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- [发明专利]双向半导体断路器-CN201980056357.2有效
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沈政煜;张寿亨;康圣熙;宋雄侠;薛承基;朴东焄;申东浩
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LS电气株式会社;首尔大学校产学协力团
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2019-08-21
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2023-10-20
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H02H7/20
- 本发明涉及双向半导体断路器，本发明实施例的双向半导体断路器，包括：主电路部，连接在电源与负载之间，所述主电路部由第一半导体开关和第二半导体开关串联配置；以及缓冲电路部，其一端连接于所述第一半导体开关的前端，其另一端连接于所述第二半导体开关的后端，从而所述缓冲电路部并联连接于所述第一半导体开关和所述第二半导体开关。此时，所述缓冲电路部包括：第一电路线，由第一电容和第一二极管串联配置；第二电路线，并联连接于所述第一电路线，所述第二电路线由第二电容和第二二极管串联配置；以及第三电路线，其一端连接于所述第一电路线，而其另一端连接于所述第二电路线，所述第三电路线由第一电阻和第二电阻串联配置，从而能够提供一种可应用于双向故障电流的同时满足半导体保护和电流抑制性能的缓冲电路。
- 双向半导体断路器
- [发明专利]固态绝缘开关-CN202180038140.6在审
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沈政煜;李载昊;宋雄侠;康圣熙
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LS电气株式会社
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2021-03-30
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2023-02-03
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H02H7/20
- 本发明涉及利用半导体的固态绝缘开关，本发明实施例的固态绝缘开关包括：主电路部，连接在两侧系统之间，该主电路部的第一半导体开关和第二半导体开关串联地配置；缓冲电路，该缓冲电路的电容器和电阻串联地配置，一端与所述第一半导体开关的前端并联连接，另一端与所述第二半导体开关的后端并联连接；续流电路，该续流电路的二极管和电阻串联地配置，一端与所述第一半导体开关和所述第二半导体开关之间的共同接点连接而另一端与接地连接；以及机械式开关，用于在断开故障电流之后确保物理绝缘。通过这种电路结构，不仅能够实现双向故障电流的断开，而且同时稳定地消耗断开时因两侧系统电感产生的能量，从而能够保护半导体开关。
- 固态绝缘开关
- [发明专利]断路器控制模块-CN201980016749.6有效
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康圣熙
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LS电气株式会社
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2019-01-30
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2022-09-09
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H02H1/00
- 本发明公开一种断路器控制模块。本发明的断路器控制模块包括：多个半导体开关部，切断电流在输配电线路中的流动或进行切换以转换所述电流的流动方向；控制部，向多个半导体开关部分别发送跳闸信号而控制各个半导体开关部的导通或断开动作；以及多个绝缘型信号发送元件部，设置在多个半导体开关部和控制部之间，使得多个半导体开关部与控制部绝缘，并将来自控制部的跳闸信号分别发送到多个半导体开关部，本发明能够减少由电弧引起的事故的风险，并能够提高控制部的稳定性和可靠性。
- 断路器控制模块
- [发明专利]功率器件监测系统和监测方法-CN202080027586.4在审
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康圣熙
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LS电气株式会社
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2020-03-25
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2021-11-26
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G01R31/26
- 本发明涉及一种在电流传输路径上的主电路中串联连接的复数个功率器件的监测系统，其特征在于，包括：第一功率器件和第二功率器件，分别包括半导体元件；第一传感器，与所述第一功率器件连接并检测与流经所述第一功率器件的第一电流有关的信息；第二传感器，与所述第二功率器件连接并检测与流经所述第二功率器件的第二电流有关的信息；第三传感器，检测与在所述第一功率器件和第二功率器件之间流动的第三电流有关的信息；以及控制部，将由所述第三传感器测定到的第三电流作为基准与所述第一电流和所述第二电流进行比较，并根据所述第一电流与所述第三电流之间的差以及所述第二电流与所述第三电流之间的差来判断各个功率器件的状态是否异常。
- 功率器件监测系统方法
- [发明专利]用于控制功率设备的系统-CN201611153919.X有效
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康圣熙;南景勋;裵圭晟
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LS产电株式会社
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2016-12-14
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2019-09-27
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H02M1/00
- 本公开内容提供了一种用于控制功率设备的系统，其包括：一个或多个功率元件；一个或多个驱动模块，其被配置为通过信号线路提供关于一个或多个功率元件的驱动信号并且被提供有第一无线模块；以及上层控制器，其被配置为通过信号线路发送关于一个或多个驱动模块的控制信号并且被提供有与第一无线模块相对应的第二无线模块，其中，一个或多个驱动模块中的每个通过第一无线模块将一个或多个功率元件和一个或多个驱动模块的状态信息发送到第二无线模块，并且上层控制器通过第二无线模块将与状态信息相对应的控制信号发送到第一无线模块。
- 用于控制功率设备系统
- [发明专利]栅极驱动器-CN201410400467.5在审
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南景勋;康圣熙;金锺培
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LS产电株式会社
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2014-08-14
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2015-03-18
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H02M1/08
- 本发明提供了一种栅极驱动器及其操作方法。所述栅极驱动器放大输入的控制信号以驱动高侧和低侧晶体管的栅极。高侧驱动芯片放大用于控制高侧晶体管的高侧控制信号并将经放大的高侧控制信号输出至所述高侧晶体管的栅极。低侧驱动芯片放大低侧控制信号并将经放大的低侧控制信号输出至所述低侧晶体管的栅极。所述高侧晶体管的发射极端子连接至所述低侧晶体管的集电极端子。所述高侧驱动芯片独立于所述低侧驱动芯片而制备。所述低侧驱动芯片包括死区时间控制单元和输出驱动器，所述死区时间控制单元对所述低侧控制信号进行死区时间控制并生成经死区时间控制的低侧控制信号，所述输出驱动器放大所述经死区时间控制的低侧控制信号并输出被放大的信号。
- 栅极驱动器
- [发明专利]栅极驱动装置-CN201310145727.4在审
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郑在锡;南景勋;康圣熙;金锺培
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LS产电株式会社
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2013-04-24
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2013-10-30
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H02M1/08
- 本发明公开了一种栅极驱动装置。依照实施例的栅极驱动装置包括：第一开关器件；第二开关器件，其输出信号以所述第一开关器件的电容进行充电；第三开关器件，其与所述第二开关器件并联连接以防止从所述第二开关器件输出的电压的下降；以及第四开关器件，其输出信号以对所述第一开关器件的电容进行放电。NMOS晶体管被用作主开关器件，并且与所述NMOS晶体管并联连接的PMOS晶体管被用作辅开关器件，这样使得芯片尺寸减小而不会使所述栅极驱动装置的输出电压下降。通过阻止所述栅极驱动装置的输出电压下降来防止开关器件的损耗。
- 栅极驱动装置
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