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[发明专利]低噪声高密度集成光电探测阵列芯片及其制备方法-CN202311139281.4在审
发明人：郭霞;张世凤;任艳玲;李少斌;刘巧莉;胡安琪 -专利权人：北京邮电大学
申请日： 2023-09-06 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请提供一种低噪声高密度集成光电探测阵列芯片及其制备方法，低噪声高密度集成光电探测阵列芯片包括：基体，包括在厚度方向上相对设置的第一表面和第二表面，具有由第一表面向第二表面延伸的浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离结构将基体分隔为阵列排布的多个像元；其中，浅沟槽隔离结构包括隔离层及包裹隔离层的界面态钝化层；增透层，形成在基体的第一表面，具有多个通孔，各通孔位于各像元内；第一欧姆接触电极，形成在各通孔内，并与基体的第一表面接触；第二欧姆接触电极，形成在基体的第二表面。本申请的低噪声高密度集成光电探测阵列芯片，可以解决器件后脉冲高、噪声大的问题，提升器件的工作性能。
噪声高密度集成光电探测阵列芯片及其制备方法

[发明专利]高效率PIN光电探测器及其制备方法-CN202311132320.8在审
发明人：郭霞;张世凤;任艳玲;李少斌;刘巧莉;胡安琪 -专利权人：北京邮电大学
申请日： 2023-09-05 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明提供一种高效率PIN光电探测器及其制备方法，高效率PIN光电探测器包括：衬底，包括光吸收层、第一欧姆接触层和第二欧姆接触层，第一欧姆接触层的至少部分结构位于光吸收层内，第二欧姆接触层形成于光吸收层的第二表面，并与第一欧姆接触层间隔开，第一欧姆接触层和第二欧姆接触层的掺杂类型相反；增透层，形成于衬底的第一表面；界面态钝化层，由衬底和增透层形成的界面态沿水平方向的至少部分结构掺杂形成，界面态钝化层与第二欧姆接触层的掺杂类型相同；第一欧姆接触电极，与第一欧姆接触层连接，并与增透层同层布置；第二欧姆接触电极，与第二欧姆接触层连接。根据本发明的高效率PIN光电探测器，可以提高器件的量子效率。
高效率 pin 光电探测器及其制备方法

[发明专利]低噪声单光子探测器及其制备方法-CN202310875967.3有效
发明人： 张世凤;任艳玲;李少斌;胡安琪;刘巧莉;郭霞 -专利权人：北京邮电大学
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明提供一种低噪声单光子探测器及其制备方法，包括：衬底；钝化层，形成于衬底的第一表面；第一电荷层，形成于衬底内；第二电荷层，形成于衬底内且位于第一电荷层的背向钝化层的一侧，第二电荷层与第一电荷层接触，第一电荷层与第二电荷层的掺杂类型不同，第一电荷层和第二电荷层中的至少一个构造为适于束缚光生电荷，第一电荷层与第二电荷层中的至少一个的特征尺寸小于500nm；第一接触电极，第一接触电极与第一电荷层连接；第二接触电极，第二接触电极与衬底连接。根据本发明的低噪声单光子探测器，基于量子限制斯塔克效应，在光子入射前处于线性模式，在光子入射后触发雪崩效应，可以降低雪崩背景噪声，提高器件探测效率。
噪声光子探测器及其制备方法

[发明专利]高时间分辨率单光子探测器及其制备方法-CN202310777359.9有效
发明人： 张世凤;任艳玲;李少斌;胡安琪;刘巧莉;郭霞 -专利权人：北京邮电大学
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明提供一种高时间分辨率单光子探测器及其制备方法，高时间分辨率单光子探测器包括：半导体基体，包括衬底和外延层；钝化层，形成于外延层的背向衬底的一侧；倍增层，形成于外延层内；第一欧姆接触层，形成于外延层内，第一欧姆接触层的两侧分别与倍增层和钝化层接触；第一欧姆接触电极，与钝化层同层布置，并与第一欧姆接触层连接；第二欧姆接触电极，与半导体基体连接。根据本发明的高时间分辨率单光子探测器，可以构建出弹道电场结构，为进入倍增层的载流子提供初始动能，变强场激发模式为利用弹道电场提高载流子动能的模式，在保证载流子碰撞概率的同时抑制散射随机性，保持低功耗、低噪声的高确定性输运，从而提高时间分辨率。
时间分辨率光子探测器及其制备方法

[发明专利]宽光谱硅单光子探测器及其制备方法-CN202310648207.9在审
发明人：王博;任显松;张世凤;刘巧莉;胡安琪;郭霞 -专利权人：北京邮电大学
申请日： 2023-06-02 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本申请提供一种宽光谱硅单光子探测器及其制备方法，宽光谱硅单光子探测器包括硅衬底和位于硅衬底上的至少一个硅单光子探测单元，硅单光子探测单元包括第一欧姆接触电极、光吸收层、雪崩放大层和第二欧姆接触电极；雪崩放大层具有相对的第一表面和第二表面，第一欧姆接触电极和光吸收层位于第一表面一侧，第二欧姆接触电极位于第二表面一侧；光吸收层用于吸收不同波长的光子并且产生光生载流子；第一欧姆接触电极和第二欧姆接触电极用于与外电路电连接，以在雪崩放大层上施加强电场；雪崩放大层用于在强电场的作用下将光生载流子进行雪崩放大。本申请提供的宽光谱硅单光子探测器的工作波长较宽，且可以超过硅材料本身的工作波长。
光谱光子探测器及其制备方法

[发明专利]一种氨氯地平碱的制备方法-CN202011108693.8有效
发明人：孟令栋;钟强;王乐强;张世凤;张国辉;田希星 -专利权人：山东汇海医药化工有限公司
申请日： 2020-10-16 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C07D211/90 文献下载
摘要：本发明涉及一种氨氯地平碱的制备方法，6‑甲基‑2‑(2‑氯乙氧基)甲基‑4‑(2‑氯苯基)‑1,4‑二氢‑3,5‑吡啶二甲酸甲乙酯和亚硝酸钠在有机溶剂中，用碘化物做催化剂，40‑70℃反应生成6‑甲基‑2‑(2‑硝基乙氧基)甲基‑4‑(2‑氯苯基)‑1,4‑二氢‑3,5‑吡啶二甲酸甲乙酯；氮气保护下，6‑甲基‑2‑(2‑硝基乙氧基)甲基‑4‑(2‑氯苯基)‑1,4‑二氢‑3,5‑吡啶二甲酸甲乙酯溶解到有机溶剂中，加入有机碱，与三氯硅烷室温反应得到氨氯地平。采用三氯氢硅作为绿色、无金属参与的硝基还原试剂，成功合成了氨氯地平，不同于以往的合成方法；同时三氯氢硅工业来源广泛，价格低廉。
一种地平制备方法

[发明专利]一种沃克洛多的制备方法-CN202011076038.9有效
发明人： 张世凤;王乐强;李保铃;王克文;侯绪会;赵攀峰 -专利权人：山东汇海医药化工有限公司
申请日： 2020-10-10 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C07D401/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种沃克洛多的制备方法，以6‑溴水杨醛为原料，与3‑(氯甲基)‑2‑(1‑异丙基‑1H‑吡唑‑5‑基)吡啶盐酸盐反应得到2‑溴‑6‑((2‑(1‑异丙基‑1H‑吡唑‑5‑基)吡啶‑3‑基)甲氧基)苯甲醛，再在RockPhos Pd G3的催化下进行温和的溴代芳香烃的酚羟基化反应，得到沃克洛多。工艺步骤短，反应条件温和，操作简便，避免了易燃易爆试剂的使用和反应条件限制。
一种沃克洛多制备方法

[发明专利]一种伊马替尼自由碱的合成方法-CN202011081732.X有效
发明人：侯绪会;张海;张世凤;付德修;姜福元;田希星 -专利权人：山东汇海医药化工有限公司
申请日： 2020-10-12 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： C07D401/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种伊马替尼自由碱的合成方法，采用N‑(5‑氨基‑2‑甲基苯基)‑4‑(吡啶‑3‑基)嘧啶‑2‑胺和1‑[(4‑溴苯基)甲基]‑4‑甲基哌嗪为原料，在醋酸钯和配体4,5‑双二苯基膦‑9,9‑二甲基氧杂蒽的催化下，于1atm的一氧化碳氛围下发生插羰偶联酰胺化反应得到伊马替尼。本发明的合成路线简便有效，避免使用了高污染的试剂如氯化亚砜或三氯氧磷等，起始原料价廉易得，有广泛的市场供应，此外本发明的合成路线设计进一步扩展了伊马替尼的合成途径和合成方法学研究。本发明操作简洁、工艺条件温和、污染低，适合工业化生产。
一种伊马替尼自由合成方法

[发明专利]一种替尼布林的合成方法-CN202111551834.8有效
发明人：侯绪会;张世凤;李保铃;王金亭;张路军;娄丽丽 -专利权人：山东汇海医药化工有限公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C07D213/56 文献下载
摘要：本发明提供了一种替尼布林的合成方法，属于化学药物合成技术领域。本发明以2‑(5‑溴吡啶‑2‑基)乙酸甲酯为原料，先经胺化反应制得N‑苯甲基‑2‑(5‑溴吡啶‑2‑基)乙酰胺，然后与N‑[2‑(4‑溴苯氧基)乙基]吗啉的锌试剂发生Negishi偶联反应合成替尼布林，合成路线简洁，步骤少，操作简便，反应条件温和，不需要特别高或低的温度，经济环保，适合工业化生产。
一种替尼布林合成方法

[发明专利]局域电场诱导的硅光电探测器及其制备方法-CN202211219235.0有效
发明人：郭霞;张世凤;任显松;王博;刘巧莉;胡安琪 -专利权人：北京邮电大学
申请日： 2022-10-08 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明提供一种局域电场诱导的硅光电探测器及其制备方法，局域电场诱导的硅光电探测器包括：吸收层、第一欧姆电极层和第二欧姆电极层，第一欧姆电极层、吸收层和第二欧姆电极层依次层叠设置，吸收层的朝向第一欧姆电极层的一侧设有多个间隔设置的调制掺杂区，调制掺杂区被配置为诱导吸收层的光生载流子动量并收集载流子，以提高光电探测效率。本发明的局域电场诱导的硅光电探测器的光电转换效率高。
局域电场诱导光电探测器及其制备方法

[实用新型]一种妇科人流吸宫头清洗装置-CN202221464728.6有效
发明人：徐明霞;夏青云;张世凤;李佳;周会凤 -专利权人：徐明霞
申请日： 2022-06-13 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： B08B9/032 文献下载
摘要：本实用新型涉及医疗器械技术领域，具体为一种妇科人流吸宫头清洗装置，包括清洗槽，所述清洗槽的顶端四角分别设置有支撑杆，四个所述支撑杆的顶端设置有顶板，所述顶板的顶端设置有电机，所述电机的输出端延伸至顶板的底端并固定安装有旋转板，所述旋转板的底端设置有气缸，所述气缸的底端设置有用于固定吸宫头的固定组件，所述清洗槽的内腔底端设置有水泵，所述水泵的输出端安装有水管，所述水管的外壁设置有清洁组件。该妇科人流吸宫头清洗装置解决了清洁方式均采用人工刷洗的方式进行，清洁不彻底，并且需要耗费大量时间的问题，该装置可实现对吸宫头内壁的快速消毒以及清洗，操作简单，使用方便，避免人工手动对吸宫头的内壁进行清洁。
一种妇科人流吸宫头清洗装置

[发明专利]一种抗辐照加固单光子探测器及其制备方法-CN202210989618.X有效
发明人：郭霞;刘巧莉;胡安琪;张世凤;许莉;任艳玲;蔡子昱;王涛;张明;陈力;廖建新 -专利权人：北京邮电大学;无锡中微晶园电子有限公司;北京中盾安民分析技术有限公司
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明提供一种抗辐照加固单光子探测器及其制备方法，抗辐照加固单光子探测器包括衬底、钝化层、雪崩层、补偿层、第一欧姆接触复合层和第二欧姆接触复合层；第二欧姆接触复合层、衬底和钝化层依次层叠设置，第一欧姆接触复合层包括第一接触电极和第一欧姆接触层，雪崩层和第一欧姆接触层均位于衬底内，雪崩层与第一欧姆接触层朝向第二欧姆接触复合层的一面连接；第一接触电极与钝化层同层设置，且第一接触电极与第一欧姆接触层连接；补偿层位于衬底内，补偿层背离第二欧姆接触复合层的一面与钝化层接触，补偿层用于预补偿辐照损伤在衬底中感应的电荷。本发明的抗辐照加固单光子探测器结构简单、抗辐照损伤效果明显。
一种辐照加固光子探测器及其制备方法

[实用新型]一种患儿护理喂药防流溢装置-CN202123162537.2有效
发明人：张玉玲;王鑫;文荣荣;张世凤 -专利权人：枣阳市第一人民医院
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： A61J7/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及儿科护理器材技术领域，且公开了一种患儿护理喂药防流溢装置，包括装置主体、进药圆板和软绵垫，装置主体的右侧固定连接有进药圆板，装置主体的顶部固定连接有软绵垫，装置主体的正面两侧固定连接有正面贴，正面贴的正面固定连接有魔术贴，魔术贴的正面紧密贴合有粘贴布，粘贴布的右侧连接有连接带，连接带的右侧固定连接有固定圆块，装置主体的正面中间部位固定连接有开口，开口的右侧固定连接有组装圆板，组装圆板的外围设有组装螺纹，医护人员可通过转动组装圆板将存液袋取下，不仅便于拆卸，同时也便于更换，可将装置进行固定在患儿颈部，同时再通过存液设备，可很好的将患儿溢出的药液进行存储，避免药液流在患儿或病床上。
一种护理喂药防流溢装置

[发明专利]一种紫外-可见光波段可分辨光电探测器及其制备方法-CN202210441131.8有效
发明人： 张世凤;胡安琪;刘巧莉;郭霞 -专利权人：北京邮电大学
申请日： 2022-04-26 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本申请提供一种紫外‑可见光波段可分辨光电探测器及其制备方法，涉及半导体光电探测技术领域，紫外‑可见光波段可分辨光电探测器包括：衬底、光吸收复合层和光收集复合层，光收集复合层与光吸收复合层依次层叠设置在衬底上，光收集复合层用于收集光吸收复合层产生的载流子，以形成光电流；光吸收复合层包括依次层叠设置正极性光吸收层与负极性光吸收层，正极性光吸收层用于吸收可见光，产生的光电流方向为正，负极性光吸收层用于吸收紫外光，产生的光电流方向为负。本申请的紫外‑可见光波段可分辨光电探测器能实现紫外光和可见光的波段可分辨，结构简单、使用方便，在保密光通信等方向具有潜在的应用前景。
一种紫外可见光波段分辨光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种三嗪环产品的制备方法-CN202110533191.8有效
发明人：张国辉;郑庚修;张世凤;刘志威;付德修;侯绪会 -专利权人：山东汇海医药化工有限公司
申请日： 2021-05-17 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： C07D253/07 文献下载
摘要：本发明涉及化工中间产物合成领域，公开了一种三嗪环产品的制备方法，其包括七个步骤：（1）原料加入：向反应瓶中加入2‑甲基氨基硫脲、乙二酸、缩合剂和溶剂；缩合剂为N,N‑二环己基碳二亚胺或N,N‑二异丙基碳二亚胺；溶剂为甲苯、乙腈、二氯甲烷、DMF中的一种或几种；（2）保温反应；（3）调碱抽滤；（4）升温抽滤；（5）调酸析晶；（6）降温抽滤；（7）滤饼烘干。本发明用安全性好的乙二酸代替草酸二乙酯作为反应原料，用安全性好的N,N‑二环己基碳二亚胺或N,N‑二异丙基碳二亚胺代替甲醇钠作为缩合剂，避免了草酸二乙酯及甲醇钠的健康危害性和环境危险性；采用合理的工艺步骤及工艺参数，既简单易行，又提高了产品收率及纯度。
一种三嗪环产品制备方法

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