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[发明专利]摄像装置-CN201710075462.3有效
发明人： 平濑顺司;佐藤好弘;高见义则;高濑雅之;村上雅史 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2017-02-13 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供一种抑制了暗电流的摄像装置。本发明的摄像装置具备半导体层和像素单元。像素单元具备：第1导电型的杂质区域，位于半导体层内；光电变换部，位于半导体层的上方，电连接于杂质区域；第1晶体管，具有第1源极、第1漏极及第1栅极电极，第1源极及第1漏极的一方与杂质区域电连接；第2晶体管，具有第2源极、第2漏极及第2导电型的第2栅极电极，包含杂质区域作为第2源极及第2漏极的一方，第2栅极电极与杂质区域电连接；第3晶体管，具有第3源极、第3漏极及第3栅极电极，第3栅极电极与光电变换部电连接。
摄像装置

[发明专利]摄像装置-CN202180087265.8在审
发明人： 平濑顺司;山田隆善;西村佳寿子 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：摄像装置具备：光电转换部，通过光电转换而生成电荷；电荷积蓄部，积蓄所述电荷；以及金属‑氧化物‑半导体电容，包括第1端子、第2端子、栅极、氧化物层以及至少1个半导体区域。在曝光中，所述第1端子与所述电荷积蓄部电连接，所述栅极与所述第1端子电连接，所述至少1个半导体区域与所述第2端子电连接，所述氧化物层位于所述栅极与所述至少1个半导体区域之间。
摄像装置

[发明专利]摄像装置及相机系统-CN202180087529.X在审
发明人：村上雅史;荘保信;佐藤好弘;西村佳寿子;平濑顺司 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H04N25/76 文献下载
摘要：摄像装置(101)具备电荷积蓄部(37)、具有第1源极、第1漏极以及与所述第1源极或所述第1漏极中的一方电连接的第1栅极电极的第1晶体管(81)、以及保持所述电荷且具有第1端子的第1电容元件(71)，所述第1源极及所述第1漏极中的一方被供给固定电位，而且与所述电容元件的所述第1端子至少在曝光期间中总是被电连接。
摄像装置相机系统

[发明专利]摄像装置-CN202180071448.0在审
发明人：太田宗吾;平濑顺司 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2021-11-04 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：摄像装置具备：第1光电转换部，将光转换为电荷；第1电荷积蓄部，积蓄所述电荷；第1电容器；输出电路，与所述第1电容器电连接；以及第1插入晶体管，具有栅极电极、源极及漏极。所述第1电荷积蓄部与所述栅极电极、以及所述源极及所述漏极中的一方电连接。通过所述第1插入晶体管成为导通，所述第1电荷积蓄部与所述第1电容器被电连接。
摄像装置

[发明专利]摄像装置-CN202180076370.1在审
发明人：津野盛和;平濑顺司 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：摄像装置具备：光电转换部，通过光电转换而生成信号电荷；半导体基板，包括第1半导体层，该第1半导体层包含第1导电型的杂质；电荷积蓄区域，是第1半导体层内的第2导电型的杂质区域，且积蓄信号电荷；晶体管，包括第1半导体层内的第2导电型的第1杂质区域作为源极及漏极中的一方；以及截断构造，位于电荷积蓄区域与第1杂质区域之间。截断构造包括：第1半导体层内的第1导电型的第2杂质区域、以及杂质浓度与第2杂质区域不同的第1半导体层内的第1导电型的第3杂质区域。
摄像装置

[发明专利]摄像装置-CN202010842076.4在审
发明人：村上雅史;西村佳寿子;阿部豊;松长诚之;佐藤好弘;平濑顺司 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2015-11-26 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种摄像装置，具备：光电变换部，对入射光进行光电变换并生成电荷；第1晶体管，该第1晶体管的栅极与上述光电变换部电连接，输出与上述电荷对应的电信号；第2晶体管，该第2晶体管的源极及漏极中的一方与上述光电变换部电连接；第1电容，连接在上述第2晶体管的上述源极与上述漏极之间；以及第2电容，连接在上述第2晶体管的上述源极及上述漏极中的另一方与基准电位之间。
摄像装置

[发明专利]摄像装置-CN201611006443.7有效
发明人：佐藤好弘;平濑顺司 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2016-11-16 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H04N5/361 文献下载
摘要：本发明目的在于减小漏电流而抑制画质的劣化。本申请的摄像装置，具有半导体基板和多个单位像素单元；多个单位像素单元分别具备：第1导电型的第1区域，位于半导体基板内，在半导体基板的表面的第1区中在半导体基板的表面上露出；与第1导电型不同的第2导电型的第2区域，在半导体基板内与第1区域直接邻接，在被第1区将周围包围的第2区中在半导体基板的表面上露出；光电变换部，位于半导体基板的表面的上方；接触插塞，位于半导体基板的表面与光电变换部之间，与第2区域连接；第1晶体管，包括将第1区内的第1部分覆盖的第1电极、和半导体基板与第1电极之间的第1绝缘层，将第2区域作为源极及漏极的一方；第2电极，将第1区内的与第1部分不同的第2部分覆盖；半导体基板与第2电极之间的第2绝缘层。当从与半导体基板的表面垂直的方向观察时，第2区域与接触插塞之间的连接部位于第1电极与第2电极之间。
摄像装置

[发明专利]摄像装置-CN201510836849.7有效
发明人：村上雅史;西村佳寿子;阿部豊;松长诚之;佐藤好弘;平濑顺司 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2015-11-26 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种摄像装置，具备：单位像素单元，包括对入射光进行光电变换并生成电信号的光电变换部、检测电信号的信号检测电路及将第1电容和电容值比其大的第2电容串联的电容电路；及反馈电路，形成使电信号负反馈的反馈路径；光电变换部具有光电变换膜、光电变换膜的受光面侧的第1电极及与第1电极相反侧的面的第2电极；信号检测电路包括栅极连接于第2电极、将与第2电极的电位相应的信号电压放大并输出的第1晶体管、和源极及漏极的一方连接于第2电极的第2晶体管；反馈电路在反馈路径的一部分中包含第1晶体管及反向放大器，使电信号经由第1晶体管及反向放大器向第2晶体管的源极及漏极的另一方负反馈；电容电路设置在第2电极与基准电位之间。
摄像装置

[发明专利]摄像装置-CN201880057803.7在审
发明人： 平濑顺司;佐藤好弘;远藤康行;纲川裕之 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2018-11-06 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种摄像装置，具备：半导体基板，包括半导体区域、第1扩散区域以及第2扩散区域，上述半导体区域包含第1导电型的杂质，上述第1扩散区域与上述半导体区域相接，包含与上述第1导电型不同的第2导电型的杂质，并将入射光变换为电荷，上述第2扩散区域包含上述第2导电型的杂质，积蓄从上述第1扩散区域流入的上述电荷的至少一部分；第1晶体管，包括位于上述半导体基板上的第1栅极电极，包括上述第2扩散区域作为源极及漏极中的一方；接触插塞，与上述第2扩散区域电连接；电容元件，一端与上述接触插塞电连接；以及第2晶体管，包括位于上述半导体基板上的第2栅极电极，上述第2栅极电极与上述电容元件的上述一端电连接。
摄像装置

[发明专利]摄像装置-CN201910624882.1在审
发明人： 平濑顺司;高见义则;佐藤好弘 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2019-07-11 - 公布日： 2020-03-13 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明的一形态的摄像装置，具备：半导体层，包括第1导电型的第1区域、导电型与上述第1导电型相反的第2导电型的第2区域、以及上述第2导电型的第3区域；光电变换部，电连接于上述第1区域，将入射光变换为电荷；第1晶体管，包括第1源极、第1漏极及位于上述第2区域的上方的第1栅极，上述第1区域相当于上述第1源极或上述第1漏极；以及第2晶体管，包括第2源极、第2漏极及位于上述第3区域的上方的上述第2导电型的第2栅极，上述第1区域相当于上述第2源极或上述第2漏极，上述第2栅极电连接于上述第1区域。上述第3区域中的上述第2导电型的杂质的浓度比上述第2区域中的上述第2导电型的杂质的浓度高。
摄像装置

[发明专利]摄像装置-CN201910327467.X在审
发明人： 平濑顺司;高见义则;佐藤好弘 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2019-04-23 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：降低成为噪声原因的漏电流的摄像装置。具备：光电转换部，对光进行光电转换而生成信号电荷；半导体基板，包含含有第一导电型的杂质的第一半导体层；电荷蓄积区域，是第一半导体层内的第二导电型的杂质区域，蓄积信号电荷；第一晶体管，包含第一半导体层内的第二导电型的第一杂质区域作为源极和漏极中的一个；以及阻断结构，位于电荷蓄积区域与第一晶体管之间，阻断结构具备：第一半导体层内的第一导电型的第二杂质区域；第一半导体层内的第二导电型的第三杂质区域；以及第一半导体层内的第一导电型的第四杂质区域，在第一半导体层的表面，沿着从第一杂质区域朝向电荷蓄积区域的第一方向，依次配置有第二杂质区域、第三杂质区域以及第四杂质区域。
杂质区域半导体层导电型电荷蓄积区域阻断结构晶体管蓄积信号电荷半导体基板光电转换部光电转换摄像装置生成信号电荷漏电流漏极源极噪声配置

[发明专利]拍摄装置-CN201910353663.4在审
发明人：佐藤好弘;平濑顺司 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2019-04-29 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明用于减小成为噪声的原因的漏电流。本发明的拍摄装置具备：对光进行光电变换而生成信号电荷的光电变换部；表面含有第一半导体层的半导体基板；作为所述第一半导体层内的第一导电型的杂质区域并蓄积所述信号电荷的电荷蓄积区域；包含所述第一半导体层内的第一导电型的第一杂质区域作为源极或漏极的第一晶体管；位于所述电荷蓄积区域与所述第一晶体管之间的阻断结构。所述阻断结构包含：第二杂质区域，是所述第一半导体层内的第二导电型的杂质区域，位于所述电荷蓄积区域与所述第一杂质区域之间；第一电极，位于所述第一半导体层的上方，在平面视图中与所述第二杂质区域的至少一部分重叠，在所述电荷蓄积区域蓄积所述信号电荷的期间被施加恒定的第一电压。
杂质区域半导体层电荷蓄积区域导电型信号电荷阻断结构晶体管蓄积半导体基板光电变换部第一电极光电变换拍摄装置平面视图生成信号电荷恒定的漏电流减小漏极源极噪声施加

[发明专利]摄像装置-CN201810768586.4在审
发明人： 平濑顺司;高见义则;山田翔太;佐藤好弘;佐藤嘉晃 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2018-07-13 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供能够减少暗电流及暗电流的偏差的摄像装置。摄像装置具备：半导体基板；以及像素，位于所述半导体基板的表面，所述半导体基板包含：第一区域，包含第一导电型的杂质；以及第二区域，包含与所述第一导电型不同的第二导电型的杂质，位于所述第一区域的所述表面侧；所述像素包含：光电转换部，将光转换为电荷；第一扩散区域，包含所述第一导电型的杂质，位于所述第二区域的所述表面侧，积蓄所述电荷；以及第二扩散区域，是在包含所述第一导电型的杂质且位于所述第二区域的所述表面侧的多个扩散区域之中与所述第一扩散区域最近的扩散区域，所述第二扩散区域与所述第一区域的距离为所述第二扩散区域与所述第一扩散区域的距离的1.5倍以下。
扩散区域导电型半导体基板第二区域第一区域摄像装置电荷暗电流像素光电转换部光转换

[发明专利]摄像装置-CN201810584008.5在审
发明人：佐藤好弘;平濑顺司;高见义则 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2018-06-08 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：目的是提供一种能抑制暗电流的摄像装置。摄像装置具备：半导体基板，包括含有第1导电型的杂质的第1扩散区域和含有第1导电型的杂质的第2扩散区域；和多个像素；上述多个像素分别包括：光电变换部，将光变换为电荷；和第1晶体管，包括源极、漏极及栅极电极，包括蓄积上述电荷的至少一部分的上述第1扩散区域作为上述源极及上述漏极的一方，包括上述第2扩散区域作为上述源极及上述漏极的另一方；上述第1扩散区域中的第1导电型的杂质的浓度比上述第2扩散区域中的第1导电型的杂质的浓度小；当从与上述半导体基板垂直的方向观察时，上述第1扩散区域的面积比上述第2扩散区域的面积小。
扩散区域导电型摄像装置漏极源极半导体基板电荷像素光电变换部方向观察栅极电极暗电流垂直的晶体管面积比浓度比蓄积

[发明专利]摄像装置及照相机系统-CN201810244783.6在审
发明人： 平濑顺司;村上雅史 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2018-03-23 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供一种能够对光电变换部施加高电压并且能够得到高密度化高特性的摄像装置。具备像素和第1电压供给电路；像素包括：光电变换部，包括像素电极、对置电极、和位于两者之间将光变换为电荷的光电变换膜；放大晶体管，具有第1源极、第1漏极及第1栅极，第1栅极连接于像素电极；复位晶体管，具有第2源极、第2漏极及第2栅极，第2源极及第2漏极的一方被连接到像素电极；反馈晶体管，具有第3源极及第3漏极，第3源极及第3漏极的一方被连接到第2源极及第2漏极的另一方；第1电压供给电路向对置电极供给第1电压；如果在第2源极及第2漏极的一方与第2栅极之间供给限幅电压以上的电压则复位晶体管关闭；限幅电压比第1电压小。
漏极源极像素电极电压供给电路复位晶体管光电变换部对置电极摄像装置限幅电压像素反馈晶体管放大晶体管照相机系统高密度化光电变换栅极连接电荷高电压施加

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