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[发明专利]采用互补性Pixlet结构的摄像系统-CN202011254678.4在审
发明人：庆宗旻;朴贤相;张丞爀;朴锺皓;李相镇 -专利权人：戴克斯莱恩有限公司
申请日： 2020-11-11 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H04N5/225 文献下载
摘要：本发明公开采用互补性Pixlet结构的摄像系统及其工作方法。根据一实施例，摄像系统的特征在于，包括：图像传感器，包括由第一像素、第二像素以及两个第三像素构成的至少一个2×2像素块，上述两个第三像素分别包括偏向的小型Pixlet以及大型Pixlet，上述偏向的小型Pixlet配置于2×2像素块内的对角线上的位置，分别以相对于像素中心相互对称的方式沿着相反的方向偏向，上述大型Pixlet与上述偏向的小型Pixlet相邻配置，上述Pixlet包括将光信号转换为电信号的光电二极管；以及距离计算部，接收在上述两个第三像素的各个偏向的小型Pixlet获取的多个图像，利用上述多个图像之间的视差来计算上述图像传感器与拍摄对象之间的距离。
采用互补性 pixlet 结构摄像系统

[发明专利]用于增加基线的摄像头系统-CN201910406147.3有效
发明人：庆宗旻;张丞爀 -专利权人：戴克斯莱恩有限公司
申请日： 2019-05-15 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H04N13/128 文献下载
摘要：本发明公开用于增加基线的摄像头系统。一实施例的摄像头系统包括：单透镜；以及图像传感器，由至少一个像素阵列构成，其中，上述至少一个像素阵列包括二维排列的多个像素以及在上述多个像素的上部配置的单微透镜，在上述多个像素中，在至少两个像素的上部分别配置形成有偏移像素孔径(Offset Pixel Aperture；OPA)的遮光膜，多个上述偏移像素孔径以使得彼此隔开的距离最大化的方式分别形成于多个上述遮光膜上。
用于增加基线摄像头系统

[发明专利]采用互补性Pixlet结构的摄像系统-CN202011228070.4在审
发明人：庆宗旻;张丞爀;朴贤相;朴钟皓;李相镇 -专利权人：戴克斯莱恩有限公司
申请日： 2020-11-06 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H04N5/225 文献下载
摘要：本发明公开一种采用互补性Pixlet结构的摄像系统及其工作方法。根据一实施例，摄像系统的特征在于，包括：图像传感器，包括两个像素，上述两个像素包括相对于像素中心偏向任一方向的偏向的小型Pixlet以及与上述偏向的小型Pixlet相邻配置的大型Pixlet，上述Pixlet包括将光信号转换为电信号的光电二极管，上述两个像素的各个偏向的小型Pixlet在上述两个像素的各像素内以相对于上述像素中心相互对称的方式配置；以及距离计算部，利用在上述两个像素的各个偏向的小型Pixlet中获取的多个图像之间的视差(Parallax)来计算上述图像传感器与拍摄对象之间的距离。
采用互补性 pixlet 结构摄像系统

[发明专利]摄像头系统及补偿颜色混合的方法-CN201910377472.1在审
发明人：庆宗旻;张丞爀;崔原硕 -专利权人：财团法人多次元智能IT融合系统
申请日： 2019-05-07 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： H04N5/369 文献下载
摘要：本发明公开通过使得在配置于多个像素上部的多个遮光膜所形成的多个偏移像素孔径使彼此隔开的距离最大化来增加基线的方法和结构上可解决彩色光信号与白色光信号彼此污染的颜色混合问题的摄像头系统及其操作方法。
颜色混合问题彩色光信号距离最大化摄像头系统像素孔径偏移白色光遮光膜基线隔开像素配置污染

[发明专利]图像传感器和操作该图像传感器的方法-CN201110421183.0有效
发明人： 张丞爀;朴允童;李容济 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-12-13 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H04N13/02 文献下载
摘要：提供一种图像传感器和操作该图像传感器的方法。根据示例性实施例，一种操作三维图像传感器的方法包括使用由光源模块发射的光测量物体与三维图像传感器的距离；基于测量的距离来调整由所述光源模块发射的光的发射角。所述三维图像传感器包括所述光源模块。
图像传感器操作方法

[发明专利]三维图像传感器的像素阵列-CN200910165721.7无效
发明人：李承勋;朴允童;陈暎究;张丞爀;车大吉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2009-08-06 - 公布日： 2010-02-17 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供了一种三维图像传感器的像素阵列。该像素阵列包括多个单元像素图案，每一单元像素图案包括按照阵列形式排列的颜色像素以及距离测量像素。所述多个单元像素图案按照这样的方式排列，使得彼此相邻地安排距离测量像素组。
三维图像传感器像素阵列

[发明专利]光电二极管、图像感测装置及图像传感器-CN200810173918.0无效
发明人：赵寅成;朴允童;陈暎究;张丞爀 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-10-30 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供一种光电二极管、图像感测装置和图像传感器。所述图像感测装置包括p-n结光电二极管，所述p-n结光电二极管在其上表面上具有金属图案层。所述图像传感器包括所述图像感测装置和形成在所述金属图案层之上的微透镜。金属图案层滤除具有第一波长的光。
光电二极管图像装置图像传感器

[发明专利]具有透明晶体管的CMOS图像传感器-CN200810129865.2无效
发明人：朴永洙;张丞爀 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-08-14 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有透明晶体管的CMOS图像传感器。CMOS图像传感器包括光电二极管和形成在光电二极管上的至少一个晶体管。所述图像传感器可以包括多个晶体管，其中，多个晶体管中的至少一个是透明晶体管。
具有透明晶体管 cmos 图像传感器

[发明专利]远紫外光刻反射器件及其制造方法-CN200610125718.9无效
发明人：金勋;金锡必;宋利宪;朴永洙;张丞爀 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-08-03 - 公布日： 2007-02-07 - 主分类号： G02B5/12 文献下载
摘要：一种反射器件可包括基板和形成在基板上的多反射层。该多反射层由能反射EUV射线的材料形成。通过堆叠多个层组可形成所述多反射层，每个层组都包括第一材料层、通过对第一材料层进行表面处理而获得的表面处理的层、和形成在该表面处理的层上的第二材料层。一种制造反射器件的方法包括制备基板和在基板上形成多反射层，该多反射层由能反射EUV射线的材料形成。通过重复形成层组来实施形成多反射层。形成该层组包括：形成第一材料层、对第一材料层进行表面处理、和在表面处理过的第一材料层上形成第二材料层。
紫外光刻反射器件及其制造方法

[发明专利]离轴投影光学系统及使用该系统的超紫外线光刻装置-CN200610106080.4有效
发明人： 张丞爀;宋利宪;朴永洙;金锡必;金勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-06-19 - 公布日： 2006-12-20 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：提供了一种离轴投影光学系统，其包括离轴设置的第一和第二反射镜。第一反射镜弯曲部分的切向和径向半径分别为R_1t和R_1s。第二反射镜弯曲部分的切向和径向半径分别为R_2t和R_2s。从物点到第一反射镜10的光束入射角为i₁，从第一反射镜10反射到第二反射镜30的光束入射角为i₂。数值R_1t、R_1s、R_2t、R_2s、i₁和i₂可以满足下面的等式：R_1tcosi₁＝R_2tcosi₂，R_1s＝R_1tcos²i₁，R_2s＝R_2tcos²i₂。
投影光学系统使用系统紫外线光刻装置

[发明专利]用于极远紫外光刻的反射掩模和制作该反射掩模的方法-CN200610092874.X有效
发明人：金锡必;宋利宪;朴永洙;张丞爀;金勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-05-29 - 公布日： 2006-11-29 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于极远紫外(EUV)光刻的反射掩模和制作该反射掩模的方法，其中，该反射掩模包括：基板，以多层结构形成在基板上并包含反射EUV光线的材料的下反射层，以多层结构形成在下反射层上和反射EUV光线的上反射层，在下反射层和上反射层之间形成为预定图案的相位反转层，该相位反转层引起来自上反射层的反射光线与来自下反射层的反射光线之间的破坏性干涉。这减少了阴影效应的影响，并且可以消除不必要的EUV光线，使得在掩模上设计的图案能够精确地投影到硅晶片上。由于相位反转层具有与反射层和吸收层的材料完全一样的材料，掩模制作过程能够简易地处理。
用于紫外光刻反射制作方法

[发明专利]离轴投影光学系统和使用该系统的超紫外线光刻装置-CN200610059996.9有效
发明人： 张丞爀;宋利宪;金元柱;金锡必;金勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-02-23 - 公布日： 2006-08-30 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种离轴投影光学系统包括：离轴设置并共用一共焦点的第一和第二反射镜，它们布置成减小线性象散。假设物面和第一反射镜之间的距离是l₁，光从物面到第一反射镜的入射角是i₁，第一反射镜和共焦点之间的距离是l₁’，共焦点和第二反射镜之间的距离是l₂，光从第一反射镜到第二反射镜的入射角是i₂，第二反射镜和像面之间的距离是l₂’，则第一和第二反射镜的布置满足等式a。
投影光学系统使用系统紫外线光刻装置

[发明专利]光掩模及其制造方法-CN200610008641.7无效
发明人：金元柱;宋利宪;金锡必;张丞爀;柳元壹;金勳 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-02-20 - 公布日： 2006-08-23 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：一种光掩模及其方法。在示例方法中，该光掩模可以通过以下步骤制造：在表面上形成氧化物层；构图所述氧化物层以形成氧化物图案，所述氧化物图案包括多个氧化物图案主体和多个氧化物窗口；用吸收剂填充所述多个氧化物窗口以形成吸收剂图案；以及减少所述多个氧化物图案主体。示例的光掩模可以包括基于氧化物图案的吸收剂图案，其包括多个吸收剂图案主体和多个吸收剂图案窗口。
光掩模及其制造方法

[发明专利]用于电磁辐射的掩模及其制造方法-CN200510121654.0无效
发明人：宋利宪;柳元壹;金锡必;金勋;张丞爀;金元柱;朴永洙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-11-16 - 公布日： 2006-08-02 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：用于光刻的掩模及其制造方法。掩模包括衬底，由能反射电磁辐射的材料在衬底上形成的反射层，和以希望的图案形成的吸收图案以使得形成对于电磁辐射的吸收区和电磁射线通过的窗口区，其中吸收图案包括至少一个邻近窗口并且相对于反射层倾斜的侧面。该方法可以包括在衬底上形成由能够反射电磁射线的材料形成的反射层，在反射层上形成由能够吸收电磁射线的材料形成的吸收层，和图案化吸收层以形成具有至少一个邻近窗口的侧面并且具有相对于反射层倾斜的侧面的吸收图案。
用于电磁辐射及其制造方法

[发明专利]反射光掩模及其制造方法-CN200510124778.4无效
发明人：金锡必;宋利宪;金元柱;张丞爀;金勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-11-15 - 公布日： 2006-07-05 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：提供一种反射光掩模，允许在光刻中将用于吸收EUV射线的吸收剂图形的设计形状正确转移到硅晶片，所述光掩模包括：衬底，由反射EUV射线的材料构成、形成在衬底上的反射层，以及通过使用离子注入注入吸收EUV射线的吸收剂的离子形成在反射层上的具有预定图形的离子区段。本发明还提供一种制造反射光掩模的方法。
反射光及其制造方法

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