弃去无水乙醇，再超声分散于体积浓度为18‑22％的乙醇溶液中；(2)室温下将纯化后的重组蛋白溶液与步骤(1)所得的物料充分混合0.5‑3min，接着加入硅前体溶液于室温下继续混合3‑10min，然后静置5‑10min，即得所述包硅磁性微球。本发明整个过程耗时20‑90min，固定化酶产量可达99％，简洁、高效，且条件温和，制备过程绿色环保，有广阔的工业实际应用前景。
一种磁性制备方法

[发明专利]一种具有通风加热功能藤椅-CN202211669545.2在审
发明人：葛勇;张光亚;盛文 -专利权人：宣城德尔实业有限公司
申请日： 2022-12-24 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： A47C7/74 文献下载
摘要：本发明涉及藤椅技术领域，具体的说是一种具有通风加热功能藤椅，包括藤椅椅座，所述藤椅椅座底端对称安装有两组藤椅支腿，两组所述藤椅支腿中部通过支撑杆连接；所述藤椅椅座中部开设有通风循环槽，且通风循环槽底端的藤椅椅座外壁开设有第一空腔，所述通风循环槽顶端的藤椅椅座外壁等距离开设有多组通风孔，所述第一空腔内壁中部连接有第一加热丝。本发明设置有扇叶和第一加热丝，能够由通风孔吹出自然风或者热风；同时设置有进风口和第二加热丝，配合上述的扇叶，能够吸入自然风或者热风，而热风或者自然风在经过通风孔时会部分流出，避免直吹人体，提高舒适度。
一种具有通风加热功能藤椅

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