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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110502194.5在审
发明人：王咏泓;张皇贤;吕文隆;张育勋;庄劭萱 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2021-05-08 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：第一基板；第一连接结构，包括位于第一基板上方的第一金属层和第二金属层，第二金属层内埋于第一金属层内，并且第二金属层的热膨胀系数高于第一金属层的热膨胀系数；第二连接结构，金属接合至第一连接结构的第一金属层。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]衬底中的凹入部分及形成凹入部分的方法-CN202110478658.3在审
发明人： 庄劭萱;张皇贤 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供一种半导体衬底中的凹入部分及形成所述凹入部分的方法。所述方法包括：在所述半导体衬底上形成掩模；在所述掩模的顶表面上及在所述掩模的至少一个侧壁上，及在由所述掩模暴露的所述半导体衬底的至少一个表面上形成保护层；执行第一蚀刻工艺以去除在所述掩模的所述顶表面上及在由所述掩模暴露的所述半导体衬底的底表面上的所述保护层；及执行第二蚀刻工艺以去除其余保护层及蚀刻所述半导体衬底以形成所述凹入部分。以此方式，可实现具有相对平滑及竖直的侧壁的凹入部分。
衬底中的部分形成方法

[发明专利]半导体封装结构和其制造方法-CN202110376624.3在审
发明人： 庄劭萱;张皇贤 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2021-04-07 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本公开的至少一些实施例涉及一种用于制造接合结构的方法。所述方法包含：提供具有晶种层的衬底；在所述晶种层上形成导电图案；在所述衬底和所述导电图案上形成介电层；以及去除所述介电层的一部分以暴露所述导电图案的上表面，而不消耗所述晶种层。
半导体封装结构制造方法

[发明专利]半导体封装装置及其制造方法-CN202111106326.9在审
发明人： 庄劭萱;张皇贤 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本公开涉及半导体封装装置及其制造方法。该半导体封装装置包括：重布线层，表面具有第一凹部；第一芯片和第二芯片，设置在重布线层上，其中，第一凹部位于第一芯片和第二芯片之间间隔的下方。该半导体封装装置及其制造方法能够在第一芯片和第二芯片之间提供更大的空间用于释放膨胀应力或者加强结构强度，从而减小或消除热应力对结构的负面影响，避免半导体封装装置内部出现断裂，有利于提高产品良率。
半导体封装装置及其制造方法

[发明专利]半导体封装装置及其制造方法-CN202111152135.6在审
发明人： 庄劭萱;张皇贤 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本公开涉及半导体封装装置及其制造方法。该半导体封装装置包括：重布线层，表面设置有凸块下金属；阻挡结构，设置于重布线层上并对应凸块下金属上表面设置有开口，阻挡结构对应开口边缘处高于凸块下金属；第一芯片和第二芯片，设置于重布线层上，通过焊锡与重布线层的凸块下金属电连接，焊锡至少部分设置于开口内。该半导体封装装置及其制造方法能够通过阻挡结构的开口对焊锡定位，以提高第一芯片和第二芯片与重布线层的电连接性能。
半导体封装装置及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202110624332.7在审
发明人： 庄劭萱;张皇贤 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2021-06-04 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本公开提供的半导体结构及其制造方法，在通过粘合层(Adhesion film)结合重布线层(Fan‑Out)与基板(Substrate)后，通过预先设置的第一模具对重布线层与粘合层进行挤压制程，并脱模形成贯穿布线层与粘合层的开孔(导通的预定位置)以露出基板的焊垫(Pad)，再填充导电材料以形成导通孔(Via)以电性连接重布线层与基板，相对于激光钻孔制程，可以实现更小目标尺寸孔径的开孔，而相对于蚀刻开孔工艺，可以提高产能。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]半导体封装装置及其制造方法-CN202110629020.5在审
发明人： 庄劭萱;张皇贤 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本公开提供了半导体封装装置及其制造方法，通过设计半导体封装装置包括：重布线层；隔离层，设置于重布线层上，隔离层的吸水性小于重布线层；填充层，设置于隔离层上；两个功能芯片，设置于填充层上，经过填充层和隔离层，与重布线层电连接，两个功能芯片之间具有空隙腔体，空隙腔体穿过填充层并抵接隔离层，使得热循环制程中隔离层能够阻挡重布线层的水气向填充层扩散，避免因水气积累在填充层产生的应力，并且，由于两个功能芯片具有穿过填充层的空隙腔体，可避免在热循环制程中两个功能芯片之间与填充层的挤压造成的填充层断裂。
半导体封装装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置和其制造方法-CN202010447298.6在审
发明人：陈昭丞;张皇贤;吕文隆;庄劭萱;陈憬儒;周泽川 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2020-05-25 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：提供了一种半导体装置和其制造方法。所述方法包含提供第一衬底。所述方法还包含在所述第一衬底上形成第一金属层。所述第一金属层包含第一金属材料。所述方法进一步包含用包含第二金属材料的离子的溶液处理所述第一金属层的第一表面。另外，所述方法包含在所述第一金属层的所述第一表面的一部分上形成包含所述第二金属材料的多个金属颗粒。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体封装设备和其制造方法-CN202110219778.1在审
发明人： 庄劭萱;张皇贤;黄敏龙 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L27/01 文献下载
摘要：一种半导体封装设备包含第一导电壁、第二导电壁、第一绝缘壁、介电层、第一电极和第二电极。所述第一绝缘壁安置在所述第一导电壁与所述第二导电壁之间。所述介电层具有第一部分，所述第一部分覆盖所述第一导电壁的底表面、所述第二导电壁的底表面和所述第一绝缘壁的底表面。所述第一电极电连接到所述第一导电壁。所述第二电极电连接到所述第二导电壁。
半导体封装设备制造方法

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