专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]热预算解决方案-CN200480027425.6无效
  • 和田由一;弗朗西斯科·A·利昂 - 应用材料公司
  • 2004-07-22 - 2007-04-11 - G02B6/12
  • 一种制造光检测器的方法,所述方法包括:提供衬底,所述衬底包括形成在其中的光波导并具有用于在其上制造微电子电路的表面,所述制造步骤涉及多个相继的工艺阶段;在多个相继的工艺阶段中选定的一个已经发生之后,并在多个工艺阶段中选定的一个之后的下一个工艺阶段开始之前,在光波导内制造光检测器;以及在波导中制造光检测器之后,完成用于制造微电子电路的多个相继的工艺阶段。
  • 预算解决方案
  • [发明专利]埋置式波导检测器-CN200480014554.1无效
  • 弗朗西斯科·A·利昂;斯蒂芬·莫法特;劳伦斯·C·韦斯特;和田优一 - 应用材料股份有限公司
  • 2004-05-28 - 2006-11-01 - H01L21/00
  • 一种制造检测器的方法,包含:在一基材中形成一沟渠,该基材具有一上表面;在该基材上以及该沟渠中形成一第一掺杂半导体层;在该第一掺杂半导体层上形成一第二半导体层,并延伸至该沟渠中,该第二半导体层的导电性比该第一掺杂半导体层的导电性小;在该第二半导体层上形成一第三掺杂半导体层,并延伸至该沟渠中;移除由该基材表面所界定的平面上的该第一、第二和第三层部分,以产生一较高、大致平坦的表面,并暴露出位于该沟渠内的该第一掺杂半导体层的上端;形成连结至该第一半导体掺杂层的第一电接触;以及形成连结至该第三半导体掺杂层的第二电接触。
  • 埋置式波导检测器

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