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- [发明专利]显示器件制备方法-CN201410653370.5有效
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廖子毅;陈睿;林信安;林志明;黄耀乐
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上海和辉光电有限公司
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2014-11-17
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2019-02-15
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H01L21/311
- 本发明涉及一种显示器件制备方法,包括:于一半导体结构的表面涂覆一有机物层;经曝光、显影后,于所述半导体结构上将所述有机物层形成具有开口图形的平坦化层;对所述平坦化层进行固化工艺,固化工艺所述平坦化层的表面形成一有机聚合物层;湿法刻蚀去除所述有机聚合物层后,沉积一电极层覆盖所述平坦化层的上表面,且所述电极层还覆盖所述开口图形的底部及其侧壁;所述半导体结构中设置一数据线层,所述平坦化层覆盖于所述数据线层的上表面,且所述电极层与所述数据线层电性连接。本发明方法与传统技术相比,在本发明方法中减少了工艺流程数量,简化了工艺流程,并且使得工艺设备的建制费用投入大大降低。
- 显示器件制备方法
- [发明专利]一种半导体结构及其蚀刻方法-CN201410029693.7有效
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黄子晏;谭莉;林信安;林志明;廖子毅
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上海和辉光电有限公司
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2014-01-22
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2017-04-05
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H01L51/50
- 本发明提供了一种半导体结构的蚀刻方法,所述半导体结构包括第一组绝缘层,位于所述第一组绝缘之上的第二组绝缘层,以及位于所述第二组绝缘层之上的第三组绝缘层,所述第一组绝缘层、所述第二组绝缘层、所述第三组绝缘层均包含一层或多层含硅绝缘层;所述蚀刻方法包括以摩尔比为第一比例的CF4与C4F6的混合气为蚀刻气体蚀刻所述第三组绝缘层;以摩尔比为第二比例的CF4与C4F6的混合气为蚀刻气体蚀刻所述第二组绝缘层;及以C4F6为蚀刻气体蚀刻所述第一组绝缘层。本发明所提供的蚀刻方法,采用不同比例的蚀刻气体对各层进行蚀刻,使半导体结构的蚀刻孔的角度控制在50°‑80°之间,且对多晶硅具有很高的选择比。
- 一种半导体结构及其蚀刻方法
- [发明专利]薄膜晶体管的制造方法和阵列基板的制造方法-CN201410268476.3在审
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林志明;廖子毅
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上海和辉光电有限公司
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2014-06-16
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2016-01-06
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H01L21/336
- 本发明提供一种薄膜晶体管的制造方法和阵列基板的制造方法。薄膜晶体管的制造方法包括:在基板之上形成图案化半导体层;在所述图案化半导体层之上依次形成绝缘层和栅极导电层,并对所述栅极导电层进行构图;以经图案化的所述栅极导电层作为第一掩模,把第一掺杂剂注入所述图案化半导体层中,来形成源极区和漏极区;对经图案化的所述栅极导电层进行蚀刻来获得栅电极,并以所述栅电极为第二掩模,把第二掺杂剂注入所述图案化半导体层中,来形成分别与所述源极区和漏极区相接的源侧低浓度区和漏侧低浓度区,其中所述源侧低浓度区和所述漏侧低浓度区之间的所述图案化半导体层部分构成沟道区。通过工艺程序变更而减少掩模数量,简化了制造过程,降低了生产成本。
- 薄膜晶体管制造方法阵列
- [发明专利]上部电极安装治具-CN201310563680.3在审
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黄耀乐;林志明;张永涛;廖子毅
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上海和辉光电有限公司
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2013-11-14
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2015-05-20
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H01L21/68
- 本发明涉及一种电极安装治具,尤指一种用于干蚀刻机台的上部电极安装治具。所述上部电极安装治具包括一固定垫片、与所述固定垫片垂直连接的一侧板、以及复数个活动垫片,所述固定垫片相对于所述侧板的第一侧设有供放置复数个所述活动垫片的限位装置,所述活动垫片可活动地置于所述限位装置内;所述活动垫片活动至所述固定垫片相对于所述侧板的第二侧时与所述固定垫片配合以完成待安装的上部电极的定位。使用本安装治具,能够减少上部电极的安装时间,降低电极对位时因不慎碰撞而造成上电极的损坏现象,避免对位失误产生的残余材料堆积影响良率的问题。
- 上部电极安装
- [实用新型]药液回流装置-CN201420309895.2有效
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陈睿;林志明;廖子毅;陈宇新;黄耀乐
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上海和辉光电有限公司
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2014-06-11
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2015-03-04
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C03C15/00
- 本实用新型公开了一种药液回流装置,包括:蚀刻槽、缓冲槽、水洗槽和储液槽;所述缓冲槽设置于所述水洗槽和所述蚀刻槽之间,且该蚀刻槽和所述缓冲槽均与所述储液槽贯通连接;以及所述缓冲槽和所述蚀刻槽中均设置有至少一风帘。本实用新型具有如下优点或者有益效果:在蚀刻槽和水洗槽之间增加缓冲槽,并在缓冲槽中设置至少一个风帘,通过蚀刻槽和缓冲槽中的双道风帘,完成对药液吹回的双重动作,减少玻璃基板表面药液的携出量,并进一步减少至水洗槽被置换掉的药液,有效减少机台药液浪费率,提高了药液的循环使用率,在保证正常药液寿命的条件下循环使用;可保证在量产情况下,节省大量药液。
- 药液回流装置
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