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[发明专利]发光器件和发光器件的制备方法-CN202210409824.9在审
发明人： 张丽旸 -专利权人：苏州晶湛半导体有限公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种发光器件和发光器件的制备方法，解决了现有发光器件尺寸大、成本高、寿命短、可靠性差的问题。本申请的发光器件能够通过外延生长工序形成。另外，本申请的发光器件包括第一半导体层、发光层和第二半导体层，通过控制凸起的顶壁、凸起的侧壁和凸起之间的凹陷区域对应的发光层组分不同来实现第一区域、第二区域与第三区域的发光波长不同，从而实现发光器件能够发出不同波长的光，不需要利用荧光粉或量子点做波长转换，延长了发光器件的寿命、提高了发光器件的可靠性。
发光器件制备方法

[发明专利]半导体结构-CN202080107205.3在审
发明人： 张丽旸;程凯 -专利权人：苏州晶湛半导体有限公司
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种半导体结构，该半导体结构包括：层叠结构(30)，所述层叠结构(30)包括一个层叠结构单元(31)，或者多个沿水平方向设置的层叠结构单元(31)；每一所述层叠结构单元(31)包括多个沿水平方向相互分离的层叠中岛(311)；依次层叠设置在所述层叠结构(30)上的N型半导体层(40)、发光层(50)和P型半导体层(60)。通过设置层叠结构(30)，能够提高半导体器件发光效率。
半导体结构

[实用新型]一种石墨载盘以及金属有机化合物化学气相沉淀设备-CN202320888211.8有效
发明人： 张丽旸 -专利权人：苏州晶湛半导体有限公司
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C30B25/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种石墨载盘以及金属有机化合物化学气相沉淀设备，石墨载盘包括：载盘本体，所述载盘本体具有相对设置的第一表面和第二表面；至少一个晶圆槽，所述晶圆槽为从所述第一表面向所述第二表面凹陷形成的凹槽，所述晶圆槽的外边缘包括迎风区域和非迎风区域；斜坡结构，所述斜坡结构设置于所述晶圆槽的所述迎风区域的外边缘处，所述斜坡结构为从所述第一表面向所述晶圆槽内部凹陷形成的倾斜表面。本实用新型可以改善外延层厚度的均匀性以及外延层中不同材料组分的均匀性。
一种石墨以及金属有机化合物化学沉淀设备

[发明专利]半导体器件及其制备方法-CN202080107047.1在审
发明人： 张丽旸 -专利权人：苏州晶湛半导体有限公司
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：一种半导体器件(10)及其制备方法。该半导体器件(10)的制备方法，包括：先在衬底(11)上形成第一导电层(12)，其中，第一导电层(12)包括重掺杂的III‑V族化合物，然后，在第一导电层上形成隔离结构(13)，然后，以隔离结构(13)为掩模生长发光结构(14)，其中，发光结构(14)包括依次层叠于第一导电层(12)上的第一半导体层(141)、有源层(142)与第二半导体层(143)，第一半导体层(141)的导电类型与第二半导体层(142)的导电类型相反。
半导体器件及其制备方法

[实用新型]一种带有坩埚套的金属蒸镀用坩埚套件-CN202223339788.8有效
发明人：请求不公布姓名;张丽旸 -专利权人：苏州晶湛半导体有限公司
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C23C14/30 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种带有坩埚套的金属蒸镀用坩埚套件，坩埚内部的坩埚套侧壁具有齿纹结构。本实用新型中，通过设计坩埚套侧壁齿纹结构，可减少坩埚套和坩埚的接触面积，从而有效减少能量损失。坩埚套侧壁结构预留的空间体积，还可以有效的减少因热胀冷缩而造成的挤压性破坏，并且使得坩埚套容易取出，方便设备人员进行设备维护作业。
一种带有坩埚金属蒸镀用套件

[发明专利]复合衬底、光电器件及其制备方法-CN202080107314.5在审
发明人： 张丽旸;程凯 -专利权人：苏州晶湛半导体有限公司
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：一种复合衬底(10)、光电器件及其制备方法。该复合衬底(10)包括基板(11)和位于基板(11)上的纳米金刚石结构(12)；纳米金刚石结构(12)包括多个间隔设置的纳米金刚石凸起(121)，相邻的两个纳米金刚石凸起(121)之间设有间隙(122)。该光电器件包括该复合衬底(10)，还包括层叠设置于复合衬底上的第一半导体层(30)、有源层(40)、第二半导体层(50)；第一半导体层(30)包括沿竖直方向依次层叠凸起部(31)和平坦部(32)，凸起部(31)于间隙(122)中，且与间隙(122)一一对应，平坦部(32)位于凸起部(31)以及纳米金刚石结构(12)上。该光电器件的其制备方法用于制作该光电器件。本申请通过在复合衬底(10)中设置一层纳米金刚石结构(12)，可以有效避免吸收有源层(40)发出的UV光线，达到大幅度提升UV LED的光提取效率的有益效果。
复合衬底光电器件及其制备方法

[发明专利]半导体发光器件及其制备方法-CN202080106893.1在审
发明人：郭志中;张丽旸 -专利权人：苏州晶湛半导体有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种半导体发光器件及半导体发光器件的制备方法。该半导体发光器件的制备方法包括：在一衬底(1)上形成介质层(2)，所述介质层(2)设有暴露所述衬底(1)的多个开口(201)(S1OO)；以所述介质层(2)为掩模，对所述衬底(1)进行外延生长，以在所述介质层(2)的各所述开口(201)内形成第一反射镜(3)(S110)；在所述第一反射镜(3)远离所述衬底(1)的一侧生长发光结构(4)(Sl20)；在所述发光结构(4)远离所述第一反射镜(3)的一侧形成第二反射镜(5)(Sl30)。能够简化制备工艺。
半导体发光器件及其制备方法

[发明专利]LED结构及其制备方法、LED器件及其制备方法-CN202111643366.7在审
发明人：郭志中;张丽旸 -专利权人：无锡晶湛半导体有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种LED结构及其制备方法、LED器件及其制备方法。所述LED结构包括衬底、发光单元、第一电极及第二电极，衬底设有多个凹槽，多个凹槽的深度均不同。发光单元位于凹槽内，包括层叠设置的第一半导体层、发光层以及第二半导体层；处于不同深度的发光层的发光颜色不同。第一电极及第二电极；第一电极电连接于所述第一半导体层，所述第二电极电连接于所述第二半导体层。所述LED器件包括所述LED结构、控制结构及连接走线。各所述凹槽内分别设有所述控制结构；所述控制结构包括栅极、源极和漏极，所述源极和所述漏极位于所述栅极两侧；同一所述凹槽内所述第二电极通过所述连接走线与所述源极电连接。
led 结构及其制备方法器件

[发明专利]全彩LED结构、全彩LED结构单元及其制作方法-CN202080106628.3在审
发明人：程凯;张丽旸 -专利权人：苏州晶湛半导体有限公司
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：一种全彩LED结构、全彩LED结构单元(1、2、3、4)及其制作方法，通过控制第一半导体层(11)内的第一凹槽(110)的底壁(110a)、侧壁(110b)或者第一半导体层(11)的顶壁(11c)的表面尺寸不同实现其上与之对应的发光层(12)的第一子区(12a)、第二子区(12b)与第三子区(12c)的发光波长不同。工艺简单，且能在一次发光层(12)外延生长工序中形成全彩LED结构单元(1、2、3、4)，减小了全彩LED的尺寸、降低了成本、延长了寿命、提高了可靠性。
全彩 led 结构单元及其制作方法

[发明专利]半导体结构及其制作方法、发光器件及其制作方法-CN202080106630.0在审
发明人： 张丽旸 -专利权人：苏州晶湛半导体有限公司
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L33/24 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体结构及其制作方法、发光器件及其制作方法。该半导体结构包括：衬底、第一半导体层、隔离层、有源层、第二半导体层、第一电极和第二电极；第二半导体层为导电DBR结构；第一半导体层包括沿竖直方向依次层叠的平坦部、第一凸起部和第二凸起部，第二凸起部与第一通孔一一对应，且第二凸起部间隔设置，第二凸起部的侧面为斜面；有源层、第二半导体层、第一电极依次层叠设置于第一半导体层的第二凸起部上；隔离层开设有第二通孔，第二电极形成于第二通孔中。该发光器件包括该半导体结构。本申请通过设置将第二半导体层设置为可导电的DBR结构，同时，将外延结构的侧壁设置为斜面，能够提高半导体器件发光效率。
半导体结构及其制作方法发光器件

[发明专利]一种石墨盘-CN202080106823.6在审
发明人：程凯;张丽旸 -专利权人：苏州晶湛半导体有限公司
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：一种石墨盘(10)，包括石墨盘本体(11)，石墨盘本体(11)包括凹槽(12)和位于凹槽(12)底壁上的多个凸起(13)，多个凸起(13)将凹槽(12)划分为彼此独立的多个区域(Q)。利用凸起(13)在凹槽(12)中限定出多个区域(Q)，每个区域(Q)将对应一个衬底，不同区域(Q)之间彼此互通，增大了气体流通空间，缓解了由于气流原因导致的边缘偏厚问题。
一种石墨

[发明专利]光电器件及其制备方法-CN202080103793.3在审
发明人： 张丽旸;程凯 -专利权人：苏州晶湛半导体有限公司
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本申请提供一种光电器件及其制备方法。该光电器件包括依次层叠设置第一半导体层、有源层、第二半导体层，所述第一半导体层与所述第二半导体层的导电类型相反，所述第二半导体层中设有一层纳米金刚石结构，所述纳米金刚石结构与所述第二半导体层的导电类型相同。该光电器件的其制备方法用于制作该光电器件。本申请通过在第二半导体层中设置一层纳米金刚石结构，可以有效避免吸收有源层发出的UV光线，达到大幅度提升UV LED的光提取效率的有益效果。
光电器件及其制备方法

[实用新型]一种复合衬底、外延片及半导体器件-CN202223267004.5有效
发明人：请求不公布姓名;张丽旸;程凯 -专利权人：苏州晶湛半导体有限公司
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种复合衬底、外延片及半导体器件，复合衬底包括依次层叠设置的支撑衬底层、第一氧化铝层以及蓝宝石衬底层。第一氧化铝层可以增加蓝宝石衬底层与支撑衬底层之间的键合力并释放蓝宝石衬底层与支撑衬底层之间的应力，同时，第一氧化铝层的存在无需增加蓝宝石衬底层的厚度即可提高材料的击穿电压。
一种复合衬底外延半导体器件

[发明专利]谐振腔发光二极管及其制备方法-CN202080100005.5在审
发明人：郭志中;张丽旸 -专利权人：苏州晶湛半导体有限公司
申请日： 2020-11-04 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本公开提供了一种谐振腔发光二极管及其制备方法。该谐振腔发光二极管可以包括发光结构层、第一反射镜层以及第二反射镜层。该发光结构层包括相对的第一表面与第二表面以及连接第一表面和第二表面的侧壁。该第一反射镜层设于第一表面。该第二反射镜层覆盖发光结构层的侧壁的至少部分区域和第二表面，且第二反射镜层为绝缘材料。本公开能够解决由于发光结构层的侧壁受损所导致的器件性能降低的问题，同时减少了制造绝缘保护层的步骤，节约了成本。
谐振腔发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种晶片承载盘-CN202080103949.8在审
发明人：程凯;张丽旸 -专利权人：苏州晶湛半导体有限公司
申请日： 2020-09-07 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： C30B25/12 文献下载
摘要：本发明提供一种晶片承载盘，晶片承载盘的凹槽底部以经过凹槽中心的第一分界线将凹槽底部分为靠近所述晶片承载盘中心的第一区域和远离晶片承载盘中心的第二区域，凹槽底部包括凹槽底面以及形成在凹槽底面上的凸出结构，凸出结构的表面为曲面，曲面顶点位于凹槽底部的所述第二区域，位于第二区域的凸出结构的平均高度高于位于第一区域的所述凸出结构的平均高度。晶片承载盘凹槽底部的设计结构能较好匹配III‑V族氮化物晶片有源区外延过程中的翘曲，使温场分布更均匀，从而提升提高发光外延片的波长均匀性。
一种晶片承载

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