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- [发明专利]电力转换装置-CN202080024399.0有效
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长崎仁德;平尾高志;田中信太朗
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株式会社日立制作所
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2020-04-10
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2023-08-15
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H02M7/48
- 在作为电力转换装置的半导体组件(1)中，第1基板(10)在绝缘基板(10p)上形成有与功率半导体元件(43)电连接的第1电路图案(11)。第2基板(20)隔着功率半导体元件(43)与第1基板(10)相对且在绝缘基板(20p)上形成有与功率半导体元件(43)电连接的第2电路图案(21)。第3基板(30)两面安装有使输入电力平滑化的多个电容器(39)，且在绝缘基板(30p)上形成有与多个电容器(39)电连接的第3电路图案(35)。第3基板(30)配置于与第1电路图案(11)重叠的第1假想平面(VS1)和与第2电路图案(21)重叠的第2假想平面(VS2)之间的空间，具有在与第1基板(10)和第2基板(20)不重叠的区域的两面配置有多个电容器(39)的电容器区域(CA2)。
- 电力转换装置
- [发明专利]逆变器一体型马达-CN202180071186.8在审
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板谷隆树;前川典幸;后藤英明;青柳滋久;平尾高志
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日立安斯泰莫株式会社
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2021-09-09
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2023-07-11
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H02M7/48
- 本发明的目的在于提供一种能有效地冷却逆变器部的功率模块的逆变器一体型马达。连接于马达部的逆变器部(120)具有：功率模块(121)，其将直流电转换为交流电；第1流路形成体(221a)，其设置于马达与功率模块(121)之间，形成第1流路(221)；以及第2流路形成体(222a)，其隔着功率模块(121)配置在与第1流路形成体(221a)侧(马达(110)侧)的相反侧，形成第2流路(222)。第1流路形成体(221a)和第2流路形成体(222a)构成为在第1流路形成体(221a)中流动的制冷剂(F1)的流量比在第2流路形成体(222a)中流动的制冷剂(F2)的流量大。
- 逆变器体型马达
- [发明专利]电力转换装置-CN201880058561.3有效
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难波明博;平尾高志;大西正己
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日立安斯泰莫株式会社
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2018-07-27
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2022-12-20
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H02M1/08
- 本发明抑制向各功率半导体传输的控制信号的电流不平衡，并且抑制控制信号基板的大型化。本发明的电力转换装置具备：第1功率半导体元件；第2功率半导体元件；以及电路基板，其具有传递所述第1功率半导体元件及所述第2功率半导体元件的驱动信号的电路，所述电路基板具备：第1发射极布线，其沿着所述第1功率半导体元件和所述第2功率半导体元件的排列方向而形成；第1栅极布线，其配置在所述第1功率半导体元件和所述第1发射极布线之间；第2栅极布线，其配置在所述第2功率半导体元件和所述发射极布线之间；以及第3栅极布线，其隔着所述发射极布线与所述第1栅极布线及所述第2栅极布线相对地配置，所述电路基板具有第1栅极电阻，所述第1栅极电阻跨过所述第1发射极布线而连接所述第1栅极布线和所述第3栅极布线。
- 电力转换装置
- [发明专利]半导体装置-CN201780052168.9有效
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大西正己;平尾高志
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日立安斯泰莫株式会社
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2017-07-19
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2022-11-04
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H01L25/07
- 在对用于半导体装置的半导体元件进行多并联化时，谋求成品率的提高、可靠性的提高。本发明的半导体装置具备：第1子模块，其具有被夹在第1导体和第2导体之间的第1半导体元件以及传递该第1半导体元件的控制信号的第1引线；第2子模块，其具有被夹在第3导体和第4导体之间的第2半导体元件以及传递该第2半导体元件的控制信号的第2引线；第5导体，其覆盖所述第1导体和所述第3导体而形成，并且与该第1导体和该第3导体相接合；以及第6导体，其覆盖所述第2导体和所述第4导体而形成，并且与该第2导体和该第4导体相接合，所述第1导体以不与所述第1引线中的第1连接部重叠的方式形成，所述第1连接部用于与所述第2引线连接。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202080045792.8在审
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平尾高志;露野円丈;清水悠佳;松下晃
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日立安斯泰莫株式会社
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2020-06-16
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2022-02-01
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H01L23/60
- 本发明的半导体装置(100)包括：半导体元件(10)，其具有具备开口部(15a)的第一绝缘层(15)以及从第一绝缘层(15)的开口部(15a)露出的源极电极(12)；中继导体(21)，其与源极电极(12)相接合；接合层(41)，其将源极电极(12)与中继导体(21)相接合；第二绝缘层(31)，其覆盖第一绝缘层(15a)的至少一部分，至少与接合层(41)的周围相接地进行设置；表面侧导体(22)，其与中继导体(21)相连接；以及密封树脂(32)，其填充在表面侧导体(22)与第二绝缘层(31)之间。由此，提供如下半导体装置：即使存在孔隙，局部放电的产生也得到抑制。
- 半导体装置及其制造方法
- [发明专利]功率半导体装置-CN202080019736.7在审
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长崎仁德;加藤彻;平尾高志;田中信太朗
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日立安斯泰莫株式会社
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2020-01-30
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2021-11-05
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H01L25/07
- 本发明提供一种功率半导体装置及其制造方法，该功率半导体装置包括：具有第1功率半导体元件的第1子模块；具有第2功率半导体元件的第2子模块；正极侧导体部和负极侧导体部；形成将第1子模块夹在中间而与负极侧导体部相对的负极侧相对部、和将第2子模块夹在中间而与正极侧导体部相对的正极侧相对部的中间基板；通过传输信号来控制第1功率半导体元件或第2功率半导体元件的多个信号端子，第2子模块以使第2功率半导体元件的电极面与第1功率半导体元件的电极面的朝向反转的方式配置，在第2子模块的高度方向上且被夹在该第2子模块的一部分和中间基板之间的空间中配置信号中继导体部，中间基板具有与信号中继导体部连接且与信号端子电连接的布线。由此，在抑制主电路电感增大的同时，提高功率半导体装置的生产率。
- 功率半导体装置
- [发明专利]功率半导体装置-CN201980088888.X在审
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望月诚仁;井出英一;长崎仁德;田中信太朗;平尾高志;楠川顺平;露野円丈
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株式会社日立制作所
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2019-08-23
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2021-09-03
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H01L25/07
- 本发明的技术问题是实现具有滤波电容器的功率半导体装置的布线低电感的同时实现小型化。本发明的功率半导体装置包括：功率半导体电路部、多个滤波电容器、正极导体部和负极导体部、以及密封材料，多个所述滤波电容器构成夹在所述正极导体部和所述负极导体部之间的电容器电路部，所述功率半导体电路部具有从所述密封材料露出的第一露出面和从所述密封材料露出并设置在该第一露出面的相反侧的第二露出面，将与所述第一露出面重合的平面定义为第一平面，将与所述第二露出面重合的平面定义为第二平面，所述电容器电路部形成为容纳在所述第一平面和所述第二平面之间的空间中，所述正极导体部或所述负极导体部形成有用于容纳多个所述滤波电容器的一部分的凹部。
- 功率半导体装置
- [发明专利]功率半导体装置-CN201980074513.8在审
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平尾高志;长崎仁德
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株式会社日立制作所
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2019-08-28
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2021-06-25
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H01L25/07
- 本发明提高功率半导体装置的电流检测精度。本发明的功率半导体装置包括：绝缘基板，该绝缘基板的一个面上配置有第一导体层；半导体元件；连接到所述第一导体层的主端子；以及电流检测元件，所述电流检测元件具有在一个面上经由导体构件连接到所述半导体元件的表面电极、以及在另一个面上连接到所述第一导体层的背面电极，在将所述电流检测元件的最靠近所述主端子的边定义为第一边，并且将与第一边相对的位置的边定义为第二边时，将检测端子和所述背面电极的连接部设置在靠近所述第二边的一侧。
- 功率半导体装置
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