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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]固体拍摄元件及其控制方法-CN200980153123.6有效
发明人：广津亚弥子;广津总吉 -专利权人：广津和子
申请日： 2009-12-25 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：传输电路(20)采用以下结构：利用对传输控制信号(TG)进行响应而接通断开的传输门(21)，在工作时将积累区域(15)的信号电荷向浮动扩散区域(30)传输，另一方面，在不工作时断开信号电荷的传输。像素控制电路(200)根据像素电路(100)的感光电平来控制传输电路(20)，使得在感光量为预定以上时，与感光量低于预定时相比，延长传输电路(20)的工作期间。
固体拍摄元件及其控制方法

[发明专利]半导体摄像元件-CN200780017004.9无效
发明人： 广津总吉;广津寿一 -专利权人： 广津总吉
申请日： 2007-05-08 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： H04N5/335 文献下载
摘要：在各像素电路(10)的第1节点(N1)，储存与入射光量相对应的信号电荷。储存电荷排放电路(20)具有属于同一像素群的多个像素电路(10)的各第1节点(N1)和通过作为可变电阻元件起作用的电荷排放门(DG)连接的第2节点(N2)。第2节点(N2)在控制开关(24)的接通期间作为浮动泄放点起作用，而在按1帧期间的中间时刻设定的控制开关(24)的切断期间，利用电容(22)储存从各像素电路(10)流出的信号电荷。对像素群的入射光强时，各电荷排放门(DG)的电阻值随电容(22)中储存的信号电荷的增加而减小，从而能在中间时刻暂时排放各像素电路(10)的储存信号电荷。
半导体摄像元件

[发明专利]半导体摄像元件-CN200510064893.7无效
发明人：廣津寿一 -专利权人： 广津总吉
申请日： 2005-04-07 - 公布日： 2005-10-12 - 主分类号： H01L31/08 文献下载
摘要：该半导体摄像元件的像素电路(1)包括在规定的结点(N10)中流过与入射光强度对应的电流的光电二极管(10)；当规定的结点(N10)的电位(VP)一升高就进行对数区动作的对数晶体管(11)；以及复位晶体管(12)，该复位晶体管(12)在规定的结点电位(VP)高于阈值电位(VP0)时，响应复位信号(RST)，将规定的结点电位(VP)复位，达到复位电位(VRL)，在规定的结点电位(VP)低于阈值电位(VP0)时，不进行复位动作。因此，在低照度的情况下，由于像素电路(1)的帧扫描速度下降，所以摄像极限照度降低。
半导体摄像元件

[发明专利]可感知的、光接收范围宽的半导体摄像器件-CN200410102341.6无效
发明人： 广津总吉;广津寿一 -专利权人： 广津总吉
申请日： 2004-10-29 - 公布日： 2005-05-25 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明揭示一种可感知的、光接收范围宽的半导体摄像器件。半导体摄像器件的像素电路各自具备光电检测器件和作为电流发生电路而设置的第1和第2的电流镜像电路。光电检测器件在结点Na产生与受光量对应的光电流。第1电流镜像电路使与光电流对应的第1和第2的电流各自流向内部结点和输出结点。第2电流镜像电路被连接为，使其发生与内部结点的通过电流的第3电流对应的第4电流，同时使第2电流与第4电流的差电流流到输出结点。各像素电路的内部结点通过构成像素间连接部分的电阻分量，和相邻的像素电路中的至少一个内部结点电连接。输出电流成为和自身的光电流与外围像素上的平均受光量对应的第3电流的相对之差对应的电流。
感知接收范围半导体摄像器件

[发明专利]增益可调制的半导体器件及具备它的逻辑电路-CN200410059894.8无效
发明人： 广津总吉;广津寿一 -专利权人： 广津总吉
申请日： 2004-06-18 - 公布日： 2005-02-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在通常的MOS栅极(101)、漏极(103)以及源极(104)的基础上，进一步设置的控制栅极(105)具有仅由沿着与矩形的MOS栅极(101)同一方向的直线群所规定的形状，并且，不会具有斜线形状，具有在沿着栅极的宽度方向的至少在一部分的区域中栅极长度成非均匀的形状。在由这样的控制栅极(105)形成的沟道区域中，存在强电场区域和弱电场区域。结果是，由MOS栅极(101)以及控制栅极(105)形成的整个沟道区域(120)的电导即半导体器件的增益系数β，能够与对MOS栅极(101)以及控制栅极(105)的外加电压相对应地进行调整。
增益调制半导体器件具备逻辑电路

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